Wafer-Reclaim
Chemisch-mechanisches Abtragen und Wiederpolieren gebrauchter Test-Wafer.
Übersicht
Wafer-Reclaim senkt Kosten um 50–70%.
Chemisches Strippen + CMP + Reinigung.
Unsere Aufbereitungsdienste
Schichtentfernung
Chemische Entfernung von SiO₂, Si₃N₄, Metallen, Fotolack.
CMP-Wiederpolitur
CMP auf Ra < 0,5 nm. TTV < 2 μm nach Reclaim.
Reinigungsprozess
RCA-1/2-Reinigung. Metalle < 5E10 Atome/cm².
Metrologie-Neuzertifizierung
Vollständige Neuzertifizierung: TTV, Rauheit, Partikel.
Kundenspezifische Entwicklung
DOE-Entwicklung für Spezialsubstrate: GaAs, SiC, InP, Saphir.
Aufbereitungsprozessablauf
Eingangsinspektion
Eingangsinspektion. Sortierung nach Schichttyp.
Chemische Entfernung
Chemische Entfernung in Bädern. Konzentrationskontrolle.
CMP-Wiederpolitur
Multi-Platen-CMP. In-situ-Kontrolle.
Reinigung
Automatische RCA-1/2-Reinigung. Marangoni-Trocknung.
Endkontrolle
TTV, Rauheit, Partikel, Mikroskopie.
Verpackung & Zertifizierung
Verpackung, Zertifikat, SPC-Daten.
Qualitätsspezifikationen
| Parameter | Zielwert | Messmethode |
|---|---|---|
| Oberflächenrauheit (Ra) | < 0,5 nm | AFM (10×10 μm Scan) |
| TTV (nach Aufbereitung) | < 2,0 μm | Kapazitive Messung |
| Bow / Warp | < 30μm (200mm), < 50μm (300mm) | Kapazitive Messung / Interferometrie |
| Oberflächen-Metallkontamination | < 5×10¹⁰ Atome/cm² | TXRF-Analyse |
| Partikelzunahme (> 0,2 μm) | < 10 Partikelzunahmen pro Wafer | Surfscan (Laserlichtstreuung) |
| Filmrückstände | Nicht nachweisbar | Ellipsometrie / XRF |
| Kantenausschlusszone | < 3 mm vom Waferrand | Automatisierte Kanteninspektion |
| Aufbereitungszyklen (vor Ausdünnung) | typisch 3–5 Zyklen | Dickenverfolgung pro Zyklus |
Die oben genannten Spezifikationen sind typische Werte für den Standard-Wiederaufbereitungsprozess. Individuelle Wiederaufbereitungsprogramme auf Anfrage.
Umweltvorteile
Kostenanalyse
Wafer-Aufbereitung bietet erhebliche Kosteneinsparungen im Vergleich zu neuen Prime-Wafern, typischerweise 60–80 % geringere Kosten. Für Fabs mit hohem Volumen, die monatlich Tausende von Monitor- und Testwafern verarbeiten, können Aufbereitungsprogramme die jährlichen Substratkosten um Millionen von Dollar senken.
Nachhaltigkeit
Wafer-Aufbereitung reduziert den ökologischen Fußabdruck der Halbleiterherstellung, indem sie die Nutzungsdauer des Wafers verlängert. Jeder aufbereitete Wafer spart im Vergleich zur Herstellung eines neuen Wafers etwa 2,5 kWh Energie und 5 Liter Wasser, während hochreines Silizium aus dem Abfallstrom umgeleitet wird.
Lebenszyklusmanagement
Jeder aufbereitete Wafer wird über seinen gesamten Lebenszyklus verfolgt, einschließlich Aufbereitungszyklenzahl, verbleibender Dicke und historischer Prüfdaten. Unser Zyklusmanagementsystem hilft Ihnen, die Aufbereitungshäufigkeit zu optimieren und das Lebensende jedes Wafers vorherzusagen.
Substratkompatibilität
Unsere Aufbereitungsprozesse unterstützen Siliziumwafer aller gängigen Dotierungstypen, Orientierungen und Durchmesser. Wir bieten außerdem die Aufbereitung von SOI-, Glas- und Verbundhalbleitersubstraten mit dedizierten Prozesschemien für jedes Materialsystem an.
Qualitätssicherung
Unser Metrologielabor unterhält eine ISO-17025-Akkreditierung mit NIST-rückverfolgbaren Referenzstandards. Alle Messgeräte durchlaufen eine tägliche Kalibrierungsprüfung mit zertifizierten Referenzwafern, und unsere Messunsicherheit ist für jeden Parametertyp dokumentiert.
Starten Sie Ihr Reclaim-Programm
Nennen Sie Wafer-Typ, Schichtstapel, Volumen. Antwort innerhalb 24h.