מצעים
תהליכי MEMS
עיבוד מחדש
אביזרים
משאבים
חברה
חנות
310mm × 310mm פורמט פאנל
~96,100 mm² Usable Area (vs. ~70,700 mm² for Ø300mm)
13–15 TB/s רוחב פס זיכרון שיא
2028 יעד מסחור
הזמן אונליין — עיין בקטגוריה זו ב חנות
עיין בחנות

TSMC CoPoS — המהפכה מעגול למרובע

ביוני 2026, TSMC קבעה רשמית את 310 מ"מ × 310 מ"מ כתקן הדור הראשון לפלטפורמת האריזה המתקדמת CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) שלה — היורשת ברמת הפאנל של CoWoS. החלטה זו מסמנת את המעבר החד של תעשיית המוליכים למחצה מפרוסות סיליקון עגולות למצעי פאנל מרובעים — שינוי בעל משמעות דומה למעבר מפרוסות 200 מ"מ ל-300 מ"מ לפני שני עשורים.

CoPoS מחליף את האינטרפוזר הסיליקוני העגול של CoWoS בפאנל מרובע המספק כ-36% יותר שטח שמיש (96,100 מ"מ² לעומת ~70,700 מ"מ² עבור Ø300 מ"מ), מבטל את הפסולת ההיקפית האופיינית למצעים עגולים, ומאפשר פריסות שבב מלבניות שאינן אפשריות על פרוסות עגולות. מידת 310 מ"מ נבחרה במכוון כגודל המקסימלי התואם לציוד 300 מ"מ קיים, ודורשת התאמות קלות בלבד — פשרה אסטרטגית הנמנעת מעלויות הסבה של מיליארדי דולרים הכרוכות בשינוי מלא של גורם הצורה [$TRAE_REF](https://www.eet-china.com/mp/a504760.html).

TSMC אישרה ש-NVIDIA תהיה לקוח ההשקה של CoPoS. פאנל בודד בגודל 310×310 מ"מ מכיל 4 שבבי GPU מדרגת NVIDIA Rubin בתוספת ערימות HBM4/HBM4E, ומספק רוחב פס זיכרון שיא תיאורטי של 13–15 TB/s — פי 3 בערך מהתפוקה של מארזי CoWoS-L הנוכחיים [$TRAE_REF](https://www.eet-china.com/mp/a504760.html).

מדוע 310×310 מ"מ? נקודת האיזון של תאימות הציוד

TSMC בחנה מספר מידות פאנל — 310×310 מ"מ, 510×515 מ"מ ו-600×600 מ"מ — לפני שהתקבעה על הקטנה ביותר. הנימוק פרגמטי: כל כלי 300 מ"מ קיים (סטיפרים לליתוגרפיה, מכונות ליטוש CMP, תאי PVD/CVD, תחנות מדידה) יכול להיות מותאם לפאנלים 310×310 מ"מ באמצעות קונפיגורציית תוכנה ושינויים קלים בצ'אק. פורמטים גדולים יותר יחייבו מערכות אקולוגיות של ציוד חדש לחלוטין עם מחזורי הסמכה בני עשור [$TRAE_REF](https://www.trendforce.com/news/2026/05/19/news-equipment-maker-schmid-flags-tsmc-panel-level-packaging-push-310x310mm-progress-glass-integration-under-review/).

510×515

TSMC CoPoS דור 2 — נדרש ציוד חדש. 9 רטיקלים, 36 ערימות HBM4E, ~30 TB/s. יעד: הדגמה ב-2028 → ייצור לאחר 2030.

~262,650 mm² 30 TB/s

600×600

אופק התעשייה — Samsung, Intel, SCHMID בוחנים. גישת "ליבת זכוכית תחילה". יעד: לאחר 2030 עבור אשכולות אימון AI בקנה מידה עצום.

360,000 mm² דור עתידי

ארכיטקטורת CoPoS — סנדוויץ' תלת-שכבתי עם ליבת זכוכית

ה-CoPoS של TSMC משתמש במבנה סנדוויץ' תלת-שכבתי השונה מהותית ממחסנית המצע האורגני + האינטרפוזר הסיליקוני ב-CoWoS. החדשנות המכרעת היא החלפת האינטרפוזר הסיליקוני בליבת זכוכית בעלת שטיחות גבוהה הכוללת דרך-זכוכית (TGV) לחיבורים אנכיים ולניהול תרמי [$TRAE_REF](https://www.eet-china.com/mp/a504760.html).

1
שכבת ABF עליונה

שכבת שרף Ajinomoto Build-up Film (ABF). שבבים (GPU, ערימות HBM) מולחמים בשיטת flip-chip ישירות על משטח זה באמצעות microbumps. מספק גמישות מכנית ובידוד חשמלי.

2
RDL (שכבת חלוקה מחדש)

חיבורי Cu damascene רב-שכבתיים המפזרים את כניסות/יציאות השבב על פני כל שטח הפאנל 310×310 מ"מ. קו/מרווח עד 1/1μm (בעתיד: 0.5/0.5μm).

3
ליבת זכוכית (עם TGV)

מצע זכוכית בשטיחות גבוהה (400–800μm) עם דרך-זכוכית (TGV) לחיבורים אנכיים. אי-התאמת CTE כמעט אפסית עם סיליקון. מוליכות תרמית עדיפה לעומת מצעים אורגניים. מחליף את האינטרפוזר הסיליקוני המסורתי.

4
שכבת ABF תחתונה

בניית ABF סימטרית בצד האחורי לאיזון עיוות. מספק חיבור ברמה שנייה ללוח המערכת (מערך פדים BGA/LGA).

מפרטים טכניים — מצע מרובע 310×310 מ"מ

פרמטרמפרט
פורמט 310mm × 310mm square panel (first-generation CoPoS standard)
חומר Single-crystal silicon (monocrystalline), CZ-grown 18″-equivalent ingot
אלכסון ~438mm (≈ 17.2″); requires 18″ crystal pulling capability
עובי Substrate dependent: Si interposer 100–200μm; glass core 400–800μm
גימור פני שטח CMP-polished (SSP/DSP); Ra < 0.5nm RMS — epi-ready optional
TTV ≤ 2μm across full 310mm square (tight spec for panel-level lithography)
קשת / עיוות ≤ 75μm total after Si₃N₄ stress compensation (TSMC low-gradient bonding process)
אחידות CMP ±3% within-panel via 128-zone dynamic pressure control (TSMC proprietary)
גימור קצה Ground & chamfered 4-edge profile; compatible with panel-handling EFEM
כיווניות גביש 〈100〉 standard; 〈111〉 on request; off-cut ±0.5° available
סוג מסמם P-type (Boron) / N-type (Phosphorus, Arsenic) / Intrinsic (FZ)
התנגדות סגולית 0.001 – 10,000 Ω·cm (application-dependent)
אריזה Class 100 cleanroom vacuum-sealed cassette or single-panel shippers
תאימות לתקנים SEMI M1–M13, ISO 9001:2015, RoHS, REACH

אתגרים טכניים מרכזיים והפתרונות של TSMC

⚖️

אחידות CMP על פני פאנל 310 מ"מ

קריטי

בעיה: מעבר מ-Ø300 מ"מ עגול ל-310×310 מ"מ מרובע גורם לירידת אחידות זרימת הסלאש מ-±2% ל-±15%, ויוצר שונות בעובי חיבורי Cu של >50nm.

הפתרון של TSMC: מערכת בקרת לחץ דינמית רב-אזורית עם 128 מפעילי לחץ בלתי תלויים המפצים על הטופוגרפיה של המצע בזמן אמת. משיגה אחידות CMP של ±3% בתוך הפאנל — קרוב לרמות של פרוסה עגולה [$TRAE_REF](https://www.eet-china.com/mp/a504760.html).

🌡️

עיוות במהלך חיבור תרמו-לחיצה

קריטי

בעיה: התפשטות תרמית דיפרנציאלית בין ליבת זכוכית 310 מ"מ לאינטרפוזר הסיליקוני יוצרת קשת של עד 500μm במהלך חיבור תרמו-לחיצה סטנדרטי של 15°C/דקה.

הפתרון של TSMC: חיבור בגרדיאנט טמפרטורה נמוכה — קצב העלייה הופחת ל-5°C/דקה עם שכבת פיצוי מאמץ Si₃N₄ נוספת. סך העיוות הוקטן ל-≤75μm. התפוקה השתפרה מ-32% (2024) ל-68% (2026) [$TRAE_REF](https://www.eet-china.com/mp/a504760.html).

מיציק ועד פאנל 310×310 — תהליך חיתוך הפרוסות

1
משיכת גביש 18″ (שיטת CZ) האלכסון של הפאנל המרובע, 438 מ"מ, עולה על 17″, ומחייב יכולת גידול גביש של ≥18″ (450 מ"מ). מטיל הסיליקון החד-גבישי נמשך בכיווניות 〈100〉 מדויקת ובתכולת חמצן/פחמן מבוקרת לפי מפרטי SEMI M1.
2
ליטוש גלילי והפיכה למרובע הבול הגלילי נטחן ביהלום למנסרה מרובעת בחתך 310 מ"מ × 310 מ"מ. כיוון הקצה מיושר ל-〈110〉 flat כהתייחסות קריסטלוגרפית.
3
ניסור יהלום רב-חוטי הגוש המרובע נחתך לפאנלים בודדים בגודל 310×310 מ"מ באמצעות מסור יהלום רב-חוטי. בקרת עובי: ±10μm לפאנל. אובדן החיתוך (kerf) מותאם לעלות — קריטי לנוכח העלות הגבוהה של מוטות 18″.
4
ליטוש קצה ועיבוד שיפוע כל ארבעת הקצוות מלוטשים בדיוק עם פרופיל שיפוע 45° כדי למנוע שבבים במהלך טיפול אוטומטי. אזור החרגת קצה: ≤3 מ"מ מהיקף הפאנל.
5
ליטוש גס, השחזה ו-CMP ליטוש גס דו-צדדי עוקב, השחזה עדינה ו-CMP מספקים TTV של ≤2μm וחספוס פני שטח < 0.5nm RMS על פני כל שטח 310×310mm. בקרת אחידות CMP ב-128 אזורים פעילה בשלב הליטוש הסופי.
6
ניקוי RCA, מטרולוגיה ואריזה ניקוי SC-1/SC-2 (Class 100), סריקת התנגדות/FTIR/AFM/חלקיקי שטח בנקודות מרובות, אימות מידות ב-CMM. מכלי הובלה ואקום לפאנל בודד או אריזת קסטה עם מילוי N₂.

שרשרת אספקה — ספקי פרוסות מרובעות ל-CoPoS

נכון לאמצע 2026, שלושה יצרני פרוסות סיליקון גדולים אישרו פומבית אספקת מצעים מרובעים 310×310 מ"מ ל-TSMC לצורך הסמכת CoPoS [$TRAE_REF](https://www.eet-china.com/mp/a504760.html):

🇹🇼

GlobalWafers (环球晶圆)

שינצ'ו, טייוואן

יצרנית פרוסות הסיליקון השלישית בגודלה בעולם. אישרה פרוסות סיליקון חד-גבישיות מרובעות 310×310 מ"מ בהסמכה בהיקף קטן (אסיפת בעלי מניות, מאי 2026). בונה חדר נקי להרחבת ייצור המוני ברבעון הרביעי של 2026. יושבת הראש דוריס שו ציינה: "קיבולת שלב ראשון ~אלפי פרוסות בחודש; שטח חדר נקי שמור להרחבה מודולרית כאשר הביקוש יתממש."

ספק מדרג 1
🇨🇳

Shanghai ChaoSilicon (上海超硅)

שנגחאי, סין

במאי 2026 הודיעה על אספקה סדרתית של פרוסות סיליקון מרובעות ללקוח גדול עבור אריזת CoPoS של שבבי AI HPC. הספקית הסינית הראשונה של סיליקון האישרה פומבית יכולת פרוסות מרובעות. ייצור במפעל בשנגחאי בעל יכולת 300 מ"מ.

ספק מוסמך
🇹🇼

Hejing Technology (合晶科技)

טאויואן, טייוואן

אישרה השלמת דגימת פרוסות מרובעות ללקוח היציקה המוביל עם "התקדמות חלקה בצד הלקוח" (United Daily News, יוני 2026). ספקית ותיקה של פרוסות אפיטקסיאליות ל-TSMC עם תאימות תהליכים קיימת.

ספק מוסמך

ציר זמן — מפת הדרכים של TSMC CoPoS

2024
TSMC CoPoS concept disclosed; early prototyping at 32% yield. 510×515mm rectangular substrates trialed with Nikkei Asia report.
2025
RECTangular panel format emerges as industry direction. SCHMID Group confirms TSMC advancing 310×310mm. GlobalWafers begins small-volume validation.
2026
CoPoS pilot line completion (June). GlobalWafers, Shanghai ChaoSilicon, and Hejing Technology deliver first square wafers. Yield reaches 68%. Equipment ecosystem standardizes on 310×310mm.
2027
Pilot line ramp and process maturation. Target: ≥80% yield for commercial viability. Customer qualification with lead partner (NVIDIA).
2028
Commercial volume production begins. Next-gen 515×510mm CoPoS demonstrated (9-reticle, 36 HBM stacks).
2029
High-volume manufacturing (HVM). TSMC Arizona fab begins CoPoS responsibility. 515×510mm early qualification.
2030
Full glass-core CoPoS (with TGV) enters production. Single panel integrates multiple logic dies + HBM stacks at 30 TB/s bandwidth.

לספק פרוסות סיליקון מרובעות 310×310 מ"מ עבור CoPoS?

GINECHIP מסמיכה באופן פעיל מצעי סיליקון חד-גבישיים מרובעים 310×310 מ"מ עבור שרשראות האספקה של אריזת פאנלים מסוג TSMC CoPoS. צרו קשר עם צוות הנדסת המצעים שלנו עם דרישות המפרט שלכם — אורך צלע, עובי, TTV, גימור פני שטח ונפח — לקבלת הצעת מחיר מפורטת ולוח זמנים לדגימה.

ISO 9001:2015 SEMI M1–M13 פורמט פאנל CoPoS RoHS / REACH