פרוסות גרמניום
GINECHIP מספקת פרוסות גרמניום בקטרים 50–200 mm עם דופינג מבוקר (סוג N Sb, סוג P Ga, אינטרינזי), משטחי Epi-Ready ו-EPD נמוך עבור אופטיקה אינפרא-אדומה, פוטו-וולטאיקה ואלקטרוניקה מהירה.
סקירה כללית של מצעי גרמניום
גרמניום (Ge) הוא מוליך למחצה מקבוצה IV עם פער אנרגיה עקיף של 0.66 eV וניידות אלקטרונים גבוהה של 3,900 ס״מ²/V·s, מה שהופך אותו לאידיאלי עבור אופטיקה באינפרא אדום ואלקטרוניקה מהירה.
בחרו ממדגמי N-type (Sb), P-type (Ga) או Intrinsic (ללא דופינג) בקטרים של 50–200 מ״מ, אוריינטציות (100), (111) ו-(110), וגימורי פני שטח מ-SSP/DSP עד Epi-Ready עם RMS <2Å.
טהרת 5N+, EPD < 5×10³/ס״מ², ו משטחי Epi-Ready עבור יישומי IR חודרניים ואפיטקסיה.
שיטות גידול גביש
אנו מגדלים גרמניום באמצעות טכניקות Czochralski (CZ) ו-VGF כדי לתמוך בדרישות שונות לאיכות הגביש, קוטר ויעילות הייצור.
צ'וקרלסקי (CZ)
גידול בשיטת CZ הוא הסטנדרט לייצור גרמניום בנפחים גבוהים, ומספק מטילי בקוטר גדול עד 200 מ״מ עם דופינג אחיד ואיכות יציבה עבור אופטיקה ואלקטרוניקה.
גידול VGF
VGF (Vertical Gradient Freeze) מציעה צפיפות דיסלוקציות נמוכה יותר והומוגניות משופרת עבור מצעיים ייעודיים המשמשים באפיטקסיה וביישומי ביצועים גבוהים.
העברת אינפרא אדום
גרמניום מעביר קרינה בטווח רחב של 2–14 μm עם מקדם שבירה של כ־4.0, מה שהופך אותו לאחד החומרים הנפוצים ביותר לאופטיקה אינפרא אדום.
אינדקס גבוה ופיזור נמוך מאפשרים עיצוב עדשות קומפקטיות לצילום תרמי, מערכות FLIR ואופטיקת לייזר CO₂ ב־10.6 μm.
- חלון העברה 2–14 μm המכסה את פסי MWIR ו‑LWIR.
- אינדקס גבוה (n ≈ 4.0) מאפשר מערכות אופטיות קומפקטיות ויעילות במיוחד.
- ~47% העברה דו-פנים, מוגבלת רק על ידי השתקפות פרנל (ללא ציפוי).
- זמינות ציפויי AR (כולל DLC) לשיפור ההעברה והעמידות.
העברת IR לפי טווח אורך גל
| טווח אורכי גל | העברה | תחום |
|---|---|---|
| 2.0 – 3.0 μm | ~47% (two-surface reflection limited) | אורך-גל בינוני (קצר) |
| 3.0 – 5.0 μm | ~47% (intrinsic transparency) | חלון אורך-גל בינוני |
| 8.0 – 12.0 μm | ~47% (intrinsic transparency) | חלון אורך-גל ארוך |
| 10.6 μm | ~47% (CO₂ laser line) | קו לייזר CO₂ |
| 12.0 – 14.0 μm | > 40% (multiphonon edge begins) | אורך-גל ארוך מורחב |
הערכים אופייניים לפרוסות לא מצופות מלוטשות משני הצדדים; אופטיקה עם ציפוי AR יכולה להגיע ליותר מ-97% העברה.
תאי שמש ופוטו-וולטאיקה
גרמניום הוא חומר הבסיס המועדף עבור תאי שמש רב-צמתי III-V, עם פער אנרגיה של 0.66 eV שמשלים את צמתי GaAs ו-InGaP כדי להשיג את יעילות ההמרה המקסימלית.
גרמניום בדרגת חלל מספק את ה-EPD הנמוך, את ההתמצאות המדויקת ואת היציבות התרמית הנדרשות למערכות אספקת החשמל של לוויינים.
פרוסות גרמניום תומכות גם בפוטו־וולטאיקה ריכוזית קרקעית (CPV) עם אמינות מוכחת ויכולת להרחיב ייצור.
SiGe ואלקטרוניקה מהירה
אפיטקסיית סיליקון־גרמניום (SiGe) על גבי מצעי גרמניום מאפשרת טרנזיסטורי דו־קוטביים עם מגע הטרוגני (HBTs) עם fT/fmax מעבר ל-500 GHz ליישומי דיגיטל מהיר ו-RF.
פלטפורמות Ge ו-germanium-on-insulator (GOI) ממשיכות לאפשר מעגלים משולבים מתקדמים של CMOS ושל פוטוניקה לחישוב מהדור הבא ולחיבורי אופטיקה.
זיהוי קרינה
גרמניום טהור מאוד (HPGe) מספק רזולוציית אנרגיה יוצאת דופן לספקטרוסקופיית קרני גמא, מה שהופך אותו לחומר הייחוס עבור פיזיקה גרעינית וניטור קרינה.
גרמניום תומך בגלאים עם ליתיום־דריפט Ge(Li) ובגלאים מישוריים המשמשים בסריקות אבטחה, הדמיה רפואית וניטור סביבתי.
מפרטים טכניים
| פרמטר | טווח זמין |
|---|---|
| חומר | Single-crystal Germanium (Ge), 5N+ purity |
| קוטר | 50mm, 100mm, 150mm, 200mm |
| סוג מסמם | N-type (Sb-doped), P-type (Ga-doped), Intrinsic (undoped) |
| התנגדות סגולית | N-type: 0.01–40 Ω·cm, P-type: 0.01–30 Ω·cm, Intrinsic: > 40 Ω·cm |
| כיווניות | (100), (111), (110), off-cut ±0.5° |
| עובי | 200μm–1000μm, standard SEMI thicknesses |
| ליטוש פני שטח | SSP, DSP, Epi-Ready, RMS < 2Å |
| EPD (צפיפות בורות תחריט) | < 5×10³/cm² |
| TTV / קשת / עיוות | TTV < 5μm, Bow < 15μm, Warp < 20μm |
| פער אנרגיה | 0.66 eV (indirect) |
| ניידות אלקטרונים | 3,900 cm²/V·s |
| ניידות חורים | 1,900 cm²/V·s |
| טווח העברת IR | 2–14μm, n ≈ 4.0 |
| מקדם שבירה | 4.003 @ 10.6μm (CO₂ laser wavelength) |
| מוליכות תרמית | 60 W/m·K |
| צפיפות | 5.323 g/cm³ |
| אריזה | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 |
יישומים
אופטיקת IR והדמיה תרמית
מדד שבירה גבוה (n ≈ 4.0) והעברה בתחום 2–14 μm הופכים את הגרמניום לחומר הסטנדרטי עבור עדשות אינפרא-אדום, חלונות ומערכות הדמיה תרמית.
תאי שמש ופוטו-וולטאיקה
מצעי גרמניום תומכים בתאי שמש רב-צומתיים מסוג III-V ליישומי פוטו-וולטאיקה מרוכזים הן בחלל והן על פני הקרקע.
אלקטרוניקה מהירה
ניידות אלקטרונים גבוהה (3,900 cm²/V·s) והטרואפיטקסיה של SiGe מאפשרות מעגלים דיגיטליים מהירי ביצועים, רכיבי RF וחיבורי-גומלין פוטוניים.
זיהוי קרינה
גרמניום בטוהר גבוה (HPGe) מספק פיזור/רזולוציית אנרגיה מצוינת לספקטרוסקופיית קרני גמא, ניטור גרעיני וסריקות אבטחה.
לוויינים וחלל
מצעי גרמניום עמידים לקרינה תומכים במערכי תאי שמש של לוויינים, באופטיקה בתחום ה-IR ובמערכות אופטו-אלקטרוניות לתעופה וחלל.
מו"פ ומצעי ייעוד
אפשרויות לבחירת התמצאות (orientation), דיפוג (doping) ועובי בהתאמה אישית תומכות במחקר בפוטוניקה, טכנולוגיית קוונטים ובמכשירי מוליכים למחצה מתקדמים.
איכות והסמכה
פרוסות הגרמניום של GINECHIP מיוצרות תחת ISO 9001:2015 עם בדיקה של 100%, וניתנות להתאמה לתקנים של SEMI M1–M13 וכן לדרישות RoHS/REACH.
בקש הצעת מחיר לגרמניום
שתפו את המפרט המותאם שלכם ונכין הצעת מחיר. שלחו את הדרישות לצוות שלנו למענה מהיר.