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OCR · 2D Matrix · QRMarkentypen
±0.1μm AccuracyAusrichtgenauigkeit
SEMI T7 · M12 · M13Standards
ASML · Nikon · CanonLithografietyp

Übersicht

Musteranpassung fügt funktionale oder Identifikationsmerkmale auf Wafern durch Fotolithografie und Ätzen hinzu. Laser-Scribemarks, Justiermarken, Messziele — nach Ihren Spezifikationen.

Wir liefern branchenführende Musterqualität mit vollständiger Rückverfolgbarkeit.

Laser-Scribemarks & Identifikation

Permanente Wafer-Identifikations- und Rückverfolgbarkeitsmarken durch Laser oder Lithografie:

ParameterVerfügbarer Bereich
Mark Type OCR alphanumeric, 2D Data Matrix, QR code, custom logo/graphic
Character Height 0.3mm–3.0mm (SEMI T7 compliant)
Dot Matrix Density 5×7, 7×9, 9×13, 11×15 (custom grids)
Mark Position SEMI M1.15 standard zone, custom quadrant/edge placement
Marking Technology Laser (soft-mark < 5μm depth, hard-mark 5–50μm depth)
OCR Readability > 99.9% read rate (SEMI M12/M13 compliant)
Font Options SEMI OCR standard, high-density, human-readable only, custom

Soft Mark (Laser-Scribe)

  • OCR, 2D Data Matrix, QR-Code, alphanumerischer Text
  • Auf Vorderseite, Rückseite oder Kante aufgebracht
  • Marktiefe: < 5μm nach SEMI T7 Softmark-Standard
  • SEMI T7, M12, M13 konform
  • 2D-Code am Wafer-Rand für minimalen Flächenverbrauch

Hard Mark (Tiefenätzung)

  • Permanente Marken, die Oxidation, Diffusion und Ätzung überstehen
  • Ätztiefe: 5–50μm für langfristige Rückverfolgbarkeit
  • Laser- oder DRIE-geätzte alphanumerische, 2D-Codes und Muster
  • Lesbar durch automatisierte optische Inspektion (AOI) nach mehreren Prozessschritten
  • Kompatibel mit SEMI T7 und M12 für permanente Wafer-ID

Justier- & Registrierungsmarken

Präzisions-Justier- und Registrierungsmarken für Lithografie, Wafer-Bonding und Metrologie.

ParameterVerfügbarer Bereich
Alignment Mark Type Cross, chevron, box-in-box, Vernier scale, custom
Mark Depth / Height 100nm–5μm (etched), 50nm–2μm (deposited contrast layer)
Placement Accuracy ±0.5μm standard, ±0.1μm precision (stepper-aligned)
Mark Material Etched Si, trench-refilled poly-Si, W-plug, TiN, Cr
Global Alignment Grid 5-point, 9-point, full-contact exposure grid, custom
ASML / Nikon / Canon Compatible mark designs for major scanner platforms

Geätzte Justiermarken

Permanente, in die Wafer-Oberfläche geätzte Justiermarken für Stepper- und Scanner-Ausrichtung.

Abgeschiedene Metall-Justiermarken

patternCustomization.depositedMarksDesc

Metrologie- & CD-Ziele

Umfassende CD-, Overlay- und Schichtdicken-Messziele für Prozessentwicklung und Inline-Metrologie.

Jeder strukturierte Wafer wird vor dem Versand auf Markengenauigkeit geprüft.

Flats & Notches

SEMI-Standard-Flats und kundenspezifische Notches für Orientierung, Dotierungstyp und Automatisierungskompatibilität.

ParameterVerfügbarer Bereich
Primary Flat Per SEMI M1: {110} flat for 〈100〉, {110} flat for 〈111〉
Notch Per SEMI M1: {110} notch for 200mm+, {110} notch for 300mm
Custom Flat Angle Any crystallographic direction (±0.1° tolerance)
Custom Notch Shape Standard JIS/SEMI, custom depth/width, dual-notch
Secondary Flat Per SEMI M1 for conductivity type identification
Edge Profile SEMI standard, T-style, C-style, custom chamfer

Warum kundenspezifische Wafer-Kanten?

  • Reduzierte Kantenausbrüche — Profile minimieren Partikelerzeugung
  • Verbesserte Gerätekompatibilität — Kantengeometrie für spezifische Handhabungssysteme optimiert
  • Reduzierter Wafer-Bruch — Profile senken Spannungskonzentration an der Peripherie
  • SEMI-Standard-Konformität — alle Geometrien nach SEMI M1 und M13

Kantenprofil-Optionen

  • Abgerundet (Bullnose) — reduzierte Kantenausbrüche, für automatisierte Handhabung
  • Abgeschrägt — abgewinkelte Kante für reduzierte Spannung beim Bonden
  • Polierte Kante — Spiegel-Finish, minimiert Partikelerzeugung
  • Geschliffene Kante — wirtschaftlich, für unkritische Anwendungen

Die-Level-Anpassungsdienste

Präzisionsmuster auf Die-Ebene über ganze Wafer für Rückverfolgbarkeit, Vereinzelung und Multi-Projekt-Integration.

Die-Serialisierung

Eindeutige Die-Identifikationscodes für Rückverfolgbarkeit und automatische Sortierung.

  • OCR- und 2D-Data-Matrix-Codes pro Die
  • Die-Koordinaten- und Wafer-Lot-Genealogie-Codierung
  • Kompatibel mit automatischen Die-Bondern und Pick-and-Place
  • Kundenspezifische Schriftart, Größe und Platzierung nach Designregeln

Kundenspezifische Sägestraßen

Kundenspezifische Sägestraßen für Prozessentwicklung und spezielle Vereinzelungsmethoden.

  • Geätzte Sägestraßen für Stealth-/Plasma-Dicing-Entwicklung
  • TEG-Platzierung innerhalb von Sägestraßen
  • Kundenspezifische Straßenbreite: 30–200μm
  • Ausrichtung zur Kristallorientierung für bevorzugtes Spalten

Multi-Project-Wafer (MPW) Frames

MPW-Frame-Layouts mit Reticle-Level-Ausrichtung, Chip-ID und Teststrukturen.

  • Kundenspezifische Reticle-Frames mit Chip-ID und Justiermarken
  • Reticle-zu-Reticle-Ausrichtungsprüfstrukturen
  • Teststrukturen und PCM pro Reticle
  • Kompatibel mit GDSII- und OASIS-Layout-Formaten

Rückseiten-Justiermarken

IR-transparente Justiermarken auf der Rückseite für MEMS, Leistungsbauelemente und 3D-IC.

  • Vorderseite-zu-Rückseite-Overlay: ±0,5μm
  • IR-Kamera-kompatible Ausrichtziel-Designs
  • Kompatibel mit EVG-, SUSS- und AML-Wafer-Bondern
  • Auf Silizium, Glas und SOI-Substraten strukturiert

Metrologie- & Prozesskontrollstrukturen

Eingebaute Metrologieziele für Prozesscharakterisierung, SPC und Gerätequalifizierung.

  • Schichtwiderstandsmonitore: Van-der-Pauw-Kreuze, griechische Kreuze, Brückenwiderstände
  • Dickenmonitore: Stufenhöhenstrukturen, Ellipsometrie-Pads, Profilometrie-Gräben
  • Spannung & Dehnung: Cantilever-Arrays, Ring-Balken-Strukturen, Knickbalken-Arrays
  • Fehlausrichtungsmonitore: Nonius-Strukturen, überlappende Kamm-Muster
  • Ätzratenmonitore: Tiefenmarker, vergrabene Ätzstopp-Indikatoren, Multi-Tiefen-Kalibrierstrukturen
  • Elektrische Tests: Kelvin-Kontaktwiderstandsstrukturen, Isolationstestmuster, Durchschlagspannungs-Teststrukturen
  • Defekterkennung: Arrays absichtlicher Defekte bekannter Größe für Inspektionsgeräte-Qualifizierung
  • Process Control Monitors (PCM): Vollständige PCM-Module mit Transistoren, Kondensatoren, Widerständen, Dioden

Anwendungen

Wafer-Rückverfolgbarkeit — OCR, 2D-Matrix und QR-Code für fab-weites Wafer-Tracking.
Gerätequalifizierung — Kalibrierwafer mit Standard-Justiermarken und Strukturen für Stepper-Qualifizierung.
Prozessentwicklung — Kundenspezifische Teststrukturen für Prozessentwicklung, Ätzraten-Charakterisierung, Filmspannungsmessung.
Qualitätskontrolle — SPC-Monitor-Wafer mit eingebetteten Metrologiestrukturen für laufende Qualitätsüberwachung.
Forschung & Wissenschaft — Kundenspezifische Testchips und Charakterisierungsstrukturen für Universitätsforschung.
Fehleranalyse-Unterstützung — Kalibrierstandards mit bekannten Defekten für FA-Geräte-Qualifizierung und NDT-Benchmarking.

Qualität & Zertifizierung

Alle strukturierten Wafer werden in ISO 9001:2015 zertifizierten Einrichtungen gefertigt. Vollständige Dokumentation mit jeder Lieferung.

Benötigen Sie kundenspezifische Muster auf Ihren Wafern?

Teilen Sie uns Ihre Anforderungen mit — Markentyp, Layout-Datei (GDSII/DXF), Substrat und Menge — Angebot innerhalb von 24 h.

ISO 9001:2015 SEMI-Standards GDSII/DXF akzeptiert AOI & CD-SEM inklusive