화합물 반도체
실리콘 너머 - RF, 전력 전자 장치, 포토닉스 및 적외선 감지를 위한 GaAs, GaN, SiC, InP 및 특수 III-V 기판.
개요
화합물 반도체는 실리콘만으로는 달성할 수 없는 장치 성능(더 높은 전자 이동도, 더 넓은 밴드갭, 직접적인 밴드갭 방출 및 우수한 열 전도성)을 가능하게 합니다. GINECHIP에서는 전 세계 파운드리, 장치 제조업체 및 연구소에 광범위한 <strong>III-V, II-VI 및 와이드 밴드갭 반도체 기판</strong>을 공급합니다.
RF 전력 증폭기 및 저잡음 프런트엔드용 <strong>반절연 GaAs</strong>부터 1200V+ MOSFET 및 쇼트키 배리어 다이오드용 <strong>4H-SiC 기판</strong>, 고속 광검출기 및 레이저용 <strong>InP 에피 레디 웨이퍼</strong>까지, 당사는 귀하의 에피택셜 성장 공정에 적합한 기판을 제공합니다.
재료 카탈로그
갈륨비소(GaAs)
RF 및 마이크로파 전자 장치의 주력 제품입니다. 1.42eV의 직접 밴드갭은 IR LED, 레이저 다이오드 및 HBT/HEMT 구조에 대한 효율적인 발광을 가능하게 합니다.
- SI-GaAs for RF switches, LNAs, power amplifiers (mobile, WiFi, SATCOM)
- N-type and P-type for optoelectronic devices (VCSELs, photodetectors)
- Available in 2″–6″ diameters, SSP and DSP
- Epi-ready with < 3 Å RMS surface roughness
질화갈륨(GaN)
고전력, 고주파수, 고온 작동이 가능한 와이드 밴드갭(3.4eV) 반도체입니다. Si, SiC 또는 기본 GaN 기판에서 사용 가능합니다.
- GaN-on-Si: Cost-effective for power HEMTs up to 650V
- GaN-on-SiC: Superior thermal for RF HEMTs (5G base stations, radar, EW)
- GaN-on-Sapphire: Blue/green/UV LED epitaxy
- Free-standing GaN: Lowest defect density for laser diodes
실리콘 카바이드(SiC)
탁월한 열 전도성(490W/m·K) 및 임계 필드(2.8MV/cm)를 갖춘 4H-SiC 및 6H-SiC 폴리타입입니다. 차세대 전력 전자 장치에 선호되는 플랫폼입니다.
- 4H-SiC: MOSFETs, JBS/MPS diodes (600V–3.3kV)
- Semi-insulating 4H-SiC for GaN HEMT epi on SiC
- 6H-SiC: Optoelectronics, UV photodiodes
- N-type and SI available, 100mm and 150mm diameters
인화인듐(InP)
1.34 eV에서 높은 전자 속도와 직접 밴드갭. 광섬유 통신, THz 미만 전자 장치 및 고효율 광전지에 필수적입니다.
- N-type and Fe-doped SI substrates
- 2″–4″ diameters, epi-ready polish
- DFB/FP lasers, PIN/APD photodetectors, EO modulators
- HBT and HEMT structures for >100 GHz operation
사파이어(Al₂O₃)
UV부터 중간 IR까지 투명한 육각형 결정 구조. GaN LED 에피택시 및 SOS(silicon-on-sapphire) RF 회로를 위한 업계 표준 기판입니다.
- C-plane (0001) for LED epi; R-plane for SOS
- 2″–8″ diameters, SSP and DSP
- Patterned sapphire substrate (PSS) for improved LED extraction
- High thermal stability up to 1800°C
질화알루미늄(AlN)
320W/m·K에 가까운 열 전도성을 갖춘 초광대역 밴드갭(6.2eV). 원자외선 LED, 고전력 RF 패키징, BAW/SAW 필터에 중요합니다.
- Single-crystal AlN substrates, 1″–2″ diameters
- Native substrate for AlGaN-based deep-UV LEDs (UVC disinfection)
- Polycrystalline AlN for thermal management applications
- SAW-grade AlN films on Si and sapphire
기술 사양
| 매개변수 | 사용 가능한 범위/값 |
|---|---|
| Materials | GaAs, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP, SiC (4H-SiC, 6H-SiC), Sapphire, AlN, GaSb, InAs, InSb |
| Diameter | 50mm (2″), 76mm (3″), 100mm (4″), 150mm (6″), 200mm (8″) |
| Orientation | 〈100〉, 〈111〉, C-plane, R-plane, A-plane, M-plane (material-dependent) |
| Dopant / Type | Semi-Insulating (SI), N-type (Si-doped), P-type (Zn/Mg-doped), UID (unintentionally doped) |
| Thickness | 350μm–1000μm (custom thinning to 100μm available) |
| Surface Polish | SSP, DSP, Epi-Ready (RMS < 0.3nm for GaAs, < 0.5nm for SiC) |
| Resistivity | SI GaAs: > 10⁷ Ω·cm; N-type GaAs: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI SiC: > 10⁵ Ω·cm |
| Micropipe Density (SiC) | < 1/cm² for high-grade 4H-SiC substrates (MPD down to 0.1/cm²) |
| EPD | GaAs: < 5×10³/cm²; InP: < 5×10⁴/cm²; SiC: < 5×10³/cm² |
| TTV / Bow / Warp | As low as < 5μm TTV, < 15μm Bow, < 20μm Warp |
| Packaging | Single-wafer cassettes, vacuum-sealed, Class 1 cleanroom packaging |
애플리케이션 매트릭스
| 애플리케이션 | 권장 기판 | 주요 속성 |
|---|---|---|
| Mobile RF Front-End | SI-GaAs | High electron mobility, SI resistivity |
| 5G Base Station PA | GaN-on-SiC | High power density, thermal management |
| Electric Vehicle Inverter | 4H-SiC | High breakdown voltage, low Rds(on) |
| 100G/400G Optical Transceiver | InP (SI) | Direct bandgap, high carrier velocity |
| Blue/Green LED | GaN-on-Sapphire | Lattice match, cost-effective, transparent |
| UVC LED (265nm) | AlN | UV-transparent, lattice-matched to AlGaN |
| mmWave Radar (77GHz) | SI-GaAs or InP | High-frequency gain, low noise figure |
| Radiation-Hard Electronics | 4H-SiC or GaN | Wide bandgap, radiation tolerance |
품질 및 공급망
모든 화합물 반도체 기판은 XRD 로킹 커브 분석, 표면 거칠기 측정(AFM), 저항률 매핑, 표면 결함 광학 검사 등 엄격한 입고 품질 검사를 거칩니다. 결정 성장부터 최종 배송까지 전체 로트 추적성은 ISO 9001:2015 인증 공급망 전체에서 유지됩니다.