Оксидные кремниевые пластины TEOS
Тонкие пленки TEOS SiO₂ в диапазоне от низких до высоких температур с контролем <strong>толщины</strong>, <strong>однородности по пластине</strong> и настраиваемых <strong>напряжений</strong>. Поставляются на Prime CZ Si (100)/(111) для MEMS, IMD, масок для глубокого травления и интеграции оптических волноводов.
Обзор продукта
GINECHIP предлагает оксидные кремниевые пластины TEOS с пленками SiO₂, наносимыми TEOS PECVD (350–400°C) или TEOS LPCVD (700–720°C). Решение, ориентированное на точный контроль толщины, диэлектрических характеристик и готового к производству качества поверхности (шероховатость RMS < 0,5 нм).
Доступно на Prime CZ Si (100) или (111) для пластин 100–300 мм. Толщина SiO₂ — в диапазоне <strong>50 нм–10 мкм</strong> с допуском ±5%, при этом показатель преломления стабилен на <strong>1,46 ± 0,005 @ 633 нм</strong> — полезно для согласованности оптических стеков и корреляции с измерениями.
Ключевое преимущество: <strong>настраиваемые напряжения</strong> при точном контроле толщины и низкой шероховатости — идеально для MEMS и IMD стеков.
Методы осаждения
Выберите окно процесса под ваш тепловой бюджет и требование к конформности. GINECHIP осаждает TEOS SiO₂ методами PECVD и LPCVD TEOS с управлением напряжениями и надежной корреляцией с измерениями.
PECVD TEOS
TEOS PECVD (низкотемпературное плазменно-усиленное)
Плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD) с использованием прекурсора TEOS при 350–400 °C. Энергия плазмы диссоциирует молекулы прекурсора, обеспечивая осаждение при значительно более низких температурах, чем термический CVD. Формирует плёнки с превосходным покрытием ступеней, конформностью и управляемым напряжением (сжимающим или растягивающим). Отраслевой стандарт для межслойных диэлектриков, пассивирующих слоёв и жертвенных слоёв MEMS, где ограничения теплового бюджета исключают высокотемпературную обработку.
LPCVD TEOS
TEOS LPCVD (высокоплотная горячестенная печь)
Химическое осаждение из газовой фазы при низком давлении (LPCVD) с использованием TEOS при 700–720 °C в печи с горячей стенкой. Работает в режиме, лимитируемом поверхностной реакцией, обеспечивая исключительную однородность по пластине и от пластины к пластине. Формирует плёнки с более высокой плотностью, меньшими скоростями жидкостного травления и лучшими электрическими свойствами по сравнению с плёнками PECVD. Идеально для твёрдых масок, спейсеров затвора и применений, требующих максимального качества плёнки, где позволяет тепловой бюджет.
Ключевые характеристики
Обеспечьте стабильные оптические и электрические характеристики: <strong>n = 1.46 ± 0.005 @ 633 nm</strong>. Плёнка TEOS SiO₂ обеспечивает <strong>диэлектрическую прочность > 8 MV/см</strong> и <strong>напряжение пробоя > 400 В / 1 мкм</strong>, поддерживая надёжную изоляцию для IMD, межзатворных зазоров и пассивации.
Управляйте качеством плёнки: толщина 50 нм–10 мкм (±5%) и равномерность по пластине ±2% (200 мм) / ±3% (300 мм). Напряжение регулируется <100 МПа (сжатие/растяжение; PECVD −200~+100 МПа, LPCVD −300~0 МПа). Скорость травления в 6:1 BOE: PECVD 20–80 нм/мин / LPCVD 10–30 нм/мин. При этом RMS шероховатость < 0.5 нм обеспечивает чистые интерфейсы. Межпластинная повторяемость: ±3%.
Качество и метрология
Каждая поставка сопровождается данными метрологии на уровне партии, чтобы вы могли проверить характеристики плёнки на входе. Ключевые параметры включают <strong>толщину (±5%)</strong>, показатель преломления <strong>1.46 ± 0.005 @633 нм</strong>, равномерность <strong>±2% (200 мм) / ±3% (300 мм)</strong>, повторяемость между пластинами <strong>±3%</strong>, напряжение (<strong><100 МПа</strong>) и <strong>RMS шероховатость < 0.5 нм</strong>.
Пластины TEOS оксида кремния упаковываются с вакуумной герметизацией в класс чистоты 100, чтобы минимизировать риск загрязнения. Такая запечатанная форма поддерживает стабильное обращение при хранении и передаче между участками для процессов MEMS жертвенных слоёв, IMD и фотонных/жёстких масок при глубоком травлении.
Заказ и кастомизация
Подберите стек под ваши требования: подложки prime CZ Si в размере <strong>100–300 мм</strong>, доступны варианты <strong>SSP/DSP</strong> и ориентаций <strong>(100)/(111)</strong>. Выберите способ осаждения TEOS SiO₂: <strong>TEOS PECVD (350–400°C)</strong> или <strong>LPCVD TEOS (700–720°C)</strong> с толщиной плёнки <strong>50 нм–10 мкм (±5%)</strong>. Напряжение настраивается до <strong><100 МПа</strong> (PECVD −200~+100 МПа; LPCVD −300~0 МПа).
Сроки поставки и объёмы заказа подтверждаются в зависимости от запрошенных размера, толщины, целевого напряжения и метода осаждения (PECVD 350–400°C или LPCVD 700–720°C). Для планирования производства GINECHIP предоставит информацию о <strong>минимальном заказе</strong> и технической выполнимости при подготовке коммерческого предложения на вашу конфигурацию.
Технические характеристики
| Параметр | Спецификация / Значения |
|---|---|
| Базовая подложка | Prime CZ Si, 100mm–300mm, SSP/DSP, (100) or (111) |
| Материал покрытия | SiO₂ via TEOS PECVD |
| Метод осаждения | PECVD (350–400°C), LPCVD TEOS (700–720°C) option |
| Диапазон толщины | 50nm–10μm, ±5% tolerance |
| Показатель преломления | 1.46 ± 0.005 @ 633nm |
| Однородность по пластине | ±2% for 200mm, ±3% for 300mm |
| Воспроизводимость от пластины к пластине | ±3% |
| Напряжение | Compressive or tensile, tunable; < 100 MPa as-deposited |
| Скорость травления в 6:1 BOE | PECVD: ~20–80 nm/min; LPCVD: ~10–30 nm/min |
| Электрическая прочность | > 8 MV/cm |
| Пробивное напряжение | > 400V for 1μm film |
| Шероховатость поверхности | RMS < 0.5nm |
| Плотность плёнки | 2.1–2.2 g/cm³ |
| Сигнатура FTIR | Si-O-Si stretching at 1080 cm⁻¹ |
| Корпусировка | Vacuum-sealed, single wafer cassette, Class 100 cleanroom |
Применения
Жертвенные слои MEMS
Оксид TEOS PECVD — доминирующий жертвенный материал в поверхностной микромеханике. Его высокая скорость травления в парах HF или BOE по сравнению с термическим оксидом и нитридом кремния позволяет точно освобождать подвешенные микроструктуры — инерциальные массы акселерометров, гребёнки гироскопов, мембраны датчиков давления и шарниры микрозеркал — не затрагивая конструкционные слои.
Межслойные диэлектрики (IMD)
Плёнки TEOS PECVD служат основным диэлектриком между последовательными слоями металла в многоуровневых стеках межсоединений. Низкая температура осаждения сохраняет нижележащую алюминиевую или медную металлизацию, а превосходные свойства заполнения зазоров предотвращают образование пустот в канавках с высоким аспектным отношением при субмикронных шагах.
Твёрдые маски для глубокого травления
Плёнки LPCVD TEOS обеспечивают плотные, беспористые слои твёрдых масок для глубокого реактивно-ионного травления (DRIE) кремния. Низкая скорость травления во фторсодержащих средах (10–30 нм/мин в 6:1 BOE) относительно фоторезиста обеспечивает высокоселективный перенос рисунка для сквозных кремниевых переходов (TSV) и глубоких структур MEMS глубиной свыше 300 мкм.
Оптические волноводы
Плёнки SiO₂ TEOS с точно контролируемым показателем преломления (1,46 ± 0,005) и однородностью толщины (±2%) образуют сердцевинные и обкладочные слои в планарных оптических схемах (PLC), решётках волноводных демультиплексоров (AWG) и кремниевых фотонных интерпозерах. Низкие оптические потери и совместимость с процессами CMOS-фаундри делают TEOS материалом выбора.
Спейсеры затвора и пассивация боковых стенок
LPCVD TEOS широко используется для формирования самосовмещённых спейсеров затвора при изготовлении CMOS-транзисторов. Высококонформное осаждение равномерно покрывает вертикальные боковые стенки, определяя области смещения имплантации слаболегированного стока (LDD) и истока/стока, критичные для контроля короткоканальных эффектов на передовых нормах.
Пассивация и герметизация
Оксид TEOS PECVD в сочетании с нитридом кремния образует прочные многослойные пассивирующие стеки, защищающие готовые ИС от проникновения влаги, загрязнения подвижными ионами и механических повреждений. Плёнки с управляемым напряжением предотвращают растрескивание кристаллов при резке и корпусировании, сохраняя герметичность.
Метролoгия и контроль качества
Для точного контроля процесса: <strong>эллипсометрическое измерение толщины</strong>, <strong>FTIR</strong> для подтверждения и <strong>мониторинг напряжений</strong> (формула Стонни). Качество поверхности и пленки проверяется с помощью <strong>AFM</strong>, а также проводится калибровка скорости влажного травления (6:1 BOE), <strong>ртутный зонд CV/IV</strong> и <strong>OES онлайн-контроль плазмы</strong>. Чистота по частицам контролируется через <strong>проверку частиц KLA-Tencor (Class 100)</strong>.
Начните сегодня
Обсудите с GINECHIP поставку TEOS-оксидных кремниевых пластин, которые соответствуют вашей структуре, целевой толщине и требованиям к метрологии.