Ingots & Großhandel
Halbleiter-Ingots, Boules und Substrate in Großmengen für Wafer-Hersteller, F&E-Foundries und Hochvolumen-Produktionslinien.
Übersicht
Für Kunden mit eigenen Wafering-, Schleif- und Polierlinien bietet der Großeinkauf von Ingots erhebliche Kostenvorteile gegenüber fertigen Wafern. GINECHIP liefert Silizium-Ingots, Verbindungshalbleiter-Boules und Kristallmaterial in Großmengen direkt von Kristallzucht-Foundries — ohne Zwischenverarbeitungskosten und mit maximaler Flexibilität für Ihre Weiterverarbeitung.
Wir schließen die Lücke zwischen Kristallzüchtern und Wafer-Herstellern mit vollständiger Ingot-Zertifizierung (Widerstandsprofil, Lebensdauerkartierung, Orientierungsprüfung) und flexibler Logistik — vom einzelnen F&E-Ingot bis zu Multi-Tonnen-Produktionsmengen.
Produktkategorien
Silizium-Ingots
CZ-Silizium-Ingots
Czochralski-gezogene einkristalline Silizium-Ingots für Standard-Halbleiter- und Solar-Anwendungen. In allen Standarddurchmessern mit enger Widerstandskontrolle.
- Durchmesser: 100–300 mm (4″–12″), kundenspezifisch bis 450 mm
- Typ: P-Typ (Bor), N-Typ (Phosphor/Antimon)
- Widerstand: 0,001–100 Ω·cm (CZ), breitere Bereiche verfügbar
- Orientierung: 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉
- Sauerstoff: 12–18 ppma (ASTM F121), oder kundenspezifisch
- Kohlenstoff: < 0,5 ppma (Standard), < 0,1 ppma (kohlenstoffarm)
- Lebensdauer: > 100 μs (Standard), > 1000 μs (hohe Lebensdauer)
FZ-Silizium-Ingots
Zonen-gereinigtes ultrahochreines Silizium für Leistungsbauelemente, Detektoren und HF-Anwendungen. Nahezu sauerstofffrei mit außergewöhnlicher Widerstandsgleichmäßigkeit.
- Durchmesser: 100–200 mm (4″–8″)
- Typ: N-Typ (Phosphor), P-Typ (Bor)
- Widerstand: 1–10.000 Ω·cm (N-Typ), 1.000–20.000+ Ω·cm (P-Typ)
- Sauerstoff: < 0,2 ppma
- Kohlenstoff: < 0,1 ppma
- Lebensdauer: > 1000 μs (Standard), > 5000 μs (hohe Lebensdauer)
- Ideal für: IGBTs, Leistungs-MOSFETs, HF-PIN-Dioden, Strahlungsdetektoren
Verbindungshalbleiter-Boules
GaAs-Boules
LEC- oder VGF-gezogene semi-isolierende oder dotierte GaAs-Einkristall-Boules für HF- und optoelektronische Bauelemente.
- Durchmesser: 2″–6″
- SI-GaAs (ρ > 10⁷ Ω·cm), N-Typ, P-Typ
- EPD: < 5×10³/cm² (LEC), < 500/cm² (VGF)
- Vollständige Boules oder geschnittene Abschnitte
InP-Boules
LEC-gezogene Fe-dotierte semi-isolierende oder S-dotierte N-Typ InP-Einkristalle für Photonik und mmWave.
- Durchmesser: 2″–4″
- SI-InP (Fe-dotiert), N-Typ (S-dotiert)
- EPD: < 5×10⁴/cm²
- Boule-Längen bis 200 mm
SiC-Boules
PVT-gezogene 4H-SiC- und 6H-SiC-Einkristall-Boules. Enge Mikroporendichte-Kontrolle für Leistungsbauelemente.
- Durchmesser: 100 mm, 150 mm
- 4H-SiC: N-Typ, SI, V-dotiertes SI
- MPD: < 1/cm², Premium < 0,1/cm²
- Vollständige Boules oder geschnittene Abschnitte
Großmengen-Wafer-Versorgungsprogramm
Für Kunden, die fertige Wafer in großen Mengen benötigen und von Großeinkaufsvorteilen profitieren möchten, bietet unser Großmengen-Wafer-Programm erhebliche Preisvorteile:
Mengenrabatt-Stufen
- Stufe 1: 25–100 Wafer pro Los
- Stufe 2: 101–500 Wafer pro Los
- Stufe 3: 501–2.000 Wafer pro Los
- Stufe 4: 2.001+ Wafer pro Los (kundenspezifische Preise)
Programmvorteile
- Los-basierte Preisgestaltung mit veröffentlichter Rabattstruktur
- Reservierte Produktionskapazität mit geplanten Lieferungen
- Dedizierter Account-Manager für Großkunden
- Kundenspezifische Verpackung und Etikettierung nach Ihren Vorgaben
- Vierteljährliche Business-Reviews mit kontinuierlicher Verbesserung
Lieferkettendienste
- Vendor-Managed Inventory (VMI) Programme
- Just-in-Time-Lieferung mit 48-Stunden-Vorlaufzeit
- Regionale Lagerhaltung (Asien, Europa, Nordamerika)
- Konsignationslager-Vereinbarungen verfügbar
Qualität & Zertifizierung
Jeder Ingot oder Boule wird mit einem umfassenden Analysezertifikat geliefert:
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