용융 실리카 쿼츠 웨이퍼
포토마스크 및 DUV 광학용 3가지 그레이드로 설계. 열팽창이 거의 0에 가까운 CTE 0.55 × 10⁻⁶/K와 저결함 광학 성능을 제공합니다.
개요
용융 실리카(fused silica)는 고순도 원료로부터 제조되는 비정질 SiO₂ 소재로, 매우 낮은 열팽창(CTE 0.55 × 10⁻⁶/K), 우수한 딥 UV 투과, 그리고 높은 화학적 순도를 제공합니다.
UV 그레이드(JGS1), IR 그레이드(JGS3), 합성 용융 실리카를 제공합니다. 모든 웨이퍼는 RMS < 0.5nm(표준) / < 0.3nm(정밀), TTV ≤ 3µm, 그리고 Class 100 클린 패키징 옵션으로 제공됩니다.
<strong>합성</strong> 그레이드: 193nm 투과율 > 99.7%/cm — DUV 포토마스크 블랭크와 엑시머 레이저 광학에 이상적입니다.
등급 비교
OH 함량과 금속 불순물 수준이 심자외선/적외선 투과 및 레이저 내성을 좌우합니다. 고객님의 용도에 가장 적합한 등급을 선택하세요.
UV-Grade (JGS1)
UV 광학 & 포토마스크에 최적
높은 OH 함량과 185nm 투과율 >90%로 UV 광학 및 포토마스크에 적합합니다.
IR-Grade (JGS3)
IR 광학에 최적
낮은 OH 함량(<10ppm)으로 2.7μm에서 >85% 투과율을 제공하여 IR 광학 및 공정 챔버에 적합합니다.
Synthetic Fused Silica
DUV & 엑시머에 최적
193nm 투과율 >99.7%/cm 및 금속 불순물 <0.1ppm으로 DUV 리소그래피와 엑시머 레이저에 적합합니다.
광학 특성
용융 석영은 심자외선(185nm)부터 근적외선(2,500nm+)까지 모든 유리 중 가장 넓은 투과 윈도우를 제공하며, 흡수가 극도로 낮아 포토마스크 블랭크와 엑시머 레이저 광학의 표준 소재로 사용됩니다.
딥 UV
UV 등급 용융 석영은 193nm에서 >99.7%/cm의 내부 투과율을 제공하며, DUV 리소그래피에 적합한 높은 레이저 손상 임계값을 갖습니다.
UV-Vis
가시광 전역에서 스펙트럼 평탄 투과, n₅₈₉ = 1.4585로 정밀 광학 및 계측 윈도우에 이상적입니다.
근적외선
저OH 합성 등급은 1,550nm에서 >92% 투과율을 유지하며, 삽입 손실을 최소화해 파이버 옵틱 및 IR 센서 광학에 적합합니다.
가공 역량
퓨즈드 실리카 웨이퍼는 반도체 웨이퍼와 동일한 공정 흐름(양면 연마, CMP, 다이싱, 박막화)으로 가공되어 기판 수준의 평탄도와 청정도를 제공합니다.
양면 연마와 CMP로 TTV ≤ 3μm(옵션 ≤ 1μm), bow ≤ 20μm, warp ≤ 25μm를 달성하며 표면 거칠기는 RMS < 0.5nm(CMP < 0.3nm)입니다.
레이저와 블레이드 다이싱으로 매끈한 에지를 구현해 칩핑을 낮추고 다이 단위 분할에서 높은 수율을 제공합니다.
100μm–1,000μm까지 박막화하고 응력 완화 공정을 적용하여, 후공정 본딩 및 조립까지 안정적인 핸들링을 보장합니다.
포토마스크 기판
퓨즈드 실리카는 업계 표준 포토마스크 블랭크 소재입니다. 낮은 열팽창(CTE 0.55 × 10⁻⁶/K)과 높은 193nm 투과율로 DUV 리소그래피의 기준이 됩니다.
완성 블랭크의 표면 품질은 S/D 40/20 scratch-dig와 낮은 웨이비니스를 만족하며, 금속 오염은 < 1ppm으로 고난도 마스크의 결함 관리를 지원합니다.
사양
| 매개변수 | 사용 가능 범위 / 값 |
|---|---|
| 재료 등급 | UV-grade (JGS1), IR-grade (JGS3), Synthetic Fused Silica |
| 지름 | 100mm (4″), 150mm (6″), 200mm (8″), 300mm (12″) |
| 두께 | 200μm–1100μm, custom ±10μm tolerance |
| 표면 거칠기 | RMS < 0.5nm standard, < 0.3nm premium |
| TTV(총 두께 편차) | ≤ 3μm standard, ≤ 1μm premium |
| 보우 / 워프 | Bow ≤ 20μm, Warp ≤ 25μm |
| 투과율 @ 185nm | > 90% UV-grade, > 85% standard |
| 굴절률 | n₅₈₉ = 1.4585 |
| CTE(열팽창 계수) | 0.55 × 10⁻⁶/K (20–300°C), nearly zero thermal expansion |
| 유전 상수 | 3.8 at 1 MHz |
| 연화점 | ~1,600°C (synthetic fused silica) |
| 밀도 | 2.20 g/cm³ |
| 표면 품질 | S/D 40/20 per MIL-PRF-13830B or better |
| 포장 | Class 100 cleanroom, interleaved, vacuum-sealed cassette or single-wafer shippers |
대표 응용 분야
포토마스크 블랭크
낮은 CTE 0.55×10⁻⁶/K와 193nm에서 >99.7%/cm 투과율로 DUV 포토마스크 블랭크에 적합합니다.
엑시머 레이저 광학
깊은 UV에서 193nm 및 248nm 엑시머 광학을 위한 높은 레이저 손상 임계값을 제공합니다.
바이오 MEMS & 마이크로플루이딕스
낮은 자가 형광과 높은 화학적 순도로 형광 기반 바이오 어세이에 적합합니다.
광섬유 부품
저OH 등급, 금속 불순물 <1ppm으로 저손실 광섬유 커플링과 정밀 페룰 기판에 적합합니다.
용량형 MEMS
유전율 3.8(@1MHz) 및 낮은 유전 손실로 RF와 센서 MEMS에 적합합니다.
정밀 광학
열적으로 안정적이며 Scratch-Dig 40/20 기판으로 거울, 윈도우, 간섭계 부품에 사용됩니다.
계측 및 품질 관리
개요 — 모든 퓨즈드 실리카 웨이퍼는 개별 검사되며, 각 출하마다 전체 계측 리포트가 동봉됩니다.