משאבים · עזר
מדריך תכונות חומרים
מדריך מקיף לחומרי מצעי מוליכים למחצה.
תכונות חומרי מצע ושכבה דקה
מדריך עזר מהיר לתכונות החשמליות, המכניות והתרמיות של חומרי המצע והשכבה הדקה שאנו מספקים, כדי לעזור לך לבחור את החומר הנכון ליישום שלך.
סיליקון (Si)
Substrate Bandgap: 1.12 eVThermal conductivity: 150 W/m·KMobility (e): 1400 cm²/V·sDensity: 2.33 g/cm³Young's modulus: 130–188 GPaThermal expansion: 2.6 ppm/KRefractive index: 3.42 (@ 1.5μm)Melting point: 1414°C
SiO₂ תרמי
Dielectric Bandgap: ~9 eVBreakdown field: > 10 MV/cm (dry)Dielectric constant: 3.9Density: 2.20 g/cm³Refractive index: 1.46 (@633nm)Thermal conductivity: 1.4 W/m·KCTE: 0.5 ppm/KEtch: BOE or HF based
Si₃N₄ (סטוכיומטרי)
Dielectric Bandgap: ~5 eVResistivity: 10¹⁶ Ω·cmDielectric constant: 7.5Stress: 0.8–1.2 GPa (tensile)Refractive index: 2.0 (@633nm)Density: 3.17 g/cm³Young's modulus: 250 GPaEtch: hot H₃PO₄ at 160°C
Al₂O₃ (ספיר/ALD)
Dielectric Bandgap: 6.5–7.0 eVDielectric constant: 8.0–9.5Breakdown field: 15–20 MV/cmDensity: 3.97 g/cm³Thermal conductivity: 25–40 W/m·KRefractive index: 1.76 (@633nm)CTE: 5.3 ppm/K (sapphire)Etch: BCl₃/Cl₂ RIE
גליום ארסניד (GaAs)
Substrate Bandgap: 1.42 eV (direct)Mobility (e): 8500 cm²/V·sDensity: 5.32 g/cm³Thermal conductivity: 55 W/m·KCTE: 5.73 ppm/KBreakdown field: 0.4 MV/cmRefractive index: 3.4 (@ 1.5μm)Melting point: 1238°C
אינדיום פוספיד (InP)
Substrate Bandgap: 1.34 eV (direct)Mobility (e): 5400 cm²/V·sDensity: 4.81 g/cm³Thermal conductivity: 68 W/m·KCTE: 4.75 ppm/KBreakdown field: 0.5 MV/cmRefractive index: 3.2 (@ 1.5μm)Melting point: 1062°C
4H-SiC
Substrate Bandgap: 3.26 eVMobility (e): 1000 cm²/V·sBreakdown field: 2.5–3.0 MV/cmThermal conductivity: 370–490 W/m·KCTE: 3.2 ppm/K (a-axis)Density: 3.21 g/cm³Refractive index: 2.6 (@633nm)Sublimation: ~2700°C
GaN (על SiC/Si)
Substrate Bandgap: 3.4 eV (WZ)Mobility 2DEG: 1500–2200 cm²/V·sBreakdown field: 3.3 MV/cmThermal conductivity: 130–200 W/m·KCTE: 3.17 ppm/K (a-axis, bulk)Density: 6.15 g/cm³Saturation velocity: 2.5×10⁷ cm/sMelting point: > 2500°C
זכוכית בורוסיליקט (Pyrex®)
Substrate CTE: 3.25 ppm/K (matched to Si)Anodic bonding: 300–500°CDensity: 2.23 g/cm³Young's modulus: 63 GPaTg (softening): 821°CDielectric constant: 4.6 (@1MHz)Refractive index: 1.47 (@633nm)Na content: ~4% (enables anodic bonding)
סיליקה מותכת / קוורץ
Substrate CTE: 0.55 ppm/KDensity: 2.20 g/cm³Young's modulus: 73 GPaRefractive index: 1.46 (@633nm)Transmission: > 85% (UV–NIR)Tg: ~1200°CDielectric constant: 3.8 (@1MHz)Excellent UV transparency
אלומיניום (Al, מטליזציה)
Metal Resistivity: 2.65 μΩ·cmMelting point: 660°CCTE: 23.1 ppm/KDensity: 2.70 g/cm³Adhesion: Ti or Cr interlayerEtch: Cl₂/BCl₃ RIEDeposition: PVD sputteringTypical thickness: 0.5–3μm
זהב (Au, אלקטרודה/פד הלחמה)
Metal Resistivity: 2.44 μΩ·cmMelting point: 1064°CCTE: 14.2 ppm/KDensity: 19.3 g/cm³Adhesion: Cr or Ti interlayerEtch: Ar ion milling or KI/I₂Deposition: e-beam or sputterWire bond: Au or Al wire
כיצד להשתמש במדריך זה
בחירת חומר היא בעיית אופטימיזציה רב-פרמטרית. החלטות המאפיינים המרכזיות תלויות ביישום שלך: עבור התקני הספק — תעדוף פער אנרגיה, שדה פריצה ומוליכות תרמית; עבור RF/mmWave — ניידות אלקטרונים, מהירות רוויה והתנגדות המצע; עבור MEMS — מודול יאנג, מאמץ שיורי והתאמת CTE לשכבות ההתקן; עבור פוטוניקה — מקדם שבירה, חלון שקיפות אופטית ומקדם אלקטרו-אופטי; עבור אריזה — התאמת CTE לשבב, מוליכות תרמית וקבוע דיאלקטרי.
זקוק לעזרה בבחירת חומר?
מהנדסי היישומים שלנו יכולים לעזור להתאים תכונות חומר לדרישות ההתקן שלך — צור קשר עם המפרטים היעד שלך לקבלת המלצה מותאמת אישית.
צור קשר עם מהנדסים