Fotolithografie-Dienste — Kontakt, Proximity, Projektion

0.35μm–5μmAuflösung

< 50nmÜberlagerungsgenauigkeit

100mm–300mmWafer-Durchmesser

5 TechnologiesLithografie-Technologien

Übersicht

Fotolithografie ist die grundlegende Strukturierungstechnologie. GINECHIP betreibt 5 Plattformen.

Von Kontakt- bis Projektions-, von Direktschreiben bis Nanoimprint.

Lithografie-Technologien

Kontaktlithografie

Auflösung 0,5–2 μm. SUSS/EVG. Doppelseitige Ausrichtung.

Resolution: 0.5–2μmMask aligner: SUSS / EVGSubstrate: fragments to 200mmAlignment: top/bottom sideDouble-side alignment available

Proximity-Lithografie

Auflösung 2–5 μm. Spalt 10–50 μm.

Resolution: 2–5μmProximity gap: 10–50μmReduced mask wearHigher throughput vs contactGap uniformity control

Projektionsstepper (i-Line)

Auflösung 0,35–0,5 μm. 4×/5×. i-Line 365 nm.

Resolution: 0.35–0.5μmReduction ratio: 4× / 5×i-line (365nm) sourceOverlay accuracy < 50nmThroughput: 60–80 wph

Maskenloses Direktschreiben

Auflösung 0,6–2 μm. Keine Maske. Für F&E.

Resolution: 0.6–2μmWrite speed: up to 300mm²/minGDSII / DXF / CIF inputMaskless — no mask costIdeal for R&D & prototyping

Nanoimprint-Lithografie (NIL)

< 50 nm. UV-NIL und thermo-NIL. Aspekt bis 15:1.

Resolution: < 50nmUV-NIL & thermal NILStamp: Si, quartz, flexibleFull wafer & step-and-repeatAspect ratio up to 15:1

Resist-Portfolio

Positiv-Fotolacke

DNQ/Novolak (i-Line, g-Line), chemisch verstärkt (DUV).

Negativ-Fotolacke

SU-8 (Epoxid), Polyisopren. Dicke 0,5–200 μm.

Bildumkehrlacke

Ein Lack für Positiv- und Negativstruktur.

Dicklacke & Spezialbeschichtungen

SU-8 bis 500 μm, Polyimid, BCB.

Prozessfähigkeiten

Parameter	Fähigkeit
Minimale Strukturgröße	0,35 μm (Stepper), 0,5 μm (Kontakt), 0,6 μm (Direktschreiben)
Overlay-Genauigkeit	< 50 nm (Stepper), < 1 μm (Kontakt)
Wafer-Größenbereich	Bruchstücke bis 300 mm
Resistdickenbereich	0.3μm–500μm
Doppelseitige Ausrichtung	Vorder-/Rückseite < 2 μm (Kontakt/Proximity)
Belichtungswellenlängen	i-Linie (365 nm), g-Linie (436 nm), Breitband-UV
Maskendatenformate	GDSII, DXF, CIF, Gerber
Reinraumklasse	ISO-Klasse 5 (Klasse 100)

Typische Anwendungen

MEMS-Sensoren

Kammantriebe, Membranen, Cantilever.

CMOS-Bildsensoren

Pixel-Arrays. i-Line-Stepper, < 50 nm.

Leistungsbauelemente

Großflächige Strukturierung auf 200–300 mm. Dicklacke.

HF- & mmWave-ICs

Feinleitungen, passive Komponenten. 0,35 μm.

Mikrofluidik & BioMEMS

SU-8-Formen für PDMS. Kanäle ab 5 μm.

Photonik & Wellenleiter

Si₃N₄- und SOI-Wellenleiter. Submikron-Kontrolle.

Maskendesign & Support

Masken-Support: GDSII, DRC, Verifikation.

Lithografie-Metrologie

Metrologie: CD-SEM, Overlay-Messung, Mikroskopie.

Qualitätssicherung

Prozesse unter ISO-Klasse-5. Temperatur- und Feuchtigkeitskontrolle.

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ISO 9001 Klasse 5 CD-SEM & Overlay GDSII/DXF/CIF

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