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개요

표준 실리콘 및 일반적인 화합물 반도체 외에도 많은 장치 기술에는 전기, 열, 광학 또는 압전 특성이 고유하게 조합된 특수 기판 재료가 필요합니다. 당신이 \

재료 카탈로그

알루미나(Al₂O₃)

전기 절연성이 뛰어난 고강도 세라믹 기판입니다. 96% 및 99.6% 순도 등급으로 제공됩니다. 후막 회로, 하이브리드 마이크로전자공학, 고온 전자공학에 이상적입니다.

주요 속성
  • Hardness: 14–16 GPa
  • Thermal conductivity: 20–30 W/m·K
  • CTE: 3.2 ppm/K
  • Dielectric constant: 7.5–8.0 at 1 MHz
응용: 후막 하이브리드 회로, 전력 모듈 기판, 고온 센서, RF/마이크로파 기판

질화알루미늄(AlN)

CTE가 실리콘과 밀접하게 일치하는 고열 전도성 세라믹(170W/m·K). 열 관리 애플리케이션을 위한 BeO의 무독성 대안입니다.

주요 속성
  • Purity: 96%, 99.6%
  • Thermal conductivity: 24–30 W/m·K
  • Dielectric strength: > 15 kV/mm
  • Surface roughness: as-fired or polished (< 0.1μm Ra)
응용: 고전력 LED 기판, 전력 반도체 열 확산기, 레이저 다이오드 마운트, RF 전력 증폭기 기판

붕규산 유리

실리콘과 CTE 일치(3.2ppm/K). 실리콘 웨이퍼와의 양극 결합에 이상적입니다. MEMS 및 미세유체공학에 대한 탁월한 내화학성과 광학적 투명성.

주요 속성
  • CTE: 3.2 ppm/K (silicon-matched)
  • Strain point: 510°C
  • High chemical durability
  • Available with patterned cavities
응용: 미세유체 장치, MEMS 패키징, 양극 접합, 바이오 MEMS, 인터포저 기판

게르마늄(Ge)

높은 전자 이동도(3900cm²/V·s). 다중 접합 태양 전지, IR 광학 장치 및 격자 일치가 중요한 III-V 에피택셜 성장용 기판으로 사용됩니다.

주요 속성
  • Bandgap: 0.66 eV (indirect)
  • Electron mobility: 3900 cm²/V·s
  • Diameter: 50mm, 100mm, 150mm
  • N-type, P-type, and intrinsic available
응용: 다중접합 태양전지, IR 검출기 및 렌즈, GaAs/InGaP 에피택시 기판, 감마선 검출기

ZnSe 및 ZnS

광학창 및 렌즈용 광대역 IR 투명 소재. ZnSe는 0.6-16μm에서 전송됩니다. 0.4-12μm의 ZnS. 광택 광학 창 및 웨이퍼 기판으로 제공됩니다.

주요 속성
  • ZnSe transmission: 0.6–16μm
  • ZnS transmission: 0.4–12μm
  • High laser damage threshold
  • Available as polished optical windows and wafers
응용: CO2 레이저 광학, FLIR 창, IR 분광학, 열화상, 미사일 돔

LiNbO₃ 및 LiTaO₃

강력한 압전 및 전기광학 특성을 지닌 강유전성 단결정 기판입니다. 광학 등급 및 SAW 등급 광택 처리된 3인치, 4인치, 6인치 웨이퍼로 제공됩니다.

주요 속성
  • Electro-optic coefficient r₃₃: LiNbO₃ 30.8 pm/V
  • Curie temp: 1142°C (LiNbO₃), 610°C (LiTaO₃)
  • Available as 3″, 4″, 6″ wafers
  • Optical-grade and SAW-grade polish
응용: SAW/BAW 필터(5G RF 프런트엔드), 전기광학 변조기, Q-스위치, 도파관 장치, 비선형 광학

다이아몬드

CVD 단결정 또는 다결정 다이아몬드 기판은 알려진 재료 중 열전도율이 가장 높습니다(> 1800W/m·K). 가장 까다로운 응용 분야에 적합한 극한의 유전 강도 및 방사선 경도.

주요 속성
  • Thermal conductivity: > 1800 W/m·K
  • Dielectric breakdown: > 10 MV/cm
  • Available up to 2″ wafer sizes
  • Optical-grade and thermal-grade available
응용: 고전력 RF 트랜지스터, X선 광학, 고에너지 입자 탐지기, 양자 감지(NV 센터)

유연한 폴리머

유연한 전자 장치용 폴리이미드 및 LCP(액정 폴리머) 필름. 400°C(PI) 정격, 낮은 흡습성, 고주파 애플리케이션을 위한 탁월한 유전 특성.

주요 속성
  • Polyimide: rated to 400°C
  • LCP: low moisture absorption, low RF loss
  • Thickness: 12.5μm–125μm
  • Available with or without adhesive layers
응용: 유연한 PCB, 웨어러블 전자 장치, 안테나 기판, 의료용 센서 패치, 폴더블 디스플레이

왜 GINECHIP을 통해 소싱하나요?

글로벌 공급업체 네트워크

아시아, 유럽, 북미 전역의 전문 크리스탈 재배업체 및 재료 제조업체에 접근할 수 있습니다. 우리는 조달을 통합하여 하나의 공급업체와 거래합니다.

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모든 자재 로트는 선적 전에 입고 검사(XRD, FTIR, 표면 거칠기, 치수 계측)를 거칩니다. 모든 주문에는 적합성 인증서가 제공됩니다.

애플리케이션 매칭

당사의 엔지니어는 포토닉스용 광학 등급 광택이 필요한지, 후막 증착을 위한 연소 표면이 필요한지 여부에 관계없이 특정 응용 분야에 맞는 최적의 재료 등급 및 사양을 선택하는 데 도움을 드립니다.

소량 친화적

MOQ가 높은 대형 재료 제조업체와 달리 당사는 단일 웨이퍼 또는 소량의 연구 물량이 필요한 R&D 그룹 및 스타트업에 서비스를 제공합니다. 평가 샘플에는 최소 주문량이 없습니다.

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