מצעים
תהליכי MEMS
עיבוד מחדש
אביזרים
משאבים
חברה
חנות
2″ – 8″ קוטר
C / R / A / M-plane אוריינטציית גביש
9 בסולם מוס קשיות
2,040°C נקודת התכה
פרוסות ספיר במלאי — עיינו כעת בקטרים 2″–8″ ובאוריינטציות המישורים. המקוונת שלנו
קנה עכשיו

סקירה כללית

פרוסות ספיר עשויות ממבנה חד-גבישי של α-Al₂O₃. עם קשיות 9 Mohs, נקודת התכה של 2,040°C וטווח הולכה רחב 150nm–5,500nm, הן מתאימות במיוחד ל<strong>אפיטקסיה</strong> ולשימושים אופטיים.

בחרו פרוסות ספיר בקוטר 2″–8″ עם מישורי C/R/A/M ו‑miscut ±0.2° סטנדרט / ±0.05° דיוק. EPD < 5 × 10³/cm² ואריזת Class 100 תומכות בעיבוד להניביות גבוהה.

<strong>Epi-Ready</strong> CMP RMS < 2Å עם <strong>EPD</strong> < 5 × 10³/cm² — מוכן לאפיטקסיית GaN LED.

שיטות לגידול גבישים

השוו בין מסלולי הגידול KY, EFG ו-HEM עבור גבישי יחיד של ספיר α-Al₂O₃. KY מספק את ה-EPD הנמוך ביותר עם הכיוון הטוב ביותר C(0001) ותומך בקטרים גדולים במיוחד של אינגוטים; לכן זהו בחירה מועדפת עבור פרוסות ספיר באיכות גבוהה המתאימות לאפיטקסיה. EFG מציע תפוקה גבוהה עם גידול יעיל בעלות לפי הזנה באמצעות סרט, ומתאים לכיוונים R(1-102)/A(11-20). HEM מאפשר גידול של אינגוטים כבדים מאוד עם צפיפות פגמים נמוכה במיוחד, ומתאים במיוחד לדרישות של דרגת אופטי או יישומי לייזר בעלי ביצועים גבוהים.

Kyropoulos (KY)

Kyropoulos (KY)

הכי מתאים לאפיטקסיית C-plane

קוטר בולה Up to 300mm
EPD < 5 × 10³/cm²
אוריינטציה מיטבית C-plane (0001)
עלות $ – $$

שיטת KY מגדלת אינגוטים גדולים במיוחד באיכות גבוהה עם ה-EPD הנמוך ביותר, ולכן היא אידיאלית לאפיטקסיית C-plane עבור LED.

Edge-Defined Film-Fed (EFG)

Edge-Defined Film-Fed (EFG)

R/A-plane חסכוני בעלות

רוחב טיפוסי Up to 150mm ribbon
EPD < 1 × 10⁴/cm²
אוריינטציה מיטבית R-plane, A-plane
עלות $$

גידול רצועתי ב-EFG מאזֵן בין עלות נמוכה לתפוקה גבוהה, ומתאים לדרישות חומר עבור מישורי R/A.

Heat Exchanger Method (HEM)

Heat Exchanger Method (HEM)

ה-EPD הנמוך ביותר, דרגת אופטי

משקל בולה Up to 200 kg
EPD < 10³/cm²
מתאים במיוחד ל Optics, Armor, Lasers
עלות $$$

HEM מאפשר לגדל אינגוטים כבדים במיוחד עם צפיפות פגמים נמוכה מאוד, המתאימים ליישומי אופטיקה ולייזר.

כיווני גביש

בחרו את המישור המתאים בספיר כדי לשלוט באיכות האפיטקסיה ובביצועי המכשיר. אוריינטציות גביש שונות מתאימות תכונות פני שטח ליישומים ייעודיים.

מישור C (0001)

מישור C הוא האוריינטציה הסטנדרטית לאפיטקסיית GaN/InGaN על ספיר. לרוב יש לו אנרגיית פני שטח נמוכה, מה שתומך ב-LEDים ובמכשירי הספק בעלי ביצועים גבוהים.

שימוש עיקרי תקן אפיטקסיה

מישור A (11-20)

מישור A הוא משטח לא-קוטבי, שמפחית את אפקט שטארק המוגבל קוונטית. מתאים ל-LEDים לא-קוטביים ולדיודות לייזר שדורשות יעילות אופטית משופרת.

שימוש עיקרי לא-קוטבי

מצעי ספיר מעוצבים (PSS)

PSS משפר את יעילות חילוץ האור של נוריות GaN באמצעות חריטה של תבניות מיקרו בצורת חרוט/פירמידה על פני ספיר במישור C.

צפיפות התבנית, העומק וזווית דפנות הצד נשלטות בדיוק, ותומכות במידות 2"–8" תוך מימוש משטח Epi-Ready לצמיחת אפיטקסיה בייצור המוני.

GINECHIP מציעה עיצובים סטנדרטיים ומותאמים אישית לתבניות PSS בשילוב עם <strong>Epi-Ready</strong> משטח RMS < 2Å.

סיליקון על ספיר (SOS)

SOS יוצר שכבות דקות של סיליקון הטרו-אפיטקסיאלי על ספיר במישור R, כאשר המצע המבודד מאפשר קיבול טפילי נמוך.

מתאים למעגלים משולבים RF, למכשירים עמידים לקרינה ול-MEMS בטמפרטורה גבוהה; הפער הפס הרחב של 9.9 eV מספק בידוד חשמלי מעולה.

מפרט טכני

פרמטרטווח / ערכים זמינים
חומר Single-crystal α-Al₂O₃ (Sapphire), various grades
כיווניות גביש C-plane (0001), R-plane (1-102), A-plane (11-20), M-plane (10-10)
קוטר 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm), 8″ (200mm)
עובי 330μm, 430μm, 650μm, 1,000μm standard
ליטוש פני שטח SSP, DSP, Epi-Ready CMP, RMS < 2Å
TTV ≤ 5μm
קשת / עיוות Bow ≤ 10μm, Warp ≤ 15μm for 4″ diameter
EPD (צפיפות בורות איכול) < 5 × 10³/cm²
קשיחות 9 Mohs, 2,000 kg/mm² Knoop
מוליכות תרמית 40 W/m·K @ 300K
CTE 5.0–6.6 × 10⁻⁶/K (anisotropic, orientation-dependent)
נקודת התכה 2,040°C
פער אנרגיה 9.9 eV (wide-bandgap optical insulator)
מקדם שבירה nₒ = 1.768, nₑ = 1.760 @ 633nm
טווח העברה 150nm–5,500nm (UV-grade: 85% @ 250nm)
סבילות מיסקאט ±0.2° standard, ±0.05° precision
אריזה Class 100 cleanroom, vacuum-sealed single-wafer cassette

יישומים אופייניים

💡

אפיטקסיית LED

משטח Epi-Ready במישור C עם RMS <2Å לגידול אפיטקסיאלי של GaN/InGaN ל-LED.

🔴

דיודות לייזר

מצעים במישורי A/C עם רמת פגמים נמוכה לאפיטקסיית דיודות לייזר כחול/סגול.

📡

סיליקון על ספיר

מצעים לאפיטקסיה הטרוגנית במישור R עבור מעגלים משולבים בתחום ה-RF ועמידי קרינה.

🔬

מצעי ספיר פטורניים

מיקרו-תבניות במישור C לשיפור יעילות חילוץ האור ב-GaN LED.

⏱️

RF ומיקרוגל

הפסדים דיאלקטריים נמוכים ופס-אנרגיה רחב 9.9 eV עבור התקנים בתדר גבוה.

🛡️

חלונות אופטיים

העברה רחבת סרט 150nm–5,500nm לחלונות אופטיים ולרכיבי לייזר.

מטרולוגיה ובקרת איכות

כל פרוסת ספיר נבדקת בנפרד. לכל משלוח מצורף דוח מטרולוגיה מלא לאימות שניתן לעקוב אחריו ומוכן לשימוש.

קריסטליניות XRD מאמת איכות של חד-גביש וכיווניות הגביש.
חספוס פני שטח ב-AFM משטח CMP מוכן לאפיטקסיה עם RMS קטן מ-2Å.
צפיפות דיסלוקציות EPD צפיפות בורות חריטה קטנה מ-5 × 10³ לסמ״ר.
שטיחות ו-TTV TTV קטן או שווה ל-5μm, קימור (bow) קטן או שווה ל-10μm, עיוות (warp) קטן או שווה ל-15μm.
שידור UV-Vis-NIR ספקטרום שידור בטווח 150nm–5,500nm.
כיווניות בקרינת X מאשר מישור C(0001)/R(1-102)/A(11-20)/M(10-10) וסטיית miscut של ± 0.2°.
ספירת חלקיקים אריזה מבוקרת חלקיקים בחדר נקי Class 100.
מקדם שבירה n₀ = 1.768, nₑ = 1.760 @ 633nm.

בקש הצעת מחיר לפרוסות ספיר

שלחו לצוות ההנדסה את הדרישות האישיות שלכם, כולל כיוון הגביש, קוטר, עובי, זווית ה-miscut וגימור ליטוש פני השטח, לקבלת הצעת מחיר מהירה.

ISO 9001:2015 SEMI MF1530 ASTM F47 (EPD) SEMI MF1810