인듐 인화물 웨이퍼
GINECHIP은 직경 2″–4″의 InP 웨이퍼를 공급하며, 제어된 도핑(N형 S/Sn, P형 Zn, SI Fe 도핑)과 에피택시에 바로 사용할 수 있는 생산용 표면을 제공합니다. VGF/LEC로 성장하며 (100), (111)A, (111)B 오리엔테이션 및 off-cut 2° 또는 3° 옵션을 지원합니다.
개요
인듐 인화물(InP)은 직접 천이 밴드갭 1.344 eV와 높은 전자 이동도 5,400 cm²/V·s를 갖는 화합물 반도체입니다.
SI Fe 도핑(>10⁷ Ω·cm), N형 S 또는 Sn, P형 Zn을 포함한 기판 옵션을 선택하세요. 사용 가능한 오리엔테이션은 (100), (111)A, (111)B이며, off-cut은 (110) 방향으로 2° 또는 3°, 직경은 2″–4″ 입니다.
Epi-Ready 표면은 강한 에피택시 준비성을 위해 RMS <2Å를 목표로 하며, SEMI M1–M13 및 RoHS, REACH를 준수합니다.
EPD가 <5×10³/cm²까지 낮은 Epi-Ready InP 기판(고급 등급).
결정 성장 방법
VGF와 LEC 기술로 InP를 성장시켜 품질 및 에피 준비성에 대한 다양한 요구를 지원합니다.
VGF 프라임
최상의 수율과 품질
VGF(Vertical Gradient Freeze) InP는 낮은 전위(디스클로케이션) 밀도와 높은 비저항을 위해 설계되었습니다. 광자/레이저 기판 응용에 최적의 수율과 품질을 제공하며, EPD는 <5×10³–5×10⁴/cm² 범위로 제어됩니다.
LEC 볼륨
성숙한 대량생산
LEC(Liquid-Encapsulated Czochralski) InP는 성숙한 대량 생산과 안정적인 공정 제어를 위해 최적화되었습니다. 대구경 웨이에 특히 잘 맞으며, 전반적인 대량 성능이 우수하도록 EPD는 보통 5×10⁴–1×10⁵/cm² 범위입니다.
성장 방법 비교
VGF, LEC, 그리고 새롭게 부상하는 VCZ를 비교하여 EPD 성능, 저항률 타깃, 또는 에피(epi) 응용을 위한 전체 수율 중 무엇을 우선순위로 하는지에 맞춰 선택하세요.
VGF — 포토닉스 & 레이저에 최적
VGF는 낮은 EPD, 높은 저항률, 우수한 수율을 제공하는 데 도움을 주며, 첨단 소자 제조를 위한 Epi-ready InP 요구사항을 지원합니다.
LEC 대량 생산
LEC는 더 큰 InP 웨이퍼 직경을 위한 성숙한 대량생산을 제공하여, 스케일 가능한 제조를 지원합니다.
신흥: VCZ 공정
증기압 제어 치오크랄스키(VCZ)는 In-공공 밀도가 낮은 InP 웨이퍼에 대해 부상하고 있으며, 차세대 포토닉 및 전자 소자 요구사항을 지원합니다.
포토닉스 & 레이저 응용
인듐 포스파이드는 1.344 eV의 직접 밴드갭을 가져, 1310 nm 및 1550 nm 통신 파장에서 레이저 다이오드와 포토닉 집적회로의 효율적인 광 방출을 가능하게 합니다.
InP 웨이퍼는 데이터 센터, 5G 광 전송, 상호간섭(코히어런트) 광 네트워크에서 사용되는 DFB 레이저, 가변 레이저, EML(전기흡수 변조 레이저)을 지원합니다.
온칩 포토닉 통합은 레이저, 모듈레이터, 도파관, 포토디텍터를 단일 InP 칩에 결합하여 컴팩트하고 고속의 광학 모듈을 제공합니다.
전자 이동도 5,400 cm²/V·s의 높은 값과 낮은 광 손실로 인해 InP는 800G 및 1.6T 광 트랜시버의 최적 기판입니다.
밀리미터파 & 고속 전자회로
InP HEMT와 HBT는 5G/6G, 레이더, 위성 통신을 위한 mmWave 주파수에서 최고의 이득과 효율을 제공합니다.
InP 웨이퍼는 THz급 디바이스와 초고속 혼합신호 회로를 가능하게 하며, fT/fmax는 300 GHz를 초과합니다.
5G/6G, 레이더 & 위성을 위한 InP — fT/fmax 300 GHz 초과
기술 사양
| 매개변수 | 사용 가능한 범위/값 |
|---|---|
| 지름 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) |
| 도펀트 유형 | N-type S-doped, N-type Sn-doped, SI Fe-doped, P-type Zn-doped |
| 비저항 | N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI Fe-doped: > 10⁷ Ω·cm |
| 결정 방향 | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2° or 3° toward (110) |
| 두께 | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| 표면 연마 | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 2Å (AFM 5×5μm) |
| EPD(에칭 피트 밀도) | < 5×10⁴/cm² (prime); < 5×10³/cm² (advanced grade) |
| TTV / 보우 / 워프 | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| 전자 이동도(μₑ) | 5,400 cm²/V·s (N-type InP at 300K) |
| 밴드갭 | 1.344 eV (direct, zincblende structure) |
| 열전도율 | 68 W/m·K at 300K |
| 성장 방법 | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) |
| 뒷면 처리 | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| 레이저 마킹 | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| 플랫 구성 | Per SEMI M1: EJ or US standard flat per diameter |
| 입자 수 @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan) |
| 포장 | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 cleanroom |
| 규정 준수 | SEMI M1–M13, RoHS, REACH |
응용
광 통신
InP 레이저와 포토디텍터가 데이터 센터부터 해저 케이블까지 고속 광 네트워크에 전력을 공급합니다.
포토디텍터 & 이미징
InP 포토디텍터는 통신, 센싱, 이미징 애플리케이션에 대해 높은 감도(responsivity)와 낮은 암전류(dark current)를 제공합니다.
고주파 전자공학
5,400 cm²/V·s의 높은 전자 이동도는 고속 디지털 및 아날로그 회로를 위한 HBT 및 HEMT 소자를 지원합니다.
광자 집적 회로
레이저, 변조기 및 도파로의 온칩 통합을 통해 차세대 광 모듈을 위한 소형 PIC를 구현할 수 있습니다.
연구개발 및 양자 포토닉스
연구급 InP 기판은 양자 포토닉스, 얽힌 광자원 및 첨단 에피택시 개발을 지원합니다.
위성 & 항공우주
내방사선 InP 광전자 소자는 위성 레이저 통신 및 우주항공 시스템을 지원합니다.
품질 및 인증
GINECHIP InP 웨이퍼는 ISO 9001:2015에 따라 생산되며 100% 검사합니다. 또한 SEMI M1–M13 표준은 물론 RoHS/REACH 요구사항에 맞춰 제공 가능합니다.