Fotolithografie-Dienstleistungen
Kontakt-, Proximity- und Projektionslithografie bis 0,5μm.
Übersicht
Fotolithografie ist die grundlegende Strukturierungstechnologie. GINECHIP betreibt 5 Plattformen.
Von Kontakt- bis Projektions-, von Direktschreiben bis Nanoimprint.
Lithografie-Technologien
Kontaktlithografie
Auflösung 0,5–2 μm. SUSS/EVG. Doppelseitige Ausrichtung.
Proximity-Lithografie
Auflösung 2–5 μm. Spalt 10–50 μm.
Projektionsstepper (i-Line)
Auflösung 0,35–0,5 μm. 4×/5×. i-Line 365 nm.
Maskenloses Direktschreiben
Auflösung 0,6–2 μm. Keine Maske. Für F&E.
Nanoimprint-Lithografie (NIL)
< 50 nm. UV-NIL und thermo-NIL. Aspekt bis 15:1.
Resist-Portfolio
Positiv-Fotolacke
DNQ/Novolak (i-Line, g-Line), chemisch verstärkt (DUV).
Negativ-Fotolacke
SU-8 (Epoxid), Polyisopren. Dicke 0,5–200 μm.
Bildumkehrlacke
Ein Lack für Positiv- und Negativstruktur.
Dicklacke & Spezialbeschichtungen
SU-8 bis 500 μm, Polyimid, BCB.
Prozessfähigkeiten
| Parameter | Fähigkeit |
|---|---|
| Minimum Feature Size | 0.35μm (stepper), 0.5μm (contact), 0.6μm (direct-write) |
| Overlay Accuracy | < 50nm (stepper), < 1μm (contact) |
| Wafer Size Range | Fragments to 300mm |
| Resist Thickness Range | 0.3μm–500μm |
| Double-Side Alignment | Front-to-back < 2μm (contact/proximity) |
| Exposure Wavelengths | i-line (365nm), g-line (436nm), broadband UV |
| Mask Data Formats | GDSII, DXF, CIF, Gerber |
| Cleanroom Class | ISO Class 5 (Class 100) |
Typische Anwendungen
Kammantriebe, Membranen, Cantilever.
Pixel-Arrays. i-Line-Stepper, < 50 nm.
Großflächige Strukturierung auf 200–300 mm. Dicklacke.
Feinleitungen, passive Komponenten. 0,35 μm.
SU-8-Formen für PDMS. Kanäle ab 5 μm.
Si₃N₄- und SOI-Wellenleiter. Submikron-Kontrolle.
Maskendesign & Support
Masken-Support: GDSII, DRC, Verifikation.
Lithografie-Metrologie
Metrologie: CD-SEM, Overlay-Messung, Mikroskopie.
Qualitätssicherung
Prozesse unter ISO-Klasse-5. Temperatur- und Feuchtigkeitskontrolle.
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