פרוסות אינדיום פוספיד
GINECHIP מספקת פרוסות InP בקטרים 2″–4″, עם דופינג מבוקר (N-type S/Sn, P-type Zn, SI עם Fe-דופינג) ועם משטחים מוכנים לייצור עבור אפיטקסיה. זמינות אוריינטציות (100), (111)A ו-(111)B עם off-cut של 2° או 3°, עם גדילה בשיטת VGF/LEC.
סקירה כללית
פוספיד אינדיום (InP) הוא מוליך למחצה מרוכב בעל פער פס ישיר של 1.344 eV וניידות אלקטרונים גבוהה של 5,400 cm²/V·s.
בחרו אפשרויות מצע הכוללות SI עם Fe-דופינג (>10⁷ Ω·cm), S או Sn מסוג N ו-Zn מסוג P; האוריינטציות הזמינות הן (100), (111)A ו-(111)B עם off-cut של 2° או 3° לכיוון (110) וקטרים של 2″–4″.
משטחי Epi-Ready מכוונים ל-RMS <2Å לצורך מוכנות גבוהה לאפיטקסיה, ותואמים ל-SEMI M1–M13 בתוספת RoHS ו-REACH.
מצעי InP מוכנים לאפיטקסיה (Epi-Ready) עם EPD עד <5×10³/ס״מ² (דרגה מתקדמת).
שיטות גידול גביש
אנו מגדלים InP באמצעות טכניקות VGF ו-LEC כדי לתמוך בדרישות שונות לאיכות ולמוכנות לאפיטקסיה.
VGF פריים
התפוקה והאיכות הטובות ביותר
InP VGF (Vertical Gradient Freeze) תוכנן לצפיפות דיסלוקציות נמוכה ולקבילות התנגדות גבוהה. הוא מספק את התשואה והאיכות הטובות ביותר עבור יישומי מצעי פוטוניקה ולייזר, כאשר EPD נשלט בטווח של <5×10³–5×10⁴/cm².
LEC ווליום
ייצור נפח בשל
InP LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) מותאם לייצור בנפח בקנה מידה בוגר ושליטה יציבה בתהליך. זה מתאים במיוחד לפרוסות בקטרים גדולים, כאשר EPD בדרך כלל בטווח של 5×10⁴–1×10⁵/cm² לביצועי נפח כוללים טובים.
השוואת שיטות גידול
השוו בין VGF, LEC ו-VCZ המתפתח כדי להתאים לעדיפות שלכם — בין אם מדובר בביצועי EPD, בכיוון יעד של ההתנגדות (resistivity), או בתפוקה הכוללת ליישומי אפי.
VGF — המתאים ביותר לפוטוניקה וללייזרים
VGF מסייע בהשגת EPD נמוך, התנגדות גבוהה ותפוקה חזקה, ותומך בדרישות InP מוכן לאפיטקסיה לייצור מתקדם של רכיבים.
ייצור בנפח גבוה ב-LEC
LEC מספק ייצור נפח בשל ומבוסס עבור קטרים גדולים יותר של וופרי InP, ותומך בייצור בר-סקייל.
מתפתח: תהליך VCZ
Czochralski הנשלט בלחץ אדים (VCZ) מתפתח עבור פרוסות InP עם צפיפות In-ואקום נמוכה יותר, ותומך בדרישות לדור הבא של התקני פוטוניקה ואלקטרוניקה.
יישומי פוטוניקה ו לייזר
פוספיד אינדיום (InP) הוא בעל bandgap ישיר של 1.344 eV, המאפשר פליטת אור יעילה עבור דיודות לייזר ומעגלים משולבים פוטוניים באורכי גל תקשורת של 1310 nm ו-1550 nm.
פרוסות InP תומכות בלייזרי DFB, בלייזרים מתכווננים ו-EMLs (electro-absorption modulated lasers) המשמשים במרכזי נתונים, בהעברת אופטית של 5G וברשתות אופטיות קוהרנטיות.
אינטגרציית פוטוניקה על גבי שבב משלבת לייזרים, מודולטורים, מוליכי-גל ופוטו-גלאים על צ’יפ InP אחד עבור מודולים אופטיים קומפקטיים ובעלי מהירות גבוהה.
ניידות אלקטרונים גבוהה של 5,400 cm²/V·s והפסד אופטי נמוך הופכים את InP לבחירה מועדפת כמצע עבור משדרי-מקלט אופטיים 800G ו-1.6T.
מילימטר-גל ואלקטרוניקה מהירה
HEMTs ו-HBTs של InP מספקים את הרווח (Gain) והיעילות הגבוהים ביותר בתדרי mmWave עבור 5G/6G, מכ"ם ותקשורת לוויינית.
פרוסות InP מאפשרות התקנים תומכי THz ומעגלי אות מעורב במהירות גבוהה במיוחד, עם fT/fmax מעבר ל-300 GHz.
InP עבור 5G/6G, מכ"ם ולוויינים — fT/fmax מעל 300 GHz
מפרטים טכניים
| פרמטר | טווח זמין |
|---|---|
| קוטר | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) |
| סוג מסמם | N-type S-doped, N-type Sn-doped, SI Fe-doped, P-type Zn-doped |
| התנגדות סגולית | N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI Fe-doped: > 10⁷ Ω·cm |
| כיווניות גביש | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2° or 3° toward (110) |
| עובי | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| ליטוש פני שטח | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 2Å (AFM 5×5μm) |
| EPD (צפיפות בורות איכול) | < 5×10⁴/cm² (prime); < 5×10³/cm² (advanced grade) |
| TTV / בואו / ווארפ | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| ניידות אלקטרונים (μₑ) | 5,400 cm²/V·s (N-type InP at 300K) |
| פער אנרגיה | 1.344 eV (direct, zincblende structure) |
| מוליכות תרמית | 68 W/m·K at 300K |
| שיטות גידול | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) |
| טיפול בצד אחורי | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| סימון בלייזר | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| תצורת שפה | Per SEMI M1: EJ or US standard flat per diameter |
| ספירת חלקיקים @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan) |
| אריזה | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 cleanroom |
| תאימות לתקנים | SEMI M1–M13, RoHS, REACH |
יישומים
תקשורת אופטית
לייזרי InP וגלאי פוטו מפעילים רשתות אופטיות מהירות, החל ממרכזי נתונים ועד כבלי תת-ימיים.
גלאי פוטו וחישה תמונתית
גלאי הפוטו של InP מספקים רגישות גבוהה וזרם כהה נמוך עבור יישומי תקשורת, חישה וראייה (imaging).
אלקטרוניקה בתדר גבוה
ניידות אלקטרונים גבוהה של 5,400 cm²/V·s תומכת בהתקני HBT ו-HEMT עבור מעגלים דיגיטליים ואנלוגיים במהירות גבוהה.
מעגלים פוטוניים משולבים
שילוב על-שבב של לייזרים, מאפננים ומוליכי גלים מאפשר PICs קומפקטיים עבור מודולים אופטיים מהדור הבא.
מו״פ ופוטוניקה קוונטית
מצעי InP ברמת מחקר תומכים בפוטוניקה קוונטית, במקורות פוטונים שזורים ובפיתוח אפיטקסיה מתקדם.
לוויינים וחלל
אופטואלקטרוניקת InP עמידה לקרינה תומכת בתקשורת לייזר לוויינית ובמערכות חלל ותעופה.
איכות והסמכה
פרוסות InP של GINECHIP מיוצרות תחת ISO 9001:2015 עם בדיקה של 100%, וזמינות להתאמה לסטנדרטים SEMI M1–M13 וכן לדרישות RoHS/REACH.
בקש/י הצעת מחיר ל-InP
שתפו את המפרט המותאם שלכם ונכין הצעת מחיר. שלחו את הדרישות לצוות שלנו למענה מהיר.