화합물 반도체
실리콘 너머 - RF, 전력 전자 장치, 포토닉스 및 적외선 감지를 위한 GaAs, GaN, SiC, InP 및 특수 III-V 기판.
개요
화합물 반도체는 실리콘만으로는 달성할 수 없는 장치 성능(더 높은 전자 이동도, 더 넓은 밴드갭, 직접적인 밴드갭 방출 및 우수한 열 전도성)을 가능하게 합니다. GINECHIP에서는 전 세계 파운드리, 장치 제조업체 및 연구소에 광범위한 <strong>III-V, II-VI 및 와이드 밴드갭 반도체 기판</strong>을 공급합니다.
RF 전력 증폭기 및 저잡음 프런트엔드용 <strong>반절연 GaAs</strong>부터 1200V+ MOSFET 및 쇼트키 배리어 다이오드용 <strong>4H-SiC 기판</strong>, 고속 광검출기 및 레이저용 <strong>InP 에피 레디 웨이퍼</strong>까지, 당사는 귀하의 에피택셜 성장 공정에 적합한 기판을 제공합니다.
재료 카탈로그
갈륨비소(GaAs)
RF 및 마이크로파 전자 장치의 주력 제품입니다. 1.42eV의 직접 밴드갭은 IR LED, 레이저 다이오드 및 HBT/HEMT 구조에 대한 효율적인 발광을 가능하게 합니다.
- RF 스위치, LNA, 전력 증폭기용 SI-GaAs(모바일, WiFi, SATCOM)
- 광전자 소자용 N형 및 P형(VCSEL, 광검출기)
- 2″–6″ 직경, SSP 및 DSP 제공
- 에피 레디, 표면 거칠기 < 3 Å RMS
질화갈륨(GaN)
고전력, 고주파수, 고온 작동이 가능한 와이드 밴드갭(3.4eV) 반도체입니다. Si, SiC 또는 기본 GaN 기판에서 사용 가능합니다.
- GaN-on-Si: 최대 650V 전력 HEMT에 비용 효율적
- GaN-on-SiC: RF HEMT용 우수한 열 특성(5G 기지국, 레이더, EW)
- GaN-on-Sapphire: 청색/녹색/UV LED 에피택시
- 프리스탠딩 GaN: 레이저 다이오드용 최저 결함 밀도
실리콘 카바이드(SiC)
탁월한 열 전도성(490W/m·K) 및 임계 필드(2.8MV/cm)를 갖춘 4H-SiC 및 6H-SiC 폴리타입입니다. 차세대 전력 전자 장치에 선호되는 플랫폼입니다.
- 4H-SiC: MOSFET, JBS/MPS 다이오드(600V–3.3kV)
- SiC 상 GaN HEMT 에피용 반절연 4H-SiC
- 6H-SiC: 광전자공학, UV 광다이오드
- N형 및 SI 제공, 100mm 및 150mm 직경
인화인듐(InP)
1.34 eV에서 높은 전자 속도와 직접 밴드갭. 광섬유 통신, THz 미만 전자 장치 및 고효율 광전지에 필수적입니다.
- N형 및 Fe 도핑 SI 기판
- 2″–4″ 직경, 에피 레디 연마
- DFB/FP 레이저, PIN/APD 광검출기, EO 변조기
- >100 GHz 동작용 HBT 및 HEMT 구조
사파이어(Al₂O₃)
UV부터 중간 IR까지 투명한 육각형 결정 구조. GaN LED 에피택시 및 SOS(silicon-on-sapphire) RF 회로를 위한 업계 표준 기판입니다.
- LED 에피용 C면(0001), SOS용 R면
- 2″–8″ 직경, SSP 및 DSP
- LED 광 추출 개선을 위한 패터닝 사파이어 기판(PSS)
- 최대 1800°C의 높은 열 안정성
질화알루미늄(AlN)
320W/m·K에 가까운 열 전도성을 갖춘 초광대역 밴드갭(6.2eV). 원자외선 LED, 고전력 RF 패키징, BAW/SAW 필터에 중요합니다.
- 단결정 AlN 기판, 1″–2″ 직경
- AlGaN 기반 심자외선 LED용 네이티브 기판(UVC 살균)
- 열 관리 애플리케이션용 다결정 AlN
- Si 및 사파이어 상 SAW 등급 AlN 박막
기술 사양
| 매개변수 | 사용 가능한 범위/값 |
|---|---|
| Materials | GaAs, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP, SiC (4H-SiC, 6H-SiC), Sapphire, AlN, GaSb, InAs, InSb |
| Diameter | 50mm (2″), 76mm (3″), 100mm (4″), 150mm (6″), 200mm (8″) |
| Orientation | 〈100〉, 〈111〉, C-plane, R-plane, A-plane, M-plane (material-dependent) |
| Dopant / Type | Semi-Insulating (SI), N-type (Si-doped), P-type (Zn/Mg-doped), UID (unintentionally doped) |
| Thickness | 350μm–1000μm (custom thinning to 100μm available) |
| Surface Polish | SSP, DSP, Epi-Ready (RMS < 0.3nm for GaAs, < 0.5nm for SiC) |
| Resistivity | SI GaAs: > 10⁷ Ω·cm; N-type GaAs: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI SiC: > 10⁵ Ω·cm |
| Micropipe Density (SiC) | < 1/cm² for high-grade 4H-SiC substrates (MPD down to 0.1/cm²) |
| EPD | GaAs: < 5×10³/cm²; InP: < 5×10⁴/cm²; SiC: < 5×10³/cm² |
| TTV / Bow / Warp | As low as < 5μm TTV, < 15μm Bow, < 20μm Warp |
| Packaging | Single-wafer cassettes, vacuum-sealed, Class 1 cleanroom packaging |
애플리케이션 매트릭스
| 애플리케이션 | 권장 기판 | 주요 속성 |
|---|---|---|
| 모바일 RF 프런트엔드 | SI-GaAs | 높은 전자 이동도, SI 비저항 |
| 5G 기지국 PA | GaN-on-SiC | 높은 전력 밀도, 열 관리 |
| 전기차 인버터 | 4H-SiC | 높은 항복 전압, 낮은 Rds(on) |
| 100G/400G 광 트랜시버 | InP (SI) | 직접 밴드갭, 높은 캐리어 속도 |
| 청색/녹색 LED | GaN-on-Sapphire | 격자 정합, 비용 효율적, 투명 |
| UVC LED(265nm) | AlN | UV 투명, AlGaN에 격자 정합 |
| mmWave 레이더(77GHz) | SI-GaAs 또는 InP | 고주파 이득, 낮은 잡음 지수 |
| 방사선 경화 전자 장치 | 4H-SiC 또는 GaN | 와이드 밴드갭, 방사선 내성 |
품질 및 공급망
모든 화합물 반도체 기판은 XRD 로킹 커브 분석, 표면 거칠기 측정(AFM), 저항률 매핑, 표면 결함 광학 검사 등 엄격한 입고 품질 검사를 거칩니다. 결정 성장부터 최종 배송까지 전체 로트 추적성은 ISO 9001:2015 인증 공급망 전체에서 유지됩니다.