Пластины из арсенида галлия
GINECHIP поставляет пластины GaAs диаметром 2″–6″ с контролируемым легированием (N-type Si, P-type Zn) и поверхностями, готовыми к эпитаксии. Доступны ориентации (100), (111)A, (111)B с off-cut 2°–15° при росте по VGF/LEC/HB.
Обзор
Арсенид галлия (GaAs) — компаундный полупроводник с прямой запрещенной зоной 1.424 eV и высокой подвижностью электронов 8,500 cm²/V·s.
Доступны варианты подложек: SI без легирования, N-типа Si (10⁻³–10⁻¹ Ω·cm) и P-типа Zn; ориентации — (100), (111)A и (111)B при off-cut 2°–15°, диаметры 2″–6″.
Для подготовки к эпитаксии поверхности Epi-Ready имеют целевое значение RMS <3Å; также обеспечивается соответствие SEMI M1–M13, RoHS, REACH и JEDEC.
Epi-Ready подложки GaAs с EPD вплоть до <5×10²/см² (UHP).
Методы выращивания кристаллов
Мы выращиваем GaAs с использованием технологий VGF, LEC и HB, чтобы поддерживать различные требования к качеству и готовности к эпитаксии.
VGF Prime
Лучшая выход и качество
GaAs, выращиваемый по VGF (Vertical Gradient Freeze), рассчитан на низкую плотность дислокаций и высокое удельное сопротивление. Он обеспечивает наилучшие выход и качество для фотонных и RF-подложек при контроле EPD в диапазоне <5×10²–5×10³/cm².
LEC Volume
Зрелое серийное производство
GaAs, выращиваемый по LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), оптимизирован для зрелого серийного производства и стабильного контроля процесса. Он хорошо подходит для крупнопрофильных (больших) диаметров пластин: EPD обычно находится в диапазоне 1–5×10⁴/cm², обеспечивая хорошую производительность в объёме.
HB Specialty
Специализированные геометрии
GaAs, выращиваемый по HB (Horizontal Bridgman), может поставляться в виде пластин D-образной не круглой формы для специальных форм-факторов. Этот сорт ориентирован на специализированные геометрии и подходит для применений, где контур пластины является ключевым требованием; EPD контролируется на уровне <5×10³/cm².
Сравнение методов роста
Сравните VGF, LEC и HB, чтобы выбрать оптимальный вариант под вашу приоритетную задачу: производительность по EPD, целевую резистивность или общую урожайность для эпитаксиальных применений.
VGF — Лучший вариант для фотоники и СВЧ/RF
VGF помогает обеспечивать низкий EPD, высокую резистивность и стабильную урожайность, поддерживая требования к epi-ready GaAs для производства передовых устройств.
Серийное производство LEC
LEC обеспечивает отлаженное серийное производство для более крупных диаметров пластин GaAs, поддерживая масштабируемое изготовление.
Спецпродукция HB (D-форма)
Пластины HB используют специальные геометрии D-образной формы, предлагая некруглые форматы для целевых применений и кастомной компоновки.
Применения RF и микроволновых устройств
Полуизолирующий GaAs обеспечивает низкопотерные высокочастотные устройства для 5G, радиолокации и спутниковых систем, включая силовые усилители и малошумящие усилители.
RF-устройства на GaAs позволяют создавать высокопроизводительные усилители мощности, малошумящие усилители и RF-ключи для требовательных систем.
Благодаря подвижности электронов 8,500 cm²/V·s GaAs обеспечивает уверенную высокочастотную работу для применений 5G, радиолокации и спутниковой связи.
Полуизолирующий GaAs для малопотерьных RF-фронтендов
Применения в оптоэлектронике
У GaAs прямозонный запрещённый зазор 1.424 eV, что поддерживает эффективное излучение и поглощение света для LED и лазерных диодов.
Пластины GaAs хорошо подходят для фотодетекторов и задач визуализации, обеспечивая надежную работу в требовательных оптических системах.
Пластины GaAs поддерживают фотовольтаику и солнечные элементы, а также используются в системах оптической связи.
Технические характеристики
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Диаметр | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm) |
| Тип легирования | SI-Undoped, N-type Si-doped, P-type Zn-doped |
| Удельное сопротивление | SI: >10⁷ Ω·cm; N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm |
| Кристаллографическая ориентация | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2°–15° toward (110) |
| Толщина | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| Полировка поверхности | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 3Å (AFM 5×5μm) |
| EPD (плотность ямок травления) | < 5×10³/cm² (prime); < 5×10²/cm² (UHP grade) |
| TTV / Bow / Warp | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| Подвижность электронов (μₑ) | 8,500 cm²/V·s (undoped GaAs at 300K) |
| Ширина запрещённой зоны | 1.424 eV (direct, Γ-valley) |
| Плотность дислокаций | Grade-dependent: prime < 5×10³/cm²; UHP < 5×10²/cm² |
| Методы роста | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), HB (Horizontal Bridgman) |
| Обработка обратной стороны | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| Лазерная маркировка | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| Срез / нотч | Per SEMI M1: EJ (EJ-standard) or US flat configuration |
| Количество частиц @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan, SEMI M53 equivalent) |
| Корпусировка | Vacuum-sealed single-wafer cassettes, Class 100 cleanroom |
| Соответствие стандартам | SEMI M1–M13, RoHS, REACH, JEDEC |
Применения
СВЧ и радиочастотные устройства
Полуизолирующий GaAs обеспечивает высокочастотные малопотерьные устройства для 5G, радара и силовых усилителей.
СИДы и оптоэлектроника
Прямозонная структура обеспечивает эффективное излучение света и поддерживает применение в светодиодах и оптоэлектронных компонентах.
Системы визуализации и ИК-датчики
Фотодетекторы на GaAs и инфракрасная визуализация используют преимущества прямозонных характеристик.
Подложки для НИОКР
Под заказ доступна нужная ориентация: варианты включают (100) и (111) и их модификации.
Высокоскоростные связи
Широкополосные и высокоскоростные цифровые приложения могут использовать свойства GaAs для быстродействия.
Спутниковая и авиационно-космическая электроника
GaAs-пластины поддерживают радиационно-стойкую электронику для спутниковых и аэрокосмических систем.
Качество и сертификация
Пластины GaAs от GINECHIP изготавливаются по ISO 9001:2015 и проходят 100% инспекцию, а также поставляются в соответствии со стандартами SEMI M1–M13 и требованиями RoHS/REACH.
Запросить коммерческое предложение на GaAs
Сообщите ваши индивидуальные спецификации, и мы подготовим предложение. Передайте требования нашей команде для быстрого ответа.