אריזת 3D ו-HBM
ערימה אנכית של שבבים באמצעות מעברים דרך סיליקון — HBM4 מערימה יותר מ-16 שכבות DRAM לרוחב פס של 1.6 TB/s, ומאפשרת פריצת דרך של קיר הזיכרון עבור מאיצי בינה מלאכותית מהדור הבא.
סקירה כללית
אריזת 3D היא הפתרון האולטימטיבי לקיר הזיכרון — הפער ההולך וגדל בין ביצועי הלוגיקה לרוחב הפס של הזיכרון. על ידי ערימה אנכית של שבבי DRAM וחיבורם באמצעות מעברים דרך סיליקון (TSV), זיכרון רוחב-פס גבוה (HBM) מספק רוחב פס גדול בסדרי גודל מזה של ממשקי DDR מסורתיים, תוך צריכת הספק נמוכה משמעותית לכל סיבית. HBM4, תקן הדור הבא, דוחף זאת ליותר מ-16 שכבות עם רוחב פס של 1.6 TB/s לכל ערימה.
תהליך האינטגרציה התלת-ממדית כולל מספר שלבים קריטיים: יצירת TSV דרך כל שבב DRAM, דילול פרוסה ל-<50μm כדי למזער את גובה הערימה, יצירת מיקרו-באמפים לחיבורים בין שבבים, והלחמה תרמית בלחיצה להרכבת הערימה. GINECHIP מספקת חומרים, פרוסות ושירותי עיבוד התומכים בכל שלב בזרימת האינטגרציה התלת-ממדית, מתצרובת TSV ועד להרכבה הסופית של הערימה.
מאפייני טכנולוגיה עיקריים
ערימה אנכית של שבבים
HBM מערימה 4 עד יותר מ-16 שבבי DRAM אנכית, המחוברים באמצעות TSV ו-μ-bump. הטופולוגיה האנכית ממזערת את אורך החיבורים, מפחיתה השהיה והספק תוך מקסום צפיפות רוחב הפס. כל שכבה נוספת מוסיפה ערוץ נוסף של רוחב פס זיכרון.
טכנולוגיית TSV (מעבר דרך סיליקון)
TSV בקוטר של 5μm בלבד ובעומק 50μm מספקים את החיבורים האנכיים דרך כל שבב DRAM. תהליך ה-TSV דורש תצרובת סיליקון עמוקה, פסיבציה של דפנות, השקעת שכבת מחסום/זרע וציפוי נחושת אלקטרוליטי — כולם שירותים ש-GINECHIP תומכת בהם.
עיבוד פרוסות דקות במיוחד
כל שבב DRAM בערימת HBM מדולל ל-<50μm כדי למזער את גובה הערימה הכולל. תהליך השחזה Taiko של GINECHIP משיג זאת במינימום שבבי קצה ועיוות, ושירותי ההדבקה/הפרדה הזמנית שלנו מאפשרים טיפול בטוח בפרוסות הדקות והשבריריות.
חיבורי μ-bump
מיקרו-באמפים עם מרווח של עד 10–40μm מחברים את השבבים המעורמים. אלה דורשים מטליזציה מדויקת מתחת לבאמפ (UBM), יצירת באמפים ותהליכי ריתוך חוזר. GINECHIP מספקת את חומרי ה-UBM ושירותי באמפינג על פרוסות לייצור μ-bump.
פתרונות GINECHIP
פרוסות סיליקון המותאמות לעיבוד TSV, עם בקרת עובי מדויקת, TTV נמוך והתנגדות סגולית המותאמת לסכמת אינטגרציית ה-TSV שלכם (via-first, via-middle או via-last).
פרוסות שנשחזו בשיטת Taiko בעובי <50μm, עם מינימום שבבי קצה ועיוות מבוקר. מתאימות להדבקה/הפרדה זמנית עבור תהליכי ערימה תלת-ממדית.
פרוסות דמי ופרוסות לבדיקה מכנית לפיתוח תהליכים, ופרוסות נשא להדבקה זמנית בזמן טיפול בפרוסות דקות. זמינות בכל הקטרים והעוביים הסטנדרטיים.
פרוסות ממוחזרות חסכוניות לפיתוח ולבדיקת תהליכי 3D, העומדות באותן מפרטי איכות כמו פרוסות ראשוניות. אידיאליות להסמכת תהליך TSV ולניסויי הרכבת ערימות.
יישומי יעד
HBM משמש במאיצי AI/ML (NVIDIA H100/H200/B200, AMD MI300X), מעבדי HPC, FPGA מתקדמים ו-ASIC לרשתות. ערימה תלת-ממדית מיושמת גם בחיישני תמונה CMOS, זיכרון פלאש 3D NAND ויישומים מתפתחים כמו לוגיקה בערימה תלת-ממדית (Intel Foveros, TSMC SoIC) ואינטגרציה הטרוגנית עבור SoC לנייד.
הרחיבו את האינטגרציה התלת-ממדית שלכם
מפרוסות TSV ומצעים דקים במיוחד ועד פרוסות דמי ופרוסות נשא, GINECHIP מספקת את מכלול החומרים המלא לפיתוח אריזת ה-3D וה-HBM שלכם.