Nass- & Trockenätzen / DRIE

DRIE · RIE · KOH · HF VaporStat Etch Tech

AR > 30:1Stat Max AR

500μm+Stat Max Depth

Dry & Wet ProcessesStat Process Range

Übersicht

Ätzen ist selektiver Materialabtrag. GINECHIP: DRIE, RIE, ICP-RIE, Nassätzen.

KOH, Bosch DRIE (>30:1), ICP-RIE für GaAs/InP/SiC/GaN.

Ätztechnologien

KOH/TMAH Nassätzen

Anisotropes KOH/TMAH. 54,7°. 0,5–2 μm/min.

Etch rate: 2–20μm/min (Si)Aspect ratio: up to 30:1Sidewall: 89° ± 0.5°Scallop: < 50nm (optimized)Depth: up to 500μm+Mask: photoresist or SiO₂

BOE/HF Nassätzen

Isotropes BOE/HF für SiO₂. BOE 6:1, 7:1.

Temperature: −100 to −130°CEtch rate: 3–10μm/minSidewall: smooth, no scallopsAspect ratio: up to 20:1Selectivity to SiO₂: up to 100:1Depth: up to 200μm

Bosch DRIE

Bosch DRIE: SF₆/C₄F₈. Aspekt > 30:1. 10–500 μm.

KOH: 30 wt%, 80°CTMAH: 25 wt%, 80°CSi（100） etch rate: ~1μm/minSi（111）etch stop: < 0.01μm/minSi₃N₄ and SiO₂ hard masksElectrochemical etch-stop option

RIE/ICP-RIE

CF₄/CHF₃/SF₆ für Si. Cl₂/BCl₃ für GaAs/InP/GaN. Ar für Au/Pt.

Etchant: anhydrous HF vaporSelectivity SiO₂:Si > 1000:1No stiction (dry release)Compatible with Al metallizationProcess time: 5–60 minIdeal for inertial sensors

HF-Dampfätzen

HF-Dampf. Stiction-frei. Für MEMS.

Dielectric: CF₄/CHF₃/Ar chemistryNitride: SF₆ or CF₄/O₂Resist strip: O₂ plasma (ashing)Metal etch: Cl₂/BCl₃ (Al)Ion milling: Ar (Au, Pt, Cr)Etch rate: 10–500nm/min

Metallätzen

Nass Al, Au, Cr, Ti. Trocken Al, TiN, W.

SiO₂: BOE (6:1, 7:1), HFSi₃N₄: hot H₃PO₄ (160°C)Si isotropic: HNA mixtureAl: H₃PO₄:HNO₃:CH₃COOHAu: KI:I₂ solutionCr: Ce(NH₄)₂(NO₃)₆ based

Typische Anwendungen

MEMS-Inertialsensoren

DRIE für MEMS-Sensoren. HF-Dampf zur Freigabe.

TSV

Bosch DRIE für TSV. 10–200 μm, Tiefe bis 500 μm.

Mikrofluidik

DRIE, KOH für Mikrofluidik. BOE/HF für Glas.

Leistungs-SiC/GaN

ICP-RIE SiC (SF₆/O₂), GaN (Cl₂/BCl₃/Ar).

Photonik

ICP-RIE für Si₃N₄/SOI-Wellenleiter. Rauheit < 5 nm.

Hartmasken

DRIE für NIL-Stempel. Durchätzung für Schattenmasken.

Heading Selectivity

Selectivity Paragraph

Heading Metrology

Post-etch metrology includes SEM cross-section analysis, optical profilometry for depth and sidewall angle measurement, and optical microscopy for defect inspection. We provide detailed measurement reports with each lot.

Heading Cpd

Critical Point Drying is used for stiction-free release of high-aspect-ratio MEMS structures. After wet etching, the wafer is transferred through a series of solvent exchanges and dried using supercritical CO₂, eliminating surface tension forces that could cause structure collapse.

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ISO 9001 Klasse 5 Meta Spc Meta Cpd