Пластины из фосфида индия
Компания GINECHIP поставляет пластины InP с диаметром 2″–4″, контролируемым легированием (N-типа S/Sn, P-типа Zn, SI с Fe-легированием) и производственно готовыми поверхностями для эпитаксии. Доступны ориентации (100), (111)A и (111)B с off-cut 2° или 3°, выращивание выполняется методами VGF/LEC.
Обзор
Фосфид индия (InP) — это соединительный полупроводник с прямой запрещённой зоной 1.344 eV и высокой подвижностью электронов 5,400 см²/В·с.
Выберите варианты подложек, включая SI с Fe-допированием (>10⁷ Ω·см), N-типа S или Sn и P-типа Zn; доступны ориентации (100), (111)A и (111)B с off-cut 2° или 3° в сторону (110) и диаметрами 2″–4″.
Поверхности Epi-Ready нацелены на RMS <2Å для высокой готовности к эпитаксии и соответствуют требованиям SEMI M1–M13, а также RoHS и REACH.
Готовые к эпитаксии подложки InP с EPD до <5×10³/см² (продвинутая марка).
Методы выращивания кристаллов
Мы выращиваем InP с использованием технологий VGF и LEC, чтобы поддерживать различные требования к качеству и готовности к эпитаксии.
VGF Prime
Лучшая выход и качество
InP по технологии VGF (Vertical Gradient Freeze) рассчитан на низкую плотность дислокаций и высокое удельное сопротивление. Он обеспечивает наилучшие показатели выхода и качества для применений в фотонике и лазерных подложках; EPD контролируется в диапазоне <5×10³–5×10⁴/см².
LEC Volume
Зрелое серийное производство
InP по технологии LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) оптимизирован для зрелого серийного производства и стабильного контроля процесса. Он хорошо подходит для пластин большего диаметра: EPD обычно находится в диапазоне 5×10⁴–1×10⁵/см² для обеспечения хороших общих характеристик в серийном производстве.
Сравнение методов роста
Сравните VGF, LEC и появляющуюся технологию VCZ, чтобы соответствовать вашему приоритету — будь то производительность EPD, нацеливание по удельному сопротивлению или общая выходная доля для эпитаксиальных применений.
VGF — лучше всего для фотоники и лазеров
VGF помогает обеспечивать низкий EPD, высокое удельное сопротивление и высокую выходную долю, поддерживая требования к InP, готовому к эпитаксии, для производства передовых устройств.
Серийное производство LEC
LEC обеспечивает зрелое серийное производство для больших диаметров InP-вафель, поддерживая масштабируемое производство.
Новые тенденции: процесс VCZ
Метод Чохральского с контролем давления пара (VCZ) набирает популярность для пластин InP с более низкой плотностью In-вакансий, поддерживая требования к фотонным и электронным устройствам нового поколения.
Применения фотоники и лазеров
Фосфид индия (InP) имеет прямую запрещённую зону 1.344 eV, обеспечивая эффективное излучение света для лазерных диодов и фотонных интегральных схем на телекоммуникационных длинах волн 1310 nm и 1550 nm.
Пластины InP поддерживают лазеры DFB, перестраиваемые лазеры и EML (лазеры с электропоглощаемой модуляцией), применяемые в дата-центрах, оптическом транспорте 5G и в когерентных оптических сетях.
Бортовая (on-chip) фотонная интеграция объединяет лазеры, модуляторы, волноводы и фотодетекторы на одном чипе InP, обеспечивая компактные высокоскоростные оптические модули.
Высокая подвижность электронов 5,400 cm²/V·s и низкие оптические потери делают InP подложкой выбора для оптических трансиверов 800G и 1.6T.
ммВолны и высокоскоростная электроника
HEMT и HBT на InP обеспечивают наивысший коэффициент усиления и эффективность на частотах ммВолнового диапазона для 5G/6G, радиолокации и спутниковой связи.
Пластины InP позволяют создавать приборы с возможностью работы в диапазоне THz и сверхвысокоскоростные схемы смешанных сигналов; fT/fmax — более 300 ГГц.
InP для 5G/6G, радиолокации и спутников — fT/fmax более 300 ГГц
Технические характеристики
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Диаметр | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) |
| Тип легирования | N-type S-doped, N-type Sn-doped, SI Fe-doped, P-type Zn-doped |
| Удельное сопротивление | N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI Fe-doped: > 10⁷ Ω·cm |
| Кристаллографическая ориентация | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2° or 3° toward (110) |
| Толщина | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| Полировка поверхности | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 2Å (AFM 5×5μm) |
| EPD (плотность ямок травления) | < 5×10⁴/cm² (prime); < 5×10³/cm² (advanced grade) |
| TTV / Bow / Warp | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| Подвижность электронов (μₑ) | 5,400 cm²/V·s (N-type InP at 300K) |
| Ширина запрещённой зоны | 1.344 eV (direct, zincblende structure) |
| Теплопроводность | 68 W/m·K at 300K |
| Методы роста | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) |
| Обработка обратной стороны | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| Лазерная маркировка | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| Конфигурация среза | Per SEMI M1: EJ or US standard flat per diameter |
| Количество частиц @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan) |
| Корпусировка | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 cleanroom |
| Соответствие стандартам | SEMI M1–M13, RoHS, REACH |
Применения
Оптические коммуникации
Лазеры InP и фотодетекторы обеспечивают питание высокоскоростных оптических сетей — от дата-центров до подводных кабелей.
Фотодетекторы и визуализация
Фотодетекторы InP обеспечивают высокую чувствительность и низкий темновой ток для телекоммуникаций, сенсорных и систем визуализации.
Высокочастотная электроника
Высокая подвижность электронов 5,400 cm²/V·s поддерживает устройства HBT и HEMT для высокоскоростных цифровых и аналоговых схем.
Фотонные интегральные схемы
Интеграция лазеров, модуляторов и волноводов на одном кристалле позволяет создавать компактные PIC для оптических модулей нового поколения.
НИОКР и квантовая фотоника
Подложки InP исследовательского класса поддерживают квантовую фотонику, источники запутанных фотонов и разработку передовых эпитаксиальных технологий.
Спутники и аэрокосмос
Радиационно-стойкая оптоэлектроника на основе InP поддерживает лазерную спутниковую связь и аэрокосмические системы.
Качество и сертификация
Пластины InP от GINECHIP производятся по стандарту ISO 9001:2015 с 100% контролем качества и доступны для соответствия стандартам SEMI M1–M13, а также требованиям RoHS/REACH.
Запросить коммерческое предложение на InP
Сообщите ваши индивидуальные спецификации, и мы подготовим предложение. Передайте требования нашей команде для быстрого ответа.