Indiumphosphid-Wafer
GINECHIP liefert InP-Wafer mit 2″–4″ Durchmesser, kontrollierter Dotierung (N-Typ S/Sn, P-Typ Zn, SI mit Fe-Dotierung) sowie für die Epitaxie geeigneten, produktionsbereiten Oberflächen. Verfügbar sind die Ausrichtungen (100), (111)A und (111)B mit off-cut 2° oder 3°; Wachstum per VGF/LEC.
Übersicht
Indiumphosphid (InP) ist ein Verbindungshalbleiter mit direkter Bandlücke von 1,344 eV und hoher Elektronenbeweglichkeit von 5.400 cm²/V·s.
Wählen Sie Substratoptionen einschließlich SI mit Fe-Dotierung (>10⁷ Ω·cm), N-Typ S oder Sn sowie P-Typ Zn; verfügbar sind die Ausrichtungen (100), (111)A und (111)B mit off-cut von 2° oder 3° in Richtung (110) sowie Durchmessern von 2″–4″.
Epi-Ready-Oberflächen zielen auf einen RMS-Wert von <2Å ab, um eine starke Epitaxie-Bereitschaft zu gewährleisten; zudem sind sie konform zu SEMI M1–M13 sowie RoHS und REACH.
Epi-Ready InP-Wafer-Substrate mit EPD bis <5×10³/cm² (fortgeschrittener Werkstoffgrad).
Kristallwachstumsverfahren
Wir züchten InP mit den Techniken VGF und LEC, um unterschiedliche Anforderungen an Qualität und Epitaxie-Bereitschaft zu erfüllen.
VGF Prime
Beste Ausbeute und Qualität
VGF (Vertical Gradient Freeze)-InP ist für eine geringe Versetzungsdichte und eine hohe Widerständigkeit ausgelegt. Es bietet den besten Ertrag und die beste Qualität für photonik- und laserbasierte Substratanwendungen, wobei EPD im Bereich von <5×10³–5×10⁴/cm² kontrolliert wird.
LEC Volume
Ausgereifte Serienfertigung
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)-InP ist für ausgereifte Volumenproduktion und eine stabile Prozessführung optimiert. Es passt besonders gut für Wafer mit größerem Durchmesser; die EPD liegt typischerweise im Bereich von 5×10⁴–1×10⁵/cm² für eine gute Gesamtleistung in der Volumenfertigung.
Vergleich der Wachstumsverfahren
Vergleichen Sie VGF, LEC und das entstehende VCZ, um Ihre Priorität zu treffen — ob es um EPD-Leistung, die Zielsetzung der Widerständigkeit oder die gesamte Ausbeute für Epi-Anwendungen geht.
VGF — ideal für Photonik & Laser
VGF trägt dazu bei, niedrige EPD, hohe Widerständigkeit und eine starke Ausbeute zu erreichen — und unterstützt damit die Anforderungen an Epi-Ready InP für die Fertigung fortschrittlicher Bauteile.
LEC Serienfertigung
LEC bietet eine ausgereifte Serienfertigung für größere InP-Waferdurchmesser und unterstützt skalierbare Fertigung.
Neu: VCZ-Prozess
Vapordruck-gesteuertes Czochralski (VCZ) etabliert sich für InP-Wafer mit geringerer In-Vakanzdichte und unterstützt die Anforderungen moderner photonik- und elektronischer Bauteile.
Photonik- & Laseranwendungen
Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke von 1,344 eV und ermöglicht eine effiziente Lichtemission für Laserdiode und Photonik-Integrationsschaltungen in den Telekom-Wellenlängen 1310 nm und 1550 nm.
InP-Wafer unterstützen DFB-Laser, abstimmbare Laser sowie EMLs (electro-absorption modulated lasers), die in Rechenzentren, 5G-Optiktransport und in kohärenten optischen Netzwerken eingesetzt werden.
Die On-Chip-Photonik-Integration vereint Laser, Modulatoren, Wellenleiter und Photodetektoren auf einem einzelnen InP-Chip für kompakte, hochschnelle optische Module.
Eine hohe Elektronenbeweglichkeit von 5.400 cm²/V·s und geringe optische Verluste machen InP zur bevorzugten Substratwahl für 800G- und 1,6T-Optik-Transceiver.
mmWave- & Hochgeschwindigkeits-Elektronik
InP-HEMTs und -HBTs liefern bei mmWave-Frequenzen den höchsten Gewinn und die höchste Effizienz für 5G/6G, Radar- und Satellitenkommunikation.
InP-Wafer ermöglichen THz-fähige Bauelemente und extrem schnelle Mixed-Signal-Schaltungen; fT/fmax liegt bei über 300 GHz.
InP für 5G/6G, Radar & Satellit — fT/fmax über 300 GHz
Technische Spezifikationen
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Durchmesser | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) |
| Dotierstofftyp | N-type S-doped, N-type Sn-doped, SI Fe-doped, P-type Zn-doped |
| Spezifischer Widerstand | N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI Fe-doped: > 10⁷ Ω·cm |
| Kristallorientierung | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2° or 3° toward (110) |
| Dicke | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| Oberflächenpolitur | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 2Å (AFM 5×5μm) |
| EPD (Ätzgrubendichte) | < 5×10⁴/cm² (prime); < 5×10³/cm² (advanced grade) |
| TTV / Bow / Warp | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| Elektronenbeweglichkeit (μₑ) | 5,400 cm²/V·s (N-type InP at 300K) |
| Bandlücke | 1.344 eV (direct, zincblende structure) |
| Wärmeleitfähigkeit | 68 W/m·K at 300K |
| Zuchtverfahren | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) |
| Rückseitenbehandlung | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| Lasermarkierung | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| Flat-Konfiguration | Per SEMI M1: EJ or US standard flat per diameter |
| Partikelanzahl @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan) |
| Verpackung | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 cleanroom |
| Normkonformität | SEMI M1–M13, RoHS, REACH |
Anwendungen
Optische Kommunikation
InP-Laser und Photodetektoren versorgen Hochgeschwindigkeits-Optiknetzwerke — von Rechenzentren bis zu Unterseekabeln.
Photodetektoren & Bildgebung
InP-Photodetektoren bieten hohe Empfindlichkeit und niedrigen Dunkelstrom für Telekommunikation, Sensorik und Bildgebung.
Hochfrequenz-Elektronik
Eine hohe Elektronenbeweglichkeit von 5,400 cm²/V·s unterstützt HBT- und HEMT-Bauelemente für digitale und analoge Hochgeschwindigkeitsschaltungen.
Photonische integrierte Schaltungen
Die On-Chip-Integration von Lasern, Modulatoren und Wellenleitern ermöglicht kompakte PICs für optische Module der nächsten Generation.
F&E und Quantenphotonik
InP-Substrate in Forschungsqualität unterstützen Quantenphotonik, verschränkte Photonenquellen und die Entwicklung fortschrittlicher Epitaxie.
Satelliten & Luft- und Raumfahrt
Strahlungstolerante InP-Optoelektronik unterstützt Satelliten-Laserkommunikation und Systeme der Luft- und Raumfahrt.
Qualität & Zertifizierung
Die GINECHIP-InP-Wafer werden unter ISO 9001:2015 gefertigt, mit 100% Prüfung, und sind erhältlich, um Standards wie SEMI M1–M13 sowie RoHS/REACH-Anforderungen zu erfüllen.
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