Wafer-Größenanpassung — Durchmesserreduzierung

100mm–300mmDurchmesserbereich

50μm–725μmDickenbereich

TTV < 1μmDickengenauigkeit

SEMI M1 StandardKantenprofile

Übersicht

Wafer-Resizing-Dienstleistungen wandeln Wafer von einem Durchmesser in einen anderen um und helfen Fabs und Anlagenherstellern, sich an unterschiedliche Prozessanlagenanforderungen anzupassen. GINECHIP bietet präzises Wafer-Resizing für Größen von Bruchstücken bis 300 mm.

Wir liefern branchenführende Qualität und Präzision und stellen sicher, dass jeder größenangepasste Wafer allen geltenden SEMI-Standards entspricht.

Resizing-Dienstleistungen

Durchmesserreduzierung

Präzisionsdrehen und Kantenschleifen zur Umwandlung von Wafern zwischen Standarddurchmessern (z. B. 200→150 mm, 200→100 mm), mit SEMI-konformem Kantenprofil und minimaler Absplitterung.

Reduction: 200→150, 200→100, 150→100Other conversions by requestEdge: SEMI standard profileEdge chipping: < 0.3mmConcentricity: < 50μmWafer: Si, SOI, glass, ceramic

Flat- & Notch-Bearbeitung

Primärflat- oder Notch-Bearbeitung nach SEMI-M1-Ausrichtungsstandard mit kristallografischer Genauigkeit innerhalb von 1° und polierter Kante nach der Bearbeitung.

Primary flat: SEMI M1 standardNotch: SEMI M1 standardOrientation accuracy: < 1°Length/depth per standardPost-machining edge polishWafer: Si, GaAs, InP, SiC

Kantenprofilierung

Mechanisches Schleifen und CMP-Finish zu SEMI-M1-Kantenprofilen T, R oder K, wobei Mikrorisse beseitigt und eine Kantenrauheit unter 0,5 μm erreicht werden.

Profiles: T, R, K (SEMI M1)Custom profiles by requestEdge polish: mechanical + CMPEdge roughness: Ra < 0.5μmMicro-crack eliminationPost-process edge inspection

Dickenreduzierung

Schleifen, Läppen und CMP-Dünnung auf Zieldicken von 725 μm bis 50 μm, mit einem TTV nach CMP unter 1 μm und optionalem spannungsentlastendem Ätzen.

Method: grinding, lapping, CMPTarget: 50μm–725μmTTV: < 1μm (post-CMP)Bow/warp: within specificationStress relief etch optionalWafer: Si, SOI, glass, SiC

Wafer-Teilung

Präzisionssägen oder -brechen zur Aufteilung eines einzelnen Wafers in mehrere kleinere runde oder rechteckige Formate gemäß zeichnungsbasierten kundenspezifischen Maßen.

Split: 1 wafer → multiple smallerCircular or rectangular formatsDicing or cleaving optionsEdge quality: minimal chippingCustom sizes: drawing-basedMaterial: Si, SOI, glass

Orientierungsprüfung & Neukennzeichnung

Die XRD-Rocking-Curve-Messung bestätigt die Kristallorientierung mit einer Genauigkeit von 0,1°, bei Bedarf werden neue Flat-, Notch- oder Lasermarkierungen angebracht.

Method: XRD rocking curveAccuracy: < 0.1°Marking: new flat/notch or laserSi, GaAs, InP, SiC, sapphireReport: orientation confirmedPost-ID: laser mark if needed

Kantenqualitätskontrolle

Die Kantenqualität nach der Größenänderung wird durch Kantenprofilmikroskopie und Oberflächenrauheitsmessung überprüft. Kantenausbrüche werden unterhalb der SEMI-Spezifikationen gehalten, und das Kantenprofil wird an Ihre Anlagenanforderungen für eine reibungslose Handhabung angepasst.

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ISO-9001-zertifiziertSEMI-T7-konformKanteninspektionXRD-Analyse