Изменение размера пластин — уменьшение диаметра

100mm–300mmДиапазон диаметров

50μm–725μmДиапазон толщины

TTV < 1μmТочность толщины

SEMI M1 StandardПрофили края

Обзор

Услуги изменения размера пластин позволяют преобразовывать пластины из одного диаметра в другой, помогая фабрикам и производителям оборудования адаптироваться к требованиям различных технологических установок. GINECHIP предоставляет прецизионные услуги изменения размера пластин для размеров от фрагментов до 300 мм.

Мы обеспечиваем ведущее в отрасли качество и точность, гарантируя, что каждая пластина после изменения размера соответствует всем применимым стандартам SEMI.

Услуги изменения размера

Уменьшение диаметра

Точная обточка и шлифовка кромки для преобразования пластин между стандартными диаметрами (например, 200→150 мм, 200→100 мм) с формированием кромочного профиля по SEMI и минимальным сколом.

Reduction: 200→150, 200→100, 150→100Other conversions by requestEdge: SEMI standard profileEdge chipping: < 0.3mmConcentricity: < 50μmWafer: Si, SOI, glass, ceramic

Обработка базового среза и метки

Обработка первичного базового среза или метки по стандарту ориентации SEMI M1 с кристаллографической точностью до 1° и полировкой кромки после обработки.

Primary flat: SEMI M1 standardNotch: SEMI M1 standardOrientation accuracy: < 1°Length/depth per standardPost-machining edge polishWafer: Si, GaAs, InP, SiC

Профилирование кромки

Механическая шлифовка и полировка CMP до профилей кромки T, R или K по SEMI M1, устраняющие микротрещины и обеспечивающие шероховатость кромки менее 0,5 мкм.

Profiles: T, R, K (SEMI M1)Custom profiles by requestEdge polish: mechanical + CMPEdge roughness: Ra < 0.5μmMicro-crack eliminationPost-process edge inspection

Утонение пластин

Шлифовка, притирка и утонение CMP до целевой толщины от 725 мкм до 50 мкм, с контролем TTV после CMP менее 1 мкм и опциональным снятием напряжений травлением.

Method: grinding, lapping, CMPTarget: 50μm–725μmTTV: < 1μm (post-CMP)Bow/warp: within specificationStress relief etch optionalWafer: Si, SOI, glass, SiC

Разделение пластин

Точная резка или скрайбирование для разделения одной пластины на несколько меньших круглых или прямоугольных форматов по индивидуальным чертежам.

Split: 1 wafer → multiple smallerCircular or rectangular formatsDicing or cleaving optionsEdge quality: minimal chippingCustom sizes: drawing-basedMaterial: Si, SOI, glass

Проверка ориентации и повторная маркировка

Измерение методом рентгеновской кривой качания подтверждает кристаллографическую ориентацию с точностью до 0,1°, при необходимости наносится новый срез, метка или лазерная маркировка.

Method: XRD rocking curveAccuracy: < 0.1°Marking: new flat/notch or laserSi, GaAs, InP, SiC, sapphireReport: orientation confirmedPost-ID: laser mark if needed

Контроль качества кромки

Качество кромки после изменения размера подтверждается микроскопией профиля кромки и измерением шероховатости поверхности. Скол кромки поддерживается ниже требований SEMI, а профиль кромки настраивается под требования вашего оборудования для плавной обработки.

Готовы начать?

Свяжитесь с нашей инженерной командой, чтобы обсудить ваши требования и получить подробное коммерческое предложение в течение 24 часов.

Запросить КП Связаться с инженерами

Сертификат ISO 9001Соответствие SEMI T7Контроль краяXRD-анализ