גרפן על גבי מצעים (CVD) — פרוסות
אספקת שכבות גרפן מוכנות לשימוש לייצור מתקדם של רכיבים. בחרו בגרפן חד-שכבתי ב-CVD עם <strong>כיסוי >95%</strong> על SiO₂/Si, ספיר, קוורץ, PET/PEN ויריעת Cu—עד <strong>150 מ"מ</strong>.
סקירה
GINECHIP מספק סרטי גרפן דקים לאחר העברה למצע, מותאמים לאופטיקה, תכונות חשמליות ובניית אבטיפוס למכשירים.
אפשר לבחור שכבה יחידה (>95% כיסוי), שכבה כפולה, שכבות מעטות (3–5 שכבות) או rGO (Reduced GO) על SiO₂/Si (90nm/285nm/300nm אוקסיד), ספיר, קוורץ, PET, PEN או Cu-foil במצב as-grown — עד 4″ (100mm) ו-6″ (150mm).
יעדי הביצועים כוללים <strong>התנגדות גיליון 200–600 Ω/□</strong> ו-<strong>העברת אור > 97% ב-550 נ״מ</strong>.
גידול CVD
אנחנו מגדלים גרפן על נייר כסף מנחושת באמצעות תהליך CVD מבוקר, שמטרתו לתמוך בתוצאות של שכבה יחידה, שכבה כפולה ומעט שכבות, עם נקודות בקרה בכל שלב.
- הכנת נייר כסף מנחושת ואנייל בטמפרטורה גבוהה לייצוב פני הקטליזטור.
- פירוק מקור הפחמן על פני הנחושת ליצירת גרפן בשכבה יחידה.
- קירור מבוקר לשמירה על איכות השכבה והאחידות.
- בדיקת איכות ראשונית של הסרט לפני העברה.
גידול ה-CVD מתוכנן להשגת כיסוי גרפן עקבי וביצועים חשמליים/אופטיים על המצע היעד.
תהליך העברה
לאחר הגידול, גרפן מועבר מ-Cu למצע הנבחר באמצעות מסלולי העברה רטובים או יבשים, בהתאם לדרישות המכשיר שלך.
העברה רטובה
נעשה שימוש בשכבת תמיכה של PMMA; לאחר מכן מבצעים חריטה של Cu, ואחריה ניקוי המצע כדי לקבל את סרט הגרפן על פרוסות היעד.
העברה יבשה
גישה מבוססת סרט תרמי-משחרר / PDMS מעבירה את הגרפן ללא שלבי חריטה רטובה, ותומכת בטיפול מבוקר עבור סטאקים רגישים של מכשירים.
בחר את מסלול ההעברה שמתאים לחלון התהליך שלך: רטוב לתהליכים מבוססים, יבש לטיפול עדין יותר — במטרה להשיג גרפן אחיד על המצע שבחרת.
אפיון ובקרת איכות
לפני המשלוח, כל אצווה נבדקת כדי לוודא <strong>מספר שכבות</strong>, <strong>שקיפות אופטית</strong>, <strong>התנגדות יריעה</strong> ו<strong>אחידות מבנית</strong>, וכך להבטיח ביצועי גרפן יציבים על גבי מצעים.
ספקטרוסקופיית ראמאן
איכות גרפן בשכבה אחת מאומתת לפי מדדי ראמאן: I₂D/I_G > 2 עם FWHM של פס 2D בטווח 25–35 cm⁻¹, לתמיכה בזיהוי חד-שכבתי אמין על פני כל המצע.
ניתוח פני שטח ב-AFM
איכות פני השטח נשלטת באמצעות חוסר אחידות RMS < 0.3 nm. לאחר ההעברה נשמר ניקיון כדי לתמוך באינטגרציה בתהליכים הבאים.
ביצועים חשמליים
הולכת המטענים בגרפן מוצגת באמצעות ניידות FET של 1,000–5,000 cm²/V·s על גבי SiO₂/Si, התומכת בהתנהגות ערוץ איכותית לאפליקציות של אלקטרוניקה שקופה.
גרפן מול ITO מול ננו-חוטי כסף
כשנדרשת שקיפות דקה במיוחד עם התנגדות יריעה שניתן לשלוט בה, גרפן מציע חלופה מבוססת פחמן למוליכים שקופים קונבנציונליים כמו <strong>ITO</strong> ו<strong>ננו-חוטי כסף</strong>—עם אימות חזק של תכונות אופטיות וחשמליות לצורך שילוב במצע מוכן לתהליך.
| פרמטר | גרפן (CVD חד-שכבתי) | ITO (In₂O₃:Sn) | רשת ננו-חוטי כסף |
|---|---|---|---|
| חומר | Graphene (CVD monolayer) | ITO (In₂O₃:Sn) | Ag Nanowire Network |
| התנגדות יריעה | 200–600 Ω/sq | 10–50 Ω/sq | 10–100 Ω/sq |
| שקיפות (550nm) | > 97% | 85–92% | 85–92% |
| גמישות | Excellent (bend radius < 1mm) | Poor (brittle, cracks at ~2% strain) | Good (bend radius ~3mm) |
| עמידות מכנית | Outstanding (tensile strength 130 GPa) | Fragile (ceramic, low fracture toughness) | Moderate (corrosion-prone) |
| יציבות כימית | Excellent (inert, acid/base resistant) | Moderate (acid-sensitive, In leaching) | Poor (Ag oxidation/sulfidation) |
| מוליכות תרמית | ~5,000 W/m·K (in-plane) | ~10 W/m·K | ~30 W/m·K |
| זמינות חומרי גלם | Carbon: abundant, low cost | Indium: critical raw material, supply risk | Silver: precious metal, price volatility |
| טמפרטורת תהליך | CVD at ~1,000°C; transfer at RT | Sputter deposition at 200–400°C | Solution coating, anneal at 120–200°C |
| מדרגיות | Wafer-scale demonstrated (150mm); roll-to-roll emerging | Mature; large-area sputtering established | Roll-to-roll compatible; limited uniformity |
| מתאים במיוחד ל | Flexible, transparent, high-frequency; 2D heterostructures | Rigid touch screens, LCDs, low-cost TCO | Flexible touch, EMI shielding, heaters |
יישומים
תצוגות גמישות ולבישים
גרפן חד־שכבתי/דו־שכבתי/מעט־שכבתי המועבר למצע מתאים מאפשר <strong>שידור אופטי גבוה</strong> וכיסוי אחיד למערכות אלקטרוניות שקופות וגמישות.
חיישנים ביולוגיים
פלטפורמת גרפן על מצע מסייעת לאינטראקציה רגישה במיוחד עם פני השטח. בחירה בסוג שכבה (חד־שכבתי/דו־שכבתי/3–5 שכבות) מאפשרת התאמה של התגובה האלקטרוכימית.
התקני HF/RF
תכונות חשמליות ניתנות לכוונון—לשכבה חד־שכבתית לאחר העברה <strong>200–600 Ω/□</strong>—מסייעות לפיתוח אבטיפוס של התקני RF כאשר אחידות ומוליכות הן קריטיות.
אחסון אנרגיה וסוללות
גרפן ו־rGO על מצעים מותאמים מספקים שכבות מוליכות ופעילות לפני שטח עבור אלקטרודות ושכבות ביניים, ותומכים בייצור עקבי בגודליות נפוצות של פרוסות (עד 6″).
מחקר של הטרוסטרקטורות דו־ממדיות
בחרו סוג גרפן (חד־שכבתי >95% כיסוי, דו־שכבתי, 3–5 שכבות, rGO) ואפשרויות מצע (SiO₂/Si, ספיר, קוורץ, PET/PEN, נייר נחושת as-grown) כדי לבנות הטרוסטרקטורות מבוקרות ולחקור ממשקים.
חיישני גזים וכימיקלים
rGO (גרפן מחוזר) ומבני גרפן רב־שכבתי על מצעים יציבים תומכים בחישה המונעת מספיחה. היעד לכיסוי לפי <strong>מיפוי ראמאן</strong> הוא >95% כדי לשמור על עקביות התגובה.
מפרטים טכניים
| פרמטר | טווח זמין |
|---|---|
| סוג גרפן | Monolayer (> 95% coverage), Bilayer, Few-layer (3–5 layers), Reduced GO (rGO) |
| אפשרויות מצע | SiO₂/Si (90nm/285nm/300nm oxide), Sapphire, Quartz, PET, PEN, Cu foil (as-grown) |
| גודל פרוסה | Up to 4″ (100mm), 6″ (150mm), custom sizes |
| שיטת גידול CVD | CVD on Cu foil, transfer to target substrate |
| כיסוי | > 95% monolayer by Raman mapping |
| התנגדות יריעה | 200–600 Ω/sq (monolayer, transferred) |
| שקיפות אופטית | > 97% at 550nm (monolayer) |
| יחס I₂D/I_G בראמאן | > 2 for monolayer; < 0.5 D/G |
| FWHM של פס 2D | 25–35 cm⁻¹ for monolayer, Lorentzian fit |
| ניידות (FET) | FET mobility: 1,000–5,000 cm²/V·s on SiO₂/Si |
| רמת אילוח | As-transferred: p-type 10¹²–10¹³ cm⁻² |
| גודל גרעין | 10–50μm (standard CVD), up to 1mm (optimized) |
| חספוס פני שטח | Conforms to substrate; Si/SiO₂ roughness < 0.3nm RMS after transfer |
| שאריות | PMMA minimized, thermal annealing available for cleaner surface |
| אריזה | Vacuum-sealed, desiccant pack, Class 100 |
איכות והסמכה
הבטחת האיכות נתמכת באמצעות בקרות ייצור ותיעוד: <strong>גרפן בשכבה אחת עם כיסוי > 95%</strong>, <strong>התנגדות יריעה 200–600 Ω/sq</strong>, <strong>שקיפות אופטית > 97% ב-550 nm</strong>, <strong>גודל גרעינים 10–50 μm ועד 1 mm</strong>, ו<strong>רמת מחוספסות פני שטח < 0.3 nm RMS</strong>. האריזה היא <strong>Class 100</strong>, עם <strong>ISO 9001:2015</strong> ו<strong>עמידה ב-RoHS/REACH</strong>.
בקש הצעת מחיר / התאמה לפי מפרט
שתפו אותנו על היישום שלכם ועל הדרישות הרצויות. אנו מזמינים אתכם <strong>לפנות לקבלת פתרון מותאם אישית של גרפן על מצע</strong>.