Kantenschleifen — Profilierung & Fase | GINECHIP

> 90%Absplitterungsreduktion

Bullet · T-Type · CustomKantenprofile

100–300mmWafer-Durchmesser

< 0.1μm RaPolierte Oberfläche

Übersicht

Kantenschleifen wandelt die scharfe Kante in ein präzises Profil nach SEMI M1 um.

GINECHIP deckt das gesamte Spektrum ab: Bullet-, T-Typ-Profile, Notch-Bearbeitung.

Kantenschleifdienste

Bullet-Profil-Schleifen

Symmetrisches Bullet-Profil. Radius 200–400 μm. 100–300 mm.

Bullet/symmetric round profileEdge radius: 200–400μm typicalChipping reduction: > 90%Applicable: 100–300mm wafersSEMI M1-0312 compliantRobot handling optimized

T-Typ-Profil

T-Typ-Profil. Maximierte Fläche. Ausschluss 1 mm.

T-type/flat apex profileEdge exclusion: down to 1mmMaximized usable wafer areaLarge-die / image sensor optimizedPrecision diamond grindingProfile metrology included

Notch- & Flat-Schleifen

Notches und Flats nach SEMI M1.

Notch: SEMI M1 compliantNotch depth: 1.00 ± 0.25mmNotch angle: 90° ± 5°Flat: SEMI M1 compliantPrimary flat width: per specSecondary flat (n/p type ID)

Kantenpolitur

CMP-Kantenpolitur, Ra < 0,1 μm. Partikelreduktion > 80%.

Edge Ra: < 0.1μm (post-polish)Particle reduction: > 80%Enhanced epi quality at edgeBonding interface improvementCMP edge polishing availableAll wafer diameters

Fase & Sonderprofile

Fase 15°–45°, Breite ±25 μm. Für 3D-IC/TSV.

Chamfer angle: 15°–45°Chamfer width: controlled to ±25μmTransition radius: specifiedThin wafer handling optimized3D-IC / TSV compatibleCustom profiles available

Kantenschleif-Prozessablauf

Eingangsinspektion

Optische Prüfung und Profilometrie. Dokumentation.

Grobschliff

Diamantscheibe Körnung 800–1.200. Hohe Abtragsrate.

Feinschliff

Diamantscheibe 2.000–4.000. Endbearbeitung.

Notch- & Flat-Bearbeitung

Spezielle Notch- und Flat-Bearbeitung.

Kantenpolitur

CMP oder mechanische Politur. Entfernung von Beschädigungen. Ra < 0,1 μm.

Reinigung & Endkontrolle

Megasonic-Reinigung. Endverifikation. Verpackung.

Qualitätsspezifikationen

Parameter	Zielspezifikation	Messmethode
Edge Radius	200–400μm (bullet)	Laser Profilometer
Chamfer Angle	15°–45° ± 1°	Laser Profilometer
Edge Exclusion	< 1mm (T-type), < 3mm (bullet)	Optical Comparator
Edge Roughness (Ra)	< 0.1μm (polished), < 0.5μm (ground)	AFM / Optical Profiler
Notch Depth	1.00 ± 0.25mm	Optical Comparator
Notch Angle	90° ± 5°	Optical Comparator
Edge Chipping	< 0.3mm depth, < 3/10mm density	Optical Microscope
Particle Adders	< 10 @ 0.2μm (post-clean)	Wafer Surface Scanner

Alle Spezifikationen pro Los verifiziert. Bericht und Zertifikat enthalten.

Leitfaden Profilauswahl

Bullet-Profil

Bullet-Profil ist der Branchenstandard (SEMI M1). Radius: 200–400 μm.

T-Typ-Profil

T-Typ-Profil maximiert die nutzbare Fläche.

Kantenqualitätsstandards

Kantenabsplitterungskontrolle

Absplitterung ist der Hauptdefekt. Reduzierung um > 90%.

Max. Tiefe: < 0,3 mm Dichte: < 3 pro 10 mm SEMI M1-0312 konform

Kantenpartikelerzeugung

Schlechte Kantenbearbeitung = Partikelquelle. Unsere Politur erreicht:

Kanten-Ra: < 0,1 μm Partikelreduktion: > 80% Klasse-5-Reinraum

Dünnwafer-Kantenschleifen

Wafer < 200μm: erhöhtes Risiko. Verarbeitung bis 50μm.

Für ultradünne (50–100μm) — unterstütztes Schleifen.

Notch- & Flat-Schleifen

Notches nach SEMI M1. Flats mit kontrollierter Breite.

Kanteninspektion & Metrologie

Dreistufige Inspektion: Mikroskopie, Profilometrie, AFM.

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ISO 9001 zertifiziert SEMI M1 konform Kantenprofilometrie Klasse 5 Reinraum