Substrate
MEMS Prozess
Aufbereitung
Zubehör
Anwendungen & Ressourcen
Shop Über uns
6+ IndustriesApplication Areas
50+ CountriesGlobal Supply
ISO 9001Certified Quality
24h ResponseTechnical Support

Overview

Semiconductor substrate selection is the foundation of device performance. Whether you are designing a MEMS inertial sensor, a GaN power amplifier, a silicon photonic transceiver, or an advanced 2.5D package, the choice of substrate material, wafer size, crystal orientation, resistivity, and surface quality directly determines yield, reliability, and electrical performance.

Ginechip supplies a comprehensive range of engineered substrates across the full semiconductor application spectrum — from standard silicon wafers for high-volume CMOS to exotic III-V compound semiconductors for niche photonics and RF applications. Every substrate is sourced from qualified manufacturers, inspected to your specification, and delivered with full material traceability. Our application engineering team helps you navigate material selection, process compatibility, and supply chain strategy so you can focus on device innovation.

Industries

MEMS & Sensoren

Si, SOI, Glas, Piezo. DRIE, Bonding. Hermetische Verpackung. 100–200 mm.

Si, SOI, Glass, Piezo100mm–200mmDRIE & Bonding-readyHermetic packaging

HF- & Leistungsbauelemente

HR-Si, GaAs, GaN-on-Si/SiC. Niedriger Verlust. mmWave. 50–200 mm.

HR-Si, GaAs, GaN-on-Si/SiC50mm–200mmLow loss tangentmmWave compatible

Photonik & LiDAR

SOI, InP, LiNbO₃, SiO₂. BOX 0,5–3 µm. Optische Politur. 100–300 mm.

SOI, InP, LiNbO₃, SiO₂100mm–300mmBOX: 0.5μm–3μmOptical-grade polish

Leistungselektronik (SiC/GaN)

SiC (4H, 6H), GaN-on-Si. Mikropipes < 1/cm². Hochtemperaturstabil. 100–200 mm.

SiC (4H, 6H), GaN-on-Si100mm–200mmMicropipe density < 1/cm²High-temp stable

Advanced Packaging

Si- und Glas-Interposer. TSV 5–100 µm. 300 mm. FOWLP. RDL, Microbumps.

Si & Glass interposersTSV: 5μm–100μm300mm compatibleFOWLP carriers

F&E & Prototyping

Fragmente bis Volllafer. Keine Mindestmenge. Akademische Preise. Beratung.

Fragment to full waferNo minimum quantityCustom stacks availableAcademic pricing

Lösungen

Fab-zu-Fab-Versorgung

Multi-Source, Konsignation, JIT, Analytik. Risikominderung.

Multi-source qualificationConsignment inventoryJIT deliverySupply chain analytics

Unterstützung für Forschungseinrichtungen

Akademische Preise, Beratung, Nichtstandard-Materialien, Fördermittelunterstützung.

Academic pricing tiersTechnical consultationNon-standard materialsGrant support

Startup- & Prototyping-Kits

Vorkuratierte Wafer-Sets. Schnelle Muster, NPI-Beschleunigung, Startup-Konditionen.

Pre-curated wafer setsRapid samplingNPI accelerationStartup-friendly terms

Anwendungsauswahl-Leitfaden

Substratauswahl: Balance von Eigenschaften, Kompatibilität, Volumen, Budget. Häufige Fragen:

Q1Welches Material für MEMS?
Abhängig vom Wandlermechanismus. Si (CZ) — Standard. SOI für DRIE mit Isolation. Glas für anodisches Bonden. Piezo (AlN, PZT) für BAW/SAW.
Q2GaN-on-Si oder GaN-on-SiC?
GaN-on-SiC für > 3 GHz, hohe Leistung (Wärmeleitfähigkeit ×3). GaN-on-Si günstiger für < 1 MHz (Ladegeräte, Netzteile).
Q3Welcher Wafer-Durchmesser?
100/150 mm — MEMS, Verbindungen, F&E. 200 mm — CMOS, Leistung. 300 mm — Spitzenlogik, Speicher.
Q4Welches Oberflächenfinish für Epitaxie?
Epi-ready: Ra < 0,5 nm, haze-frei. CMP-Politur. H₂-Bake > 1100°C für Si. Kontrolliertes Oxid für III-V.
Q5Kann ich Substrate mit kundenspezifischem Widerstand bekommen?
Ja. Widerstand von < 0,001 bis > 10.000 Ω·cm. Gleichmäßigkeit < ±3% Standard, < ±1% Custom. 4-Spitzen-Karten.
Q6Welche Dokumentation und Zertifizierungen bieten Sie?
ISO 9001, Rückverfolgbarkeitsbericht, Metrologiedaten, Packliste. SEMI, RoHS, CMRT, REACH, ITAR — auf Anfrage.

Brauchen Sie Hilfe bei der Substratauswahl?

Unsere Ingenieure prüfen Ihre Anforderungen und empfehlen das optimale Substrat — kostenlos.

ISO 9001:2015 Volle Chargenrückverfolgbarkeit SEMI Standards Globale Logistik