MEMS
Substratauswahl für MEMS-Inertialsensoren
Vergleichende Analyse von Si-, SOI- und Glassubstraten für Beschleunigungssensoren und Gyroskope. DRIE-Kompatibilität, Spannungsmanagement, Wafer-Bonding.
Ressourcen · Wissen
Fachartikel
Ausführliche Fachartikel zu Substraten, Prozesstechniken und Anwendungen.
Prozess
Bosch-DRIE-Parameteroptimierung für Through-Wafer-Vias mit hohem Aspektverhältnis
Praktischer Leitfaden zur Bosch-Prozessabstimmung für TSV. Ätzrate vs. Selektivität, Scallop-Kontrolle, ARDE-Minderung.
Leistung
SiC vs. GaN: Substrat-Engineering für Leistungselektronik der nächsten Generation
Vergleich der Substratanforderungen von SiC und GaN-on-Si für Leistungsbauelemente. Defektdichte-Einfluss auf die Ausbeute, Epi-Qualitätsmetriken, Kostenentwicklung.
Fertigung
Wafer-Reclaim-Ökonomie: Kosten-Nutzen-Analyse für Hochvolumen-Fabs
Quantitative ROI-Analyse des Wafer-Reclaim. Zyklusgrenzen, Degradationskurven, Qualitätsvergleich zwischen neuen und recycelten Wafern.
Prozess
Anodisch vs. Fusion vs. Eutektisch: Die richtige Wafer-Bonding-Technologie
Praktischer Entscheidungsrahmen für Wafer-Bonding in MEMS und 3D-IC. Vergleich von Festigkeit, Hermetik, Temperatur, Genauigkeit und Kosten.
Photonik
Silizium-Photonik-Substratanforderungen für Datacom-Transceiver
Überblick über SOI- und Si₃N₄-Substratspezifikationen für Siliziumphotonik. BOX-Dickenoptimierung, Gleichmäßigkeitsanforderungen, Wellenleiterverluste.
Prozess
Grundlagen der Dünnschichtbeschichtung für Halbleitersubstrate
Umfassender Überblick über Dünnschichtabscheidung für vorbeschichtete Substrate. Vergleich von thermischem Oxid, LPCVD, PECVD, ALD. Spannungsmanagement, Stöchiometriekontrolle.
Packaging
Trends bei Advanced-Packaging-Substraten: RDL, TSV und Glaskern
Analyse der Substratanforderungen für fortschrittliche Packaging-Technologien. RDL-Designregeln, TSV-Entwicklung, Vorteile von Glaskernsubstraten.
Prozess
ALD-Al₂O₃ als Gate-Dielektrikum: Grenzflächenqualität und Prozessoptimierung
Technische Tiefenanalyse von ALD-Al₂O₃ für Gate-Dielektrika. TMA/H₂O-Prozessfenster, Dit-Optimierung, Dickenkontrolle für EOT, Vergleich mit thermischem SiO₂ und HfO₂.
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