CoPoS — чип на панели на подложке
Пакетирование на уровне панели заменяет традиционные круглые кремниевые интерпозеры квадратными стеклянными панелями, обеспечивая коэффициент использования площади 95%+ и выход 4,5× по сравнению с 12-дюймовыми пластинами.
Обзор
CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) представляет собой следующий сдвиг парадигмы в передовой упаковке — переход от круглых кремниевых интерпозеров 300 мм к большим квадратным стеклянным панелям. Заменяя круглый кремниевый интерпозер стеклянной панелью 510×515 мм, CoPoS резко увеличивает число кристаллов, интегрируемых на одной подложке, повышая коэффициент использования площади с ~70% на пластине до 95%+ на панели и обеспечивая рост удельного выхода на 4,5× на носитель.
Этот подход на уровне панели является критическим путём для AI-чипов, позволяя преодолеть ограничение размера фотошаблона 9× и интегрировать больше стеков HBM. Поскольку размеры кристаллов и требования к пропускной способности памяти AI-ускорителей продолжают расти, CoPoS обеспечивает следующее поколение сверхбольших интерпозеров, которые упаковка на уровне пластины просто не способна вместить.
Ключевые технологические особенности
Масштабирование на уровне панели
Стеклянные панели 510×515 мм заменяют кремниевые пластины 300 мм, обеспечивая в 4,5× большую площадь на носитель. Квадратный формат устраняет неэффективность потерь по краям, присущую обработке круглых пластин, открывая настоящую экономику крупносерийного производства для передовых корпусов.
Подложка со стеклянным ядром
Стекло обеспечивает превосходную размерную стабильность (CTE 3–8 ppm/K, регулируемый), почти нулевые диэлектрические потери (<0,005 @ 10GHz) и атомарную гладкость поверхности. Эти свойства делают стекло идеальной подложкой для высокоскоростных и высокоплотных межсоединений, требуемых AI/ML-чипами.
Металлизация TGV (сквозных отверстий в стекле)
Сквозные отверстия в стекле диаметром 20–50 мкм с аспектным соотношением до 6:1 обеспечивают вертикальные электрические соединения между слоями RDL. Заполненные медью TGV обеспечивают низкое сопротивление и высокую надёжность, заменяя традиционные решения на основе TSV в интерпозере.
Интеграция многослойных RDL
Слои перераспределения с малым шагом (L/S вплоть до 0,4/0,4 мкм) формируются на стеклянной панели с помощью медных дамасцен-процессов. Многочисленные слои RDL обеспечивают сложную разводку «кристалл-кристалл» для интеграции HBM, GPU и I/O-чиплетов на одной панели.
Решения GINECHIP
Полный ассортимент стеклянных подложек панельного класса, включая Borofloat 33, плавленый кварц/кварц и монокристаллический кварц, в заказных размерах панелей до 510×515 мм.
Высококачественные кремниевые пластины для осаждения затравочного слоя RDL с точным контролем толщины и шероховатостью поверхности <0,5 нм RMS для оптимальной адгезии меди.
Поставка материалов и консультации по процессам формирования и металлизации сквозных отверстий в стекле, включая осаждение барьерного/затравочного слоя и химикаты для электроосаждения меди.
Услуги CMP-полировки, тонкоплёночного осаждения и фотолитографии, адаптированные к панельным форматам, с использованием нашего опыта в обработке крупноформатных подложек.
Целевые применения
CoPoS разработан для AI/ML-ускорителей, процессоров высокопроизводительных вычислений (HPC) и сетевых чипов нового поколения, которым требуются сверхбольшие интерпозеры, превышающие размер фотошаблона 9×. Технология также применяется для передовых 2.5D-корпусов, объединяющих несколько стеков HBM с крупными логическими кристаллами, где панельный формат даёт естественное преимущество по производительности и стоимости.
Начните разработку CoPoS
Оцениваете ли вы пакетирование на уровне панели или масштабируетесь до серийного производства, GINECHIP обладает стеклянными подложками, материалами и экспертизой в обработке для поддержки вашей дорожной карты CoPoS.