Полупроводниковые подложки
Кремний, SOI, соединения и заказные подложки — полный портфель 100–300 мм с инженерной поддержкой.
Обзор
Каждое полупроводниковое устройство — от простейшего MEMS-датчика до самого современного 3-нм логического процессора — начинается с подложки. Пластина — не просто механический носитель; её кристаллическое совершенство, профиль легирования, качество поверхности и размерные допуски напрямую определяют выход годных, производительность и надёжность устройств. Портфель подложек GINECHIP охватывает весь спектр полупроводниковых материалов: кремний (CZ, FZ, MCZ), кремний на изоляторе (SOI), соединения (SiC, GaN, GaAs, InP), стекло и кварц, подложки с покрытием с предварительно нанесёнными плёнками и специальные материалы, включая сапфир и керамику.
Мы обслуживаем полупроводниковые фабрики, MEMS-фабрики, исследовательские лаборатории, университеты и сборочно-испытательные производства более чем в 50 странах. Каждая партия подложек поставляется с сертификатом соответствия ISO 9001:2015, полной прослеживаемостью партии до слитка или були и полными данными метрологии — картами удельного сопротивления, профилями толщины, кристаллографической верификацией и подсчётом частиц. Нужна ли вам одна коробка тестовых пластин для квалификации процесса или многолетнее соглашение о поставках производственных объёмов, наша команда по подложкам обеспечивает стабильное качество, конкурентоспособные цены и оперативную техническую поддержку.
Помимо каталожной продукции, GINECHIP предлагает полную кастомизацию подложек: нестандартные удельные сопротивления с допуском ±1%, экзотические ориентации кристалла с точностью среза менее градуса, инженерные стеки плёнок на обратной стороне для геттерирования или остановки травления, индивидуальные конфигурации срезов/пазов, лазерную маркировку ID пластин и многопараметрические спецификации для требовательных архитектур устройств. Наши инженеры по подложкам работают напрямую с вашей командой интеграции процессов, чтобы перевести требования уровня устройства в точные спецификации материала.
Категории подложек
Кремниевые подложки
Базовые кремниевые подложки: CZ, FZ, MCZ. 100–300 мм, P/N/собств. SSP, DSP, CMP, epi-ready. ⟨100⟩, ⟨111⟩, ⟨110⟩.
SOI-пластины
SOI Smart Cut™ / BESOI. Устройств. слой 50 нм–100 мкм, BOX 100 нм–2 мкм. 200/300 мм. HR-SOI, FD-SOI, PD-SOI.
Сложные полупроводники
SiC 4H/6H, GaN-on-Si/SiC, SI-GaAs, InP. HEMT-эпитаксия, SiC MOSFET 650–1700 В.
Стеклянные подложки
Плавленый кварц, Borofloat®, AF32®, D263®, кварц AT/SC. Пропускание >90%. CTE 0,55–7,2 ppm/K. TGV-совместимые.
Подложки с покрытием
SiO₂ до 2 мкм, Si₃N₄ LPCVD, поли-Si, металлы (Al, Ti, Au, Pt, Cr), стеки ONO.
Прочие материалы
Сапфир, AlN (170–230 Вт/м·K), алюминий 96%/99,6%, LTCC/HTCC, SOI-на-сапфире.
Слитки и оптовая продажа
Слитки Si CZ/FZ, були SiC. 100–300 мм. Оптовые цены. Данные характеризации.
Услуги кастомизации
Стандартные подложки — стандартные нужды. Для передовых устройств — кастомные: сопротивление, легирование, ориентация, толщина, финиш, тыльная обработка.
Кастомизация материалов
Легирование, сопротивление, ориентация. Допуск ±1%.
Кастомизация рисунка
Литография меток и тест-структур до отгрузки.
Кастомизация плёнок и покрытий
Предварительное осаждение оксидов, нитридов, металлов. Одно-, двух-, многослойные.
Пластины Daisy Chain
Пластины с тест-структурами для оценки надёжности корпусировки.
Изготовление фиктивных кристаллов
Механические кристаллы по вашему footprint’у. Для разработки корпусов и термоциклирования.
Пластины RDL с бампами
RDL до 2 мкм L/S. Cu-столбы или припойные бампы.
Качество и спецификации
Качество подложек — основа выхода. Избыточный TTV → дефокус. Разброс сопротивления → дисбаланс. Частицы → дефекты эпитаксии. Наша программа: входной контроль, метрология, чистая упаковка.
| Параметр качества | Спецификация |
|---|---|
| Общее изменение толщины (TTV) | < 1,0 мкм станд.; < 0,3 мкм премиум. SEMI M1-0308. |
| Шероховатость (Ra / RMS) | Ra < 0,5 нм (AFM). Эпи-ready: лазер без haze. |
| Равномерность сопротивления | 4-зондовый / вихретоковый метод. < ±3% станд.; < ±1% custom. SEMI MF84. |
| Точность ориентации | XRD. Допуск среза ±0,5° станд.; ±0,1° точно. SEMI M13. |
| Счёт частиц на поверхности | Surfscan ≥ 0,2 мкм. < 10 adders @ 0,3 мкм (прайм). Карты дефектов. |
| Изгиб, коробление и плоскостность | Интерферометрия. Bow < 30 мкм, Warp < 40 мкм (200 мм). SEMI M1/M53/M59. |
Доп. сертификация: SEMI, RoHS, конфликтные минералы, ITAR. Пакет данных CSV/PDF с каждым заказом.
Руководство по выбору подложки
Выбор материала подложки — первое и важнейшее решение. Ключевые параметры:
CZ-Si: MEMS, CMOS. Кислород → геттеринг. Все классы. 100–300 мм.
FZ-Si: O₂ < 1×10¹⁶ см⁻³. > 1000 Ω·см. RF, фотодетекторы, мощные приборы.
SOI: радиационно-стойкий, высокотемпературный. Утечка устранена, паразитная ёмкость –50–80%.
SiC: запрещ. зона ×3, пробой ×10 vs Si. 650–1700 В MOSFET. 4H/6H, 100/150 мм.
GaN-эпитаксия на Si / SiC. RF (5G, радар), силовая электроника, LED.
GaAs / InP: прямая зона. Оптоэлектроника, mmWave, MMIC. SI-GaAs.
Стекло/кварц: био-MEMS, микрофлюидика, интерпозеры. TGV. Плавленый кварц для DUV.
Сапфир (твёрдость, прозрачность), AlN (170–230 Вт/м·K), алюминий (изоляция).
Готовы определить подложку?
Сообщите материал, диаметр, сопротивление, ориентацию, финиш — ответим с ценой в течение 24 часов.