יישומים
מ-MEMS ועד אלקטרוניקת הספק — כיצד מצעי GINECHIP מאפשרים טכנולוגיה מודרנית.
סקירה כללית
בחירת מצע מוליך למחצה היא הבסיס לביצועי ההתקן. בין אם אתה מתכנן חיישן אינרציאלי MEMS, מגבר הספק GaN, מקלט-משדר פוטוני סיליקוני או אריזה 2.5D מתקדמת, הבחירה של חומר המצע, גודל הפרוסה, אוריינטציית הגביש, ההתנגדות ואיכות פני השטח קובעת ישירות תפוקה, אמינות וביצועים חשמליים.
Ginechip מספקת מגוון מקיף של מצעים מהונדסים על פני כל ספקטרום היישומים של מוליכים למחצה — מפרוסות סיליקון סטנדרטיות ל-CMOS בנפח גבוה ועד למוליכים למחצה מורכבים III-V אקזוטיים ליישומי פוטוניקה ו-RF נישתיים. כל מצע נרכש מיצרנים מוסמכים, נבדק לפי המפרט שלך ומסופק עם עקיבות חומר מלאה. צוות הנדסת היישומים שלנו מסייע לך לנווט בבחירת חומרים, בתאימות תהליכים ובאסטרטגיית שרשרת אספקה, כך שתוכל להתמקד בחדשנות ההתקן.
תעשיות
MEMS וחיישנים
Si, SOI, זכוכית, פיאזו. DRIE, bonding. אריזה הרמטית. 100-200 מ"מ.
רכיבי RF והספק
HR-Si, GaAs, GaN-on-Si/SiC. אובדן נמוך. mmWave. 50-200 מ"מ.
פוטוניקה ו-LiDAR
SOI, InP, LiNbO₃, SiO₂. BOX 0.5-3μm. ליטוש אופטי. 100-300 מ"מ.
אלקטרוניקת הספק (SiC/GaN)
SiC (4H, 6H), GaN-on-Si. מיקרופייפים < 1/ס"מ². יציב בטמפ' גבוהה. 100-200 מ"מ.
אריזה מתקדמת
אינטרפוזרים Si וזכוכית. TSV 5-100μm. 300 מ"מ. FOWLP. RDL, מיקרובאמפים.
מו"פ ואבטיפוס
שברים עד פרוסות מלאות. ללא כמות מינימלית. מחירים אקדמיים. ייעוץ.
פתרונות
אספקה בין מפעלים
רב-מקורות, קונסיגנציה, JIT, אנליטיקה. הפחתת סיכונים.
תמיכה במוסדות מחקר
מחירים אקדמיים, ייעוץ, חומרים לא סטנדרטיים, תמיכה במענקים.
ערכות סטארטאפ ואבטיפוס
ערכות פרוסות מוכנות. דגימות מהירות, האצת NPI, תנאי סטארטאפ.
מדריך לבחירת יישום
בחירת מצע: איזון תכונות, תאימות, נפח, תקציב. שאלות נפוצות:
צריך עזרה בבחירת מצע?
המהנדסים שלנו יבחנו את הדרישות שלך וימליצו על המצע האופטימלי — ללא עלות.