Химическая очистка — RCA, пиранья, растворители | GINECHIP

< 10 adds @ 0.2μmУдаление частиц

< 1×10¹⁰ at/cm²Загрязнение металлами

RCA · Piranha · HF-lastХимия очистки

< 0.15nm RaШероховатость

Обзор

Химическая очистка — основа для всех последующих операций. GINECHIP предоставляет RCA, пиранью, HF-last, мегазвук в чистой комнате ISO 1.

Мультихимическая платформа: до 50 пластин за партию.

Услуги очистки

Стандартная очистка RCA

Стандартная очистка RCA: SC-1 + SC-2. Удаление органики, частиц, металлов.

SC-1: NH₄OH/H₂O₂/H₂O (1:1:5)SC-2: HCl/H₂O₂/H₂O (1:1:6)Temperature: 75–80°CMegasonic agitation: 0.8–1.2 MHzParticle removal > 99% @ ≥0.2μmMetals: < 1×10¹⁰ atoms/cm²

Пиранья (SPM)

Пиранья: H₂SO₄/H₂O₂ при 120-150°C. Удаление органики и резиста.

H₂SO₄/H₂O₂ ratio: 3:1 to 7:1Temperature: 120–150°COrganic residue removal: completeResist strip capabilityPre-diffusion clean qualifiedChemical oxide: 1.0–1.5nm SiO₂

HF-last очистка

HF-last: удаление оксида, H-терминированная поверхность.

HF concentration: 0.5–2%Etch rate: ~20 Å/min SiO₂H-terminated, hydrophobic surfaceOxide regrowth delay: 4–8 hoursMarangoni/IPA dry integrationPre-epi, pre-metal clean qualified

Мегазвуковая очистка

Мегазвук: 0,8-1,2 МГц. Удаление субмикронных частиц.

Frequency: 0.8–1.2 MHzPower density: 5–15 W/cm²Particle removal: ≥0.1μmNo cavitation damage to patternsCompatible with SC-1, SC-2, DISingle-wafer and batch modes

Сушка Марангони

Сушка Марангони: градиент поверхностного натяжения, без пятен.

Marangoni: gradient surface-tension dryingIPA vapor: direct exposure + N₂ dryWater mark free (verified by laser scan)Throughput: 50–100 wafers/hourParticle adders: < 5 @ 0.2μmCompatible with all pre-clean sequences

Технологический процесс

Входной контроль

Визуальный осмотр, проверка ID, оценка состояния.

SPM удаление органики

Пиранья удаляет органику, резист, углеводороды при 120-150°C.

HF удаление оксида

Разбавленная HF удаляет оксид, обнажая поверхность Si.

SC-1 удаление частиц

NH₄OH/H₂O₂ + мегазвук удаляет частицы до 0,1 мкм.

SC-2 удаление металлов

HCl/H₂O₂ удаляет металлы до < 1×10¹⁰ ат/см².

HF-last пассивация

Финальная HF создаёт H-терминированную гидрофобную поверхность.

Сушка и контроль

Сушка без пятен + лазерное сканирование для сертификации.

Спецификации качества

Параметр	Target Spec	Method
Счёт частиц	≤ 10 adds @ 0.2μm	KLA-Tencor Surfscan SP2/SP3/SP5
Железо (Fe)	< 1×10¹⁰ atoms/cm²	TXRF / VPD-ICP-MS
Медь (Cu)	< 5×10⁹ atoms/cm²	TXRF / VPD-ICP-MS
Никель/Хром (Ni/Cr)	< 1×10¹⁰ atoms/cm²	TXRF / VPD-ICP-MS
Шероховатость	< 0.15nm (Si substrate)	AFM (2μm × 2μm scan)
Собственный оксид	< 0.7nm (HF-last)	Spectroscopic ellipsometry
Угол смачивания	> 70° (hydrophobic)	Goniometer
Органический остаток	< 1 monolayer equivalent	XPS survey scan (C 1s peak)

Измерения в чистой комнате ISO 1. Сертификаты анализа.

Химия очистки

SC-1 (Стандартная очистка 1)

SC-1: NH₄OH/H₂O₂/H₂O при 75–80°C. Удаление органики и частиц.

SC-2 (Стандартная очистка 2)

SC-2: HCl/H₂O₂/H₂O при 75–80°C. Удаление металлов < 1×10¹⁰ ат/см².

Протоколы для приложений

Очистка перед диффузией

Очистка перед диффузией: металлы < 1×10¹⁰ ат/см².

SPM → HF → SC-1 → SC-2 Carbon: < 1 monolayer Metals: < 5×10⁹ at/cm² Gate oxide quality qualified

Очистка перед эпитаксией

Очистка перед эпитаксией: атомарно чистая поверхность. Ra < 0,2 нм.

SPM → SC-1 → HF-last C: below XPS detection O: < 0.1 monolayer N₂ transfer: < 4 hrs

Очистка перед bonding

Очистка перед bonding: удаление органики, частиц, оксида. Ra < 0,15 нм.

SC-1 (megasonic) → HF Particle: < 5 adds @ 0.2μm Ra: ≤ 0.15nm AFM Fusion / anodic bond qualified

Контроль загрязнений

Программа контроля загрязнений. ISO Class 1.

Чистота химикатов

Химикаты SEMI Grade 2+. Мониторинг в реальном времени.

Оснастка и автоматизация

Полностью автоматические системы с роботизированной загрузкой.

Совместимость подложек

Совместимость: Si, SOI, стекло, кварц, сапфир, SiC, GaAs, InP, GaN.

Удаление частиц

Многоэтапное удаление частиц: > 99% для частиц > 0,2 мкм.

Качество и сертификация

Программа QA: счёт частиц, ICP-MS, угол смачивания.

Нужна очистка пластин?

Свяжитесь с инженерами для обсуждения требований. Ответ в течение 24 часов.

Запросить КП Связаться с инженерами

ISO 9001:2015 SEMI стандарты Чистая комната ISO 1 Роботизированная обработка