CoPoS — צ'יפ על פאנל על מצע
אריזה ברמת פאנל מחליפה אינטרפוזרים סיליקון עגולים מסורתיים בפאנלים מרובעים מזכוכית, ומשיגה ניצול שטח של 95%+ ותפוקה של 4.5× מזו של פרוסות 12 אינץ'.
סקירה כללית
CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) מייצג את שינוי הפרדיגמה הבא באריזה מתקדמת, במעבר מאינטרפוזרים סיליקון עגולים של 300 מ"מ לפאנלים מרובעים גדולים מזכוכית. על ידי החלפת האינטרפוזר הסיליקון העגול בפאנל זכוכית בגודל 510×515 מ"מ, CoPoS מגדיל באופן דרמטי את מספר השבבים שניתן לשלב בכל מצע, ומעלה את ניצול השטח מכ-70% בפרוסה ל-95%+ בפאנל, תוך השגת עלייה של 4.5× בתפוקה ליחידה לכל נשא.
גישה זו ברמת פאנל היא המסלול הקריטי עבור שבבי AI לפרוץ את מגבלת גודל הרטיקל של 9× ולשלב יותר מגדלי HBM. ככל שמאיצי AI ממשיכים לגדול בגודל השבב ובדרישות רוחב הפס של הזיכרון, CoPoS מאפשר את הדור הבא של אינטרפוזרים ענקיים שאריזה ברמת פרוסה פשוט אינה יכולה להכיל.
מאפיינים טכנולוגיים עיקריים
סקיילינג ברמת פאנל
פאנלים מזכוכית בגודל 510×515 מ"מ מחליפים פרוסות סיליקון של 300 מ"מ, ומספקים 4.5× יותר שטח לכל נשא. הפורמט המרובע מבטל את חוסר היעילות של אובדן שוליים הטבועה בעיבוד פרוסות עגולות, ומאפשר כלכלת ייצור בהיקף גבוה אמיתית עבור אריזות מתקדמות.
מצע ליבת זכוכית
זכוכית מציעה יציבות ממדית מעולה (CTE 3–8 ppm/K, ניתן לכוונון), אובדן דיאלקטרי כמעט אפסי (<0.005 @ 10GHz) והחלקה משטחית ברמה אטומית. תכונות אלו הופכות את הזכוכית למצע האידיאלי לחיבורים מהירים ובעלי צפיפות גבוהה הנדרשים על ידי שבבי AI/ML.
מטליזציית TGV (ויה דרך זכוכית)
ויאות דרך זכוכית בקוטר 20–50 מיקרומטר ויחסי גובה-רוחב של עד 6:1 מספקות את החיבורים החשמליים האנכיים בין שכבות RDL. TGV מלאות נחושת משיגות התנגדות נמוכה ואמינות גבוהה, ומחליפות את גישות ה-TSV המסורתיות באינטרפוזר.
אינטגרציית RDL רב-שכבתית
שכבות חלוקה מחדש (RDL) בעל פיץ' עדין (L/S עד 0.4/0.4μm) נבנות על פאנל הזכוכית בתהליכי דמשק נחושת. שכבות RDL מרובות מאפשרות ניתוב מורכב בין שבבים לשילוב HBM, GPU וצ'יפלט I/O על פאנל בודד.
פתרונות GINECHIP
מגוון מלא של מצעי זכוכית בדרגת פאנל, כולל Borofloat 33, סיליקה מותכת/קוורץ וקוורץ חד-גבישי, הזמינים בגדלים מותאמים אישית של פאנל עד 510×515 מ"מ.
פרוסות סיליקון באיכות גבוהה להפקדת שכבת זרע RDL, עם בקרת עובי מדויקת וחספוס פני שטח <0.5nm RMS לאחיזה מיטבית של נחושת.
אספקת חומרים וייעוץ תהליכי ליצירה ומטליזציה של ויאות דרך זכוכית, כולל הפקדת שכבת מחסום/זרע וכימיקלים לציפוי נחושת אלקטרוליטי.
שירותי ליטוש CMP, הפקדת שכבות דקות ופוטוליתוגרפיה המותאמים לפורמטים של פאנל, תוך ניצול המומחיות שלנו בעיבוד מצעים בגדלים גדולים.
יישומי יעד
CoPoS מיועד למאיצי AI/ML, מעבדי מחשוב עתיר ביצועים (HPC) ושבבי רשתות מהדור הבא הדורשים אינטרפוזרים ענקיים מעבר לגודל רטיקל של 9×. הטכנולוגיה מאומצת גם עבור אריזות 2.5D מתקדמות המשלבות מספר מגדלי HBM עם שבבי לוגיקה גדולים, שבהן פורמט הפאנל מספק יתרון טבעי בתפוקה ובעלות.
התחילו את פיתוח ה-CoPoS שלכם
בין אם אתם בוחנים אריזה ברמת פאנל ובין אם אתם מתרחבים לייצור, ל-GINECHIP יש מצעי הזכוכית, החומרים והמומחיות בעיבוד כדי לתמוך במפת הדרכים שלכם ל-CoPoS.