Lasermarkierung & Re-ID — SEMI-Standard Wafer-Identifikation

Laser · Scribe · Data MatrixMarkierungstypen

SEMI T7 · M12 · M13Konformitätsstandards

1–50μmMarkierungstiefe-Bereich

Si · GaAs · SiC · GlassSubstrattypen

Übersicht

Lasermarkierung und Re-Identifikation sind kritische Schritte im Wafer-Tracking und Lieferkettenmanagement. GINECHIP bietet SEMI-Standard Softmark- und Hardmark-Laserdienste mit OCR-, 2D-Matrix- und kundenspezifischen Identifikationsmustern.

Wir liefern branchenführende Qualität und Präzision — alle Markierungen entsprechen SEMI T7, SEMI M1 und SEMI M12/M13.

Markierungsdienste

SEMI-Standard-Wafer-Markierung

Alphanumerische Zeichen, Data-Matrix- und SEMI-Schrift-Markierungen werden vorder- oder rückseitig mit kontrollierter Tiefe von 5–50 μm auf Silizium aufgebracht. Vollständig lesbar durch OCR- und Bildverarbeitungssysteme, konform mit SEMI T7, M12 und M13.

Mark: Alphanumeric, Data Matrix, SEMI fontLocation: frontside or backsideDepth: 5–50μm (Si), controlledReadable: OCR + machine visionStandards: SEMI T7, M12, M13Wafer: 100mm–300mm

Flache / schadensarme Markierung

Punktmatrix-Markierungen mit 1–5 μm Tiefe für Device-seitige und strukturierte Wafer, platziert in der Ritzlinie mit Absaugsystem zur Minimierung von Partikelbildung und Prozessverschmutzung.

Depth: 1–5μm (shallow profile)Dot matrix formatDevice-side compatibleScribe-line placementMinimal debris: extraction systemIdeal for post-pattern wafers

Wafer-Re-Identifikation

Neue Kennzeichnung wird auf aufbereiteten Wafern angebracht, mit erhaltener Querverweisung zur ursprünglichen ID zur Wahrung der vollständigen Loshistorie. Kompatibel mit dünnen Wafern, vorder- oder rückseitig, mit Fotodokumentation.

New ID applied to reclaimed wafersCross-reference to original ID maintainedCompatible with thin wafersFrontside or backside optionsFull lot history traceablePhoto documentation provided

Hochdurchsatz-Serialisierung

Sequenzielle Serialisierung mit 2D-Data-Matrix-Codes nach SEMI T7, die Los, Wafernummer, Produkt und Datum kodieren. OCR-Verifizierung nach der Markierung und MES-Integration unterstützen einen Durchsatz von bis zu 100 Wafern pro Stunde.

Sequential serialization2D Data Matrix per SEMI T7Encoded: lot, wafer#, product, dateOCR verification post-markMES integration readyThroughput: up to 100 wph

Verbindungshalbleiter- & Spezialsubstrat-Markierung

Niedrigenergie-Markierung, abgestimmt auf jedes Material: GaAs und InP mit reduzierter Leistung, 355-nm-UV-Laser für SiC, CO₂- oder UV-Laser für Glas, nicht-penetrierende Markierungen auf TCO-beschichteten Wafern und flache Markierung für dünne Substrate.

GaAs, InP: low-power markingSiC: UV (355nm) laserGlass: CO₂ or UV laserTCO-coated: non-penetrative markCeramic (Al₂O₃, AlN): standardThin wafer: shallow profile

Markierungsentfernung & Oberflächenaufbereitung

Chemisch-mechanische Entfernung bestehender Markierungen mit anschließender Oberflächenaufbereitung, per AFM verifiziert auf fehlende Unteroberflächenrisse und Markierungsrückstände. Kompatibel mit allen Wafertypen, mit Vorher-Nachher-Fotodokumentation.

Chemical-mechanical removalSurface reconditioning post-removalVerification: no residual markAFM: no sub-surface cracksCompatible with all wafer typesPhoto documentation before/after

SEMI-Standard-Konformität

Alle Lasermarkierungen entsprechen den Standards SEMI T7, SEMI M1 und SEMI M12/M13. Markierungen umfassen alphanumerische Zeichen, Data Matrix (ECC200), QR-Codes und kundenspezifische Symbologien. Hardmarks (20–80μm Tiefe) und Softmarks (5–20μm Tiefe) sind je nach Wafer-Wiederverwendungsanforderungen verfügbar.

Re-Identifikationsprozess

Unser Re-Identifikationsprozess folgt einem systematischen Workflow: Laserablation alter Markierungen, Oberflächenreinigung und -vorbereitung, Gravur neuer Markierungen, Markierungsverifizierung durch automatisierte optische Inspektion und abschließende Zertifizierung.

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