Photonik & LiDAR
Silizium-Photonik, VCSEL-Arrays, Wellenleitersubstrate, LiDAR-Wafer.
Übersicht
Photonik und LiDAR sind Schlüsseltechnologien für Sensorik und Datenkommunikation der nächsten Generation. GINECHIP bietet ein umfassendes Angebot an Photonik- und LiDAR-Substratlösungen, von Silizium-Photonik-SOI-Wafern über InP-Substrate für photonische integrierte Schaltungen bis zu GaAs-VCSEL-Arrays und Si₃N₄-Wellenleitersubstraten — für Anwendungen von optischen Rechenzentrums-Interconnects bis hin zu LiDAR für autonomes Fahren.
Wir liefern branchenführende Qualität und Präzision — jedes Photonik-Substrat wird rigoros auf Oberflächenqualität und optische Leistung geprüft.
Materialplattformen
Silizium-Photonik (SOI)
Silicon-on-Insulator-Photonikplattform mit Wellenleiterverlusten unter 1dB/cm, integrierten Mach-Zehnder- und Ringmodulatoren sowie Ge-on-Si-Photodetektoren für O-Band- und C-Band-Transceiver.
Indiumphosphid-(InP)-Photonik
Monolithische InP-Plattform mit integrierten DFB/DBR-Lasern, optischen Halbleiterverstärkern und Hochgeschwindigkeits-Elektroabsorptionsmodulatoren für aktive photonische Komponenten im Bereich 1,3–1,6μm.
Siliziumnitrid-(Si₃N₄)-Photonik
Siliziumnitrid-Wellenleiter mit extrem geringen Verlusten unterstützen den CW-Betrieb mit hoher Leistung und die Erzeugung von Kerr-Kämmen und eignen sich ideal für Laser mit schmaler Linienbreite, Sensorik und nichtlineare Photonik.
GaAs-VCSEL- & Laserdiodenplattform
GaAs-basierte Epitaxieplattform für VCSELs und kantenemittierende Laser im Bereich 808–940nm, mit AlGaAs/GaAs-DBR-Spiegeln und InGaAs-Quantentöpfen für Beleuchtungs- und LiDAR-Emitter.
Lithiumniobat auf Isolator (LNOI)
Dünnschicht-Lithiumniobat-Plattform mit einer Modulationsbandbreite von über 100GHz und niedrigem Vπ·L, die elektrooptische Modulatoren der nächsten Generation für kohärente optische Kommunikation ermöglicht.
LiDAR-Technologie
Direktes Time-of-Flight-(Flash)-LiDAR
GaAs-basierte gepulste Laser-Arrays in Kombination mit MOCVD-gewachsenen DBR- und Quantentopf-Epitaxieschichten liefern 50–500W Spitzenleistung für Automotive- und Industrie-Flash-LiDAR-Beleuchtungsquellen.
FMCW-Kohärenz-LiDAR
InP- und Silizium-Photonik-Plattformen ermöglichen frequenzmoduliertes Dauerstrich-LiDAR (FMCW) mit kohärenter Detektion, wodurch die Reichweite auf über 200–500m erweitert wird und gleichzeitig sofortige Geschwindigkeitsdaten geliefert werden.
SPAD-/dToF-Detektor-Arrays
CMOS-kompatible Single-Photon-Avalanche-Dioden-Arrays auf spezieller Silizium-Epitaxie erreichen ein Timing-Jitter von unter 100ps für direktes Time-of-Flight-Ranging in kompakten Empfängermodulen.
SOI-Spezifikationen
| Parameter | Standardspezifikation | Erweiterte Spezifikation |
|---|---|---|
| Bauelementschichtdicke | 220nm ± 5nm | 220nm ± 2nm (or custom) |
| BOX-Schichtdicke | 2.0μm ± 5% | 2.0μm ± 2% (or 3.0μm) |
| Handle-Wafer | 725μm Si (100) | 725μm HR-Si (>1kΩ·cm) |
| Si-Schicht-Gleichmäßigkeit | < 2nm (1σ) | < 1nm (1σ) |
| BOX-Gleichmäßigkeit | < 1% (1σ) | < 0.5% (1σ) |
| Durchmesser | 200mm | 200mm, 300mm |
| Oberflächenrauheit | < 0.2nm RMS | < 0.15nm RMS |
| Partikelanzahl | < 20 @ 0.12μm | < 10 @ 0.09μm |
Die oben genannten Spezifikationen basieren auf Standardprodukten. Kundenspezifische Spezifikationen auf Anfrage.
Anwendungen
Festkörper-LiDAR und photonische Sensoren liefern die Reichweite und Winkelauflösung, die für L2+-Fahrassistenz und Wahrnehmungssysteme autonomer Fahrzeuge erforderlich sind.
Kompakte LiDAR- und photonische Sensormodule ermöglichen Hindernisvermeidung, SLAM-Navigation und Präzisionsmesstechnik für mobile Roboter und Fabrikautomation.
Silizium- und InP-photonische integrierte Schaltungen treiben 100G-800G-optische Transceiver für Rechenzentrums-Interconnects und Fernverkehrsnetze an.
VCSEL-Arrays und photonische Strukturen unterstützen Tiefensensorik, Eye-Tracking und Structured-Light-Projektion in Geräten für erweiterte und virtuelle Realität.
Photonische integrierte Schaltungen ermöglichen kompakte Spektroskopie, Gassensorik und patientennahe Diagnostik über wellenleiterbasierte optische Sensorplattformen.
Strahlungstolerante photonische und LiDAR-Komponenten unterstützen optische Freiraumkommunikation, Zielerfassung und Fernerkundung in Luft-, Raumfahrt- und Verteidigungssystemen.
Wellenleitertechnologie
Silizium- und Siliziumnitrid-Wellenleiterplattformen mit Ausbreitungsverlusten von nur 0,5 dB/cm sind verfügbar. Single-Mode- und Multi-Mode-Wellenleiterdesigns werden unterstützt. Unsere Photolithografie- und Ätzprozesse erzielen vertikale Seitenwände mit einer Rauheit unter 5 nm RMS für geringen Streuverlust.
Epitaxie-Qualität
Epitaktische Schichten werden durch Photolumineszenz-Mapping, Röntgenbeugungs-Rocking-Curve-Analyse und Messung der Oberflächendefektdichte charakterisiert. Wir garantieren eine Epi-Schicht-Gleichmäßigkeit innerhalb von 2 % über den gesamten Wafer, mit einer RMS-Oberflächenrauheit unter 0,2 nm.
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