Wir haben neue 300-mm-fähige Prozessanlagen für Dünnschichtabscheidung, DRIE-Ätzen und Wafer-Reclaim in Betrieb genommen und erweitern damit unser Serviceportfolio von 200 mm auf den gesamten 300-mm-Markt.
Technologie
Neue ALD-Fähigkeit für fortschrittliche Gate-Dielektrika und Barriereschichten
Neues PE-ALD-System für Al₂O₃, HfO₂, ZrO₂, TiO₂, Ta₂O₅ mit Sub-Ångström-Dickenkontrolle. Für fortschrittliche CMOS-Gate-Stacks und III-V-Passivierung.
Unternehmen
ISO 9001:2015-Zertifizierung mit erweitertem Umfang erneuert
GINECHIP hat die ISO 9001:2015-Rezertifizierung mit erweitertem Umfang erfolgreich abgeschlossen: Ätzen, Bonden, Lithografie, Abscheidung, Wafer-Reclaim, Substratlieferung.
Partnerschaft
Strategische Partnerschaft mit führendem SiC-Kristallzüchter
Strategische Liefervereinbarung mit erstklassigem 4H-SiC-Kristallzüchter. Bevorzugter Zugang zu 150- und 200-mm-SiC-Substraten mit Mikroporendichte < 0,1/cm² bis 2026.
Produkt
Produktlinie für vorbeschichtete Substrate eingeführt
GINECHIP hat eine vollständige Linie vorbeschichteter Halbleitersubstrate eingeführt — thermisches SiO₂, LPCVD Si₃N₄, PECVD-Dielektrika, ALD-Schichten, gesputterte Metalle, TCO. Reduzierung der internen Abscheidungsauslastung.
Produkt
Erweiterte F&E-Prototyping-Dienste für Universitäten und Startups
Spezieller F&E-Prototyping-Service mit niedrigen Mindestmengen, akademischer Preisgestaltung und technischer Beratung. Unterstützung von 50+ universitären Forschungsgruppen und Startups weltweit.
Event
GINECHIP auf der SEMICON Europa 2024 — Besuchen Sie unseren Stand
GINECHIP stellt auf der SEMICON Europa 2024 in München vom 12.–15. November aus. Besuchen Sie unseren Stand, um Ihre Anforderungen mit unserem Team zu besprechen.
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