Кремниевая подложка
Основной материал для MEMS, CMOS, силовых приборов и фотоники.
Обзор
Кремниевые пластины остаются доминирующей подложкой — более 90% мирового рынка. GINECHIP поставляет кремниевые подложки всех основных классов, диаметров и спецификаций в 50+ стран.
Нужны ли вам prime-grade CZ пластины, сверхплоские FZ пластины, SOI подложки или тестовые пластины — наша цепочка поставок обеспечивает стабильное качество с полной прослеживаемостью.
Категории продукции: кремниевые пластины
Выберите категорию, чтобы изучить подробные спецификации, методы производства и запросить коммерческое предложение.
Prime Silicon Wafers
Device-grade CZ & FZ substrates. Sub-nanometer roughness, tight resistivity and thickness tolerances for CMOS, MEMS, and power devices.
Test / Monitor Wafers
Cost-optimized wafers for fab equipment qualification, process monitoring, and daily tool checks. Consistent electrical and mechanical properties.
Dummy / Mechanical Wafers
Lowest-cost non-production wafers for furnace fill, tool setup, thermal uniformity control, and mechanical handling qualification.
Reclaimed Wafers
Chemically-mechanically stripped and repolished wafers restored to near-prime quality. 30–60% cost savings with up to 5 reclaim cycles.
Ultra-Thin / Taiko Wafers
Wafers thinned to 20μm with Taiko ring process for 3D-IC stacking, power devices, BSI sensors, and advanced packaging.
FZ High-Resistivity Wafers
Float Zone silicon with >10 kΩ·cm resistivity and extreme purity. O₂/C < 5×10¹⁵. Preferred substrate for RFICs, photonics, and radiation detectors.
SOI Wafers
Silicon-on-Insulator substrates with device layer on buried oxide. Smart Cut, BESOI, SIMOX, ELTRAN. For RF-SOI, FD-SOI, MEMS, photonics.
Thermal Oxide on Silicon
High-quality thermally-grown SiO₂ layers 10nm–4μm. Dry, wet, and pyrogenic oxidation for gate oxides, diffusion masks, and etch-stop layers.
Nitride on Silicon (Si₃N₄)
LPCVD & PECVD Si₃N₄ films 20nm–2μm. Stoichiometric and low-stress formulations. Diffusion barrier, passivation, MEMS hard mask.
Silicon Epi Wafers
CVD homoepitaxial Si on Si. Custom doping and thickness 0.5–200μm. For CMOS sensors, power MOSFETs, IGBTs, and BiCMOS.
Square Silicon Wafers
Straight-edge square and pseudo-square substrates for maximum dicing efficiency. Optimal for solar PV, MEMS, microfluidics & photonics.
Методы выращивания кристаллов
Мы поставляем подложки, произведенные следующими методами:
CZ (Чохральского)
Наиболее распространенный метод — вытягивание монокристалла из расплава кремния. Производит пластины 200/300 мм.
FZ (Зонная плавка)
Сверхчистый кремний, рафинированный зонной плавкой. Критичен для IGBT, RF-транзисторов.
MCZ (Магнитный CZ)
Магнитное поле при CZ росте подавляет конвекцию. Предпочтительно для CCD/CMOS.
Технические характеристики
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Diameter | 100mm (4″), 150mm (6″), 200mm (8″), 300mm (12″) |
| Type / Dopant | P-type (Boron), N-type (Phosphorus, Arsenic, Antimony) |
| Resistivity | 0.001–10,000 Ω·cm (custom ranges available) |
| Orientation | 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉 (off-cut angles available) |
| Thickness | 200μm–1000μm (standard SEMI specs ± custom) |
| Polish | SSP (Single-Side), DSP (Double-Side), CMP-finished |
| Backside | Bright-etched, Lapped, Polysilicon, Oxide/Nitride layer |
| TTV / Bow / Warp | As low as < 2μm TTV, < 5μm Bow, < 10μm Warp |
| Particles | ≤ 10 particles @ 0.2μm (Class 1 cleanroom packaging) |
Чистота поверхности и обработка обратной стороны
Полировка лицевой стороны
- CMP (химико-механическая полировка) — субнанометровая RMS-шероховатость для передовой литографии
- SSP (односторонняя полировка) — стандарт для большинства процессов MEMS и CMOS
- DSP (двусторонняя полировка) — требуется для двустороннего совмещения при фотолитографии
- Epi-Ready — поверхность, подготовленная для эпитаксиального роста, с собственным оксидом < 5Å
Варианты обратной стороны
- Bright-Etched — кислотное травление для однородного внешнего вида
- Шлифованная — механическая шлифовка для контроля толщины
- Поликремниевое заднее покрытие — геттерирующий слой для контроля загрязнения тяжёлыми металлами
- Термический оксид / нитрид LPCVD — диэлектрическая обратная сторона для остановки травления или изоляции
- Индивидуальные стеки плёнок на обратной стороне — оксид-нитрид, ONO или металлическая обратная сторона
Применения
Качество и сертификация
Каждая партия поставляется с сертификатом соответствия. ISO 9001:2015.
Нужны кремниевые пластины?
Укажите диаметр, тип, сопротивление, ориентацию и количество.