Подложки
MEMS процессы
Переработка
Аксессуары
Ресурсы
Компания
Магазин
Диаметр 3″–6″ Диапазон диаметров
r₃₃ = 30.8 pm/V Коэффициент электрооптики
Готово к PPLN Готовность к периодической поляризации (PPLN)
Оптический класс Поверхности оптического класса
В наличии подложки из ниобата лития (LiNbO₃) — выберите диаметр, ориентацию и тип полировки онлайн.
Купить сейчас

Обзор продукта

GINECHIP поставляет подложки из ниобата лития (LiNbO₃) в вариантах: конгруэнтный (CLN), стехиометрический (SLN) и легированный MgO (5mol%) — в диаметрах 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) и 6″ (150mm). Подберите X/Y/Z-ориентации и срезы 128° Y-X или 64° Y-X под ваш процесс и конструкцию устройства; доступны также подложки с однодоменной поляризацией (single-domain poled).

Доступны варианты финишной обработки поверхности: SSP, DSP и оптический CMP (Optical-grade) с шероховатостью Ra < 0.5nm. Толщина 300μm / 500μm / 1000μm; упаковка поддерживает высокоповторяемое производство в Class 100 условиях чистоты.

Подложки, готовые для PPLN: single-domain poled с возможностью периодического полинга — плюс опция blackened для EO-модуляторов.

Марки материалов и фоторефрактивные характеристики

CLN, SLN и MgO-легированный (5mol%) LiNbO₃ различаются по соотношению Li/Nb и по поведению дефектов/зарядов, которое формируется в процессе выращивания по методу Чохральского (Czochralski). Эти отличия напрямую влияют на фоторефрактивную восприимчивость и долговременную стабильность. Подбирайте марку под ваш уровень оптической мощности и диапазон длин волн.

Порог фоторефрактивного повреждения: стандартный CLN может искажаться при ~kW/cm² в условиях воздействия видимого света. Легирование MgO повышает порог до > MW/cm², что позволяет работать на высоких мощностях в видимом и ближнем ИК-диапазоне (например, частотно-удвоенные зеленые лазеры и OPO).

Ключевые физические параметры

Электрооптические коэффициенты: r₃₃ = 30.8 pm/V и r₁₃ = 8.6 pm/V. Пьезоэлектрическая связь: k² = 5.5% при 128° Y-X для SAW.

Показатели преломления: nₒ = 2.286 и nₑ = 2.203 @ 633nm. Диэлектрические константы: ε₃₃ = 28, ε₁₁ = 84. Температура Кюри: 1,142°C (конгруэнтный) / 1,200°C (стехиометрический).

Периодическая поляризация для применений PPLN

Периодическая полевая поляризация формирует чередующиеся доменные решётки ферроэлектрических областей в микронном масштабе, обеспечивая квазифазовое согласование (QPM) для эффективной нелинейной конверсии. Подложки PPLN поддерживают SHG, SFG/DFG, OPO и SPDC в диапазоне от видимого до среднего ИК (350nm–5,500nm). Предлагаются структуры с однодоменной (single-domain) поляризацией, а также возможность периодической поляризации для достижения требуемой эффективности преобразования.

Управление фоторефрактивными повреждениями: стандартный CLN рассчитан на умеренные оптические мощности, тогда как вариант MgO-doped (5mol%) повышает порог повреждения до > MW/cm² — оптимальный выбор для высокомощного видимого и ближнего ИК SHG, где необходимо избегать фоторефрактивной деформации. Мы помогаем вам выбрать марку, соответствующую вашему уровню мощности.

Кастомизация и варианты заказа

Кастомизация включает опцию blackened (химически восстановленную) для улучшенного отвода заряда в EO-модуляторах. Выберите нужные марки (CLN/SLN/MgO-легированный 5mol%), срезы/ориентации кристалла (например, 128° Y-X, 64° Y-X и X/Y/Z cuts) и толщину подложки (300/500/1000μm) и диаметр (3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm)) в соответствии с вашей конструкцией устройства.

Качество и поставка обеспечиваются комплексной проверкой каждой партии: XRC FWHM, оптическая спектрофотометрия, призменное сопряжение/рефрактометрия (nₒ/nₑ ±0.001), SHG mapping, AFM, доменное травление, измерение температуры Кюри и коэффициента EO (в том числе r₃₃). Упаковка — вакуумно запечатанная, в условиях Class 100, чтобы защитить качество поверхности при транспортировке.

LiNbO₃ vs LiTaO₃: ключевые различия

Выбор между LiNbO₃ и LiTaO₃ зависит от требуемых характеристик. <strong>LiNbO₃</strong> подходит для электрооптики, нелинейного преобразования частоты и высокосцепляющего (high-coupling) SAW. <strong>LiTaO₃</strong> предпочтителен для температурно-стабильных 5G SAW-фильтров и для пироэлектрического сенсинга. И LiNbO₃, и LiTaO₃ доступны у GINECHIP.

Танталат лития (LiTaO₃)

LiTaO₃ особенно хорош благодаря температурно-стабильному срезу 42° Y-X для 5G SAW-фильтров: TCF ~ -35 ppm/°C помогает сохранять характеристики при изменении температуры. Он также обеспечивает сильный пироэлектрический отклик (2.3 × 10⁻⁸ C/cm²·K) для ИК-сенсоров. Лучший выбор для температурно-критичных SAW и пироэлектрических датчиков.

TCF ~ -35 ppm/°C (42° Y-X) Пиро 2.3 × 10⁻⁸ Кл/см²·К

Технические характеристики

ПараметрСпецификация / Значения
Материал Congruent LiNbO₃ (CLN), Stoichiometric LiNbO₃ (SLN), MgO-doped (5mol%)
Диаметр 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm)
Кристаллографическая ориентация X-cut, Y-cut, Z-cut, 128° Y-X, 64° Y-X
Толщина 300μm, 500μm, 1000μm standard
Качество полировки SSP, DSP, Optical-grade CMP, Ra < 0.5nm
Электрооптический коэффициент r₃₃ = 30.8 pm/V, r₁₃ = 8.6 pm/V
Пьезоэлектрическая связь k² = 5.5% (128° Y-X for SAW)
Показатель преломления nₒ = 2.286, nₑ = 2.203 @ 633nm
Температура Кюри 1,142°C (congruent), 1,200°C (stoichiometric)
Диэлектрическая проницаемость ε₃₃ = 28, ε₁₁ = 84
Доменная структура Single-domain poled, periodic poling available
Опция чернения Chemical reduction for charge dissipation in EO modulators
Оптическое пропускание 350nm–5,500nm
Корпусировка Conductive or standard, vacuum-sealed, Class 100

Применения

〰️

Электрооптические модуляторы

Электрооптические модуляторы на ниобате лития — основа глобальных волоконно-оптических телекоммуникационных сетей. Используя линейный электрооптический эффект (Поккельса) через коэффициент r₃₃ (30,8 pm/V), интерферометры Маха–Цендера на LiNbO₃ кодируют потоки данных 100+ Gbps на лазерные несущие с полосой свыше 40 GHz. Платформы тонкоплёночного ниобата лития (TFLN) на изоляторе продвигают полосу модуляции за пределы 100 GHz для межсоединений центров обработки данных следующего поколения.

🔊

SAW- и BAW-фильтры

LiNbO₃ со срезом 128° Y-X обеспечивает высокий коэффициент электромеханической связи (k² = 5,5%) и умеренный температурный коэффициент частоты (TCF), необходимые для фильтров на поверхностных акустических волнах в RF-фронтенд-модулях 4G/5G. SAW-фильтры на LiNbO₃ обрабатывают диапазоны от 700 MHz до 2,7 GHz с крутым срезом и низкими вносимыми потерями, обеспечивая одновременную многодиапазонную работу в современных смартфонах.

🔬

Периодически поляризованный LiNbO₃ (PPLN)

Периодическая поляризация электрическим полем инвертирует ориентацию сегнетоэлектрических доменов в чередующихся микроразмерных решётках, создавая структуру с квазисинхронизмом (QPM) для эффективного нелинейного преобразования частоты. PPLN обеспечивает генерацию второй гармоники (SHG), генерацию суммарной/разностной частоты (SFG/DFG), оптическую параметрическую генерацию (OPO) и спонтанное параметрическое рассеяние (SPDC) в спектре от видимого до среднего ИК (350nm–5 500nm).

💡

Квантовая фотоника

LiNbO₃ — развивающаяся платформа для интегральной квантовой фотоники. Периодически поляризованные волноводы генерируют запутанные пары фотонов посредством SPDC с высокой яркостью и спектральной чистотой. Электрооптический эффект обеспечивает высокоскоростное (GHz) переключение и реконфигурацию квантовых схем — что критично для квантового распределения ключей (QKD), бозонного сэмплинга и архитектур линейных оптических квантовых вычислений.

📡

Интегральная фотоника (TFLN)

Тонкоплёночный ниобат лития на изоляторе (LNOI) — формируемый ионным расслоением (smart-cut) монокристаллического LiNbO₃ на подложку SiO₂/Si — позволяет создавать субмикронные оптические волноводы с очень высоким контрастом показателя преломления (Δn ≈ 0,7). Платформы TFLN обеспечивают полосы EO-модуляции свыше 100 GHz, эффективность нелинейного преобразования χ² на порядки выше объёмной и полную интеграцию фотонных схем на площади чипа.

🧪

Исследования нелинейной оптики

LiNbO₃'s exceptionally high second-order nonlinear susceptibility (d₃₃ ≈ 27 pm/V), wide transparency window, and availability in large optical-grade single crystals make it the preferred medium for university and industrial R&D in nonlinear optics, ultrafast optics, terahertz generation via optical rectification, and photorefractive holography.

Метролoгия и контроль качества

Каждая партия проверяется с помощью рентгеновской rocking curve (FWHM < 30 угл.сек), оптической спектрофотометрии (пропускание 350nm–5,500nm, > 65%), призменного рефрактометрического метода (± 0.001), картирования SHG, измерения шероховатости поверхности AFM (Ra < 0.5nm), контроля протравки доменов, измерения температуры Кюри и верификации электрооптического коэффициента (r₃₃ > 28 пм/В). Это обеспечивает стабильную работу покрытых подложек для EO, нелинейной оптики и SAW-применений.

Кривая качания рентгеновского излучения (XRC) Высокоразрешающая кривая качания XRD для отражения (006). FWHM < 30 угловых секунд подтверждает монокристаллическое качество и низкую плотность дислокаций. Необходимо для проверки качества кристалла перед изготовлением приборов.
Оптическая спектрофотометрия Измерение пропускания от 350nm до 5 500nm с помощью спектрофотометра UV-Vis-NIR. Подтверждает пропускание > 65% в видимом диапазоне и выявляет полосы поглощения от примесей или дефектов.
Рефрактометрия призменного ввода Прецизионное измерение показателей преломления обыкновенного (nₒ) и необыкновенного (nₑ) лучей на 633nm и 1550nm. Точность ±0,001; подтверждает состав кристалла и стехиометрию, поскольку показатель преломления зависит от соотношения Li/Nb.
Картирование генерации второй гармоники (SHG) Нерарушающее 2D-картирование полярности доменов и однородности нелинейного коэффициента методами полос Мейкера или конфокальной SHG-микроскопии. Выявляет границы доменов, дефекты поляризации и кристаллографические двойники, ухудшающие характеристики приборов.
AFM-шероховатость поверхности Атомно-силовая микроскопия на областях сканирования 1×1μm и 10×10μm. Оптическая CMP-поверхность гарантирует Ra < 0,5 нм для применений с низкими потерями в волноводах.
Доменное травление и оптическая микроскопия Селективное химическое травление (HF:HNO₃) выявляет границы сегнетоэлектрических доменов при микроскопии дифференциального интерференционного контраста Номарского. Используется для проверки однодоменного состояния и качества периодической поляризации в структурах PPLN.
Измерение температуры Кюри Измерение температурной зависимости диэлектрической проницаемости для подтверждения точки Кюри (1 142 °C для CLN, ~1 200 °C для SLN). Отклонение от ожидаемой Tc указывает на нестехиометрический состав.
Измерение электрооптического коэффициента Измерение r₃₃ и r₁₃ методами интерферометрии Маха–Цендера или Сенармона на 633nm. Подтверждает объёмные EO-характеристики; для подложек модуляторного класса принимается r₃₃ > 28 pm/V.

Начните сегодня

Обратитесь в GINECHIP, чтобы подобрать подложки из LiNbO₃ под ваши требования EO, SAW или нелинейной оптики, с заказными срезами, легированием и поляризацией. Помогаем согласовать ваши спецификации — от выбора материала до подтверждённых результатов метрологии.

Возможны индивидуальные спецификации Быстрое выставление КП <strong>Сертификация ISO 9001</strong> <strong>Глобальная доставка</strong>