Подложки
MEMS процессы
Переработка
Аксессуары
Применения & Ресурсы
Магазин О компании
> 90%Снижение сколов
Bullet · T-Type · CustomПрофили кромки
100–300mmДиаметр пластин
< 0.1μm RaПолировка

Обзор

Шлифовка кромки преобразует острый край в прецизионный профиль по SEMI M1.

GINECHIP охватывает весь спектр: пулевидные, T-образные профили, обработку пазов.

Услуги шлифовки кромки

Пулевидное шлифование

Симметричный пулевидный профиль. Радиус 200–400 мкм. 100–300 мм.

Bullet/symmetric round profileEdge radius: 200–400μm typicalChipping reduction: > 90%Applicable: 100–300mm wafersSEMI M1-0312 compliantRobot handling optimized

T-образный профиль

T-образный профиль. Максимизация площади. Исключение 1 мм.

T-type/flat apex profileEdge exclusion: down to 1mmMaximized usable wafer areaLarge-die / image sensor optimizedPrecision diamond grindingProfile metrology included

Шлифовка пазов и срезов

Пазы и срезы по SEMI M1.

Notch: SEMI M1 compliantNotch depth: 1.00 ± 0.25mmNotch angle: 90° ± 5°Flat: SEMI M1 compliantPrimary flat width: per specSecondary flat (n/p type ID)

Полировка кромки

CMP полировка кромки, Ra < 0,1 мкм. Снижение частиц > 80%.

Edge Ra: < 0.1μm (post-polish)Particle reduction: > 80%Enhanced epi quality at edgeBonding interface improvementCMP edge polishing availableAll wafer diameters

Фаска и спецпрофили

Фаска 15°–45°, ширина ±25 мкм. Для 3D-IC/TSV.

Chamfer angle: 15°–45°Chamfer width: controlled to ±25μmTransition radius: specifiedThin wafer handling optimized3D-IC / TSV compatibleCustom profiles available

Техпроцесс шлифовки кромки

01

Входной контроль

Оптический контроль и профилометрия кромки. Документирование.

02

Грубое шлифование

Алмазный круг зернистостью 800–1200. Высокая скорость съёма.

03

Тонкое шлифование

Алмазный круг 2000–4000. Финишная обработка.

04

Обработка пазов

Специализированная обработка пазов и срезов.

05

Полировка кромки

CMP или механическая полировка. Удаление повреждений. Ra < 0,1 мкм.

06

Очистка и финальный контроль

Мегазвуковая очистка. Финальная верификация. Упаковка.

Спецификации качества

ПараметрЦелевая спецификацияМетод измерения
Edge Radius200–400μm (bullet)Laser Profilometer
Chamfer Angle15°–45° ± 1°Laser Profilometer
Edge Exclusion< 1mm (T-type), < 3mm (bullet)Optical Comparator
Edge Roughness (Ra)< 0.1μm (polished), < 0.5μm (ground)AFM / Optical Profiler
Notch Depth1.00 ± 0.25mmOptical Comparator
Notch Angle90° ± 5°Optical Comparator
Edge Chipping< 0.3mm depth, < 3/10mm densityOptical Microscope
Particle Adders< 10 @ 0.2μm (post-clean)Wafer Surface Scanner

Все спецификации проверяются. Отчёт и сертификат включены.

Руководство по выбору профиля

Пулевидный профиль

Пулевидный профиль — отраслевой стандарт SEMI M1. Радиус 200–400 мкм.

T-образный профиль

T-образный профиль максимизирует полезную площадь.

Стандарты качества кромки

Контроль сколов

Сколы — основной дефект. Снижение на > 90%.

Макс. глубина: < 0,3 мм Плотность: < 3 на 10 мм SEMI M1-0312

Генерация частиц

Плохая обработка кромки — источник частиц. Наша обработка обеспечивает:

Ra кромки: < 0,1 мкм Снижение частиц: > 80% Класс 5 чистая комната

Шлифовка кромки тонких пластин

Пластины < 200 мкм: повышенный риск. Обрабатываем до 50 мкм.

Для ультратонких (50–100 мкм) — шлифовка с поддержкой.

Шлифовка пазов и срезов

Пазы по SEMI M1. Срезы с контролируемой шириной.

Контроль и метрология кромки

Трёхуровневая инспекция: микроскопия, профилометрия, АСМ.

Нужна прецизионная шлифовка?

Укажите диаметр, профиль и количество. Ответ в течение 24 часов.

ISO 9001 SEMI M1 Профилометрия Класс 5