Кастомизация материалов
Настройте свойства материала подложки — сопротивление, легирование, ориентацию, толщину, отделку поверхности — под ваши требования к прибору.
Обзор
Стандартные пластины подходят для многих задач, но прорывные приборы требуют точно настроенных свойств материала. Наш сервис позволяет задать точные параметры — и мы изготовим пластины по вашим спецификациям.
Overview Paragraph 2
Кастомизация сопротивления
Resistivity Description
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Resistivity Range | 0.001–10,000 Ω·cm (custom narrow bands available) |
| Tolerance | ±5% standard, ±2% tight, ±1% ultra-tight |
| Radial Uniformity | ≤ 3% variation (4PP, 49-point map) |
| P-type Dopants | Boron (B) — 0.001–10,000 Ω·cm |
| N-type Dopants | Phosphorus (P), Arsenic (As), Antimony (Sb) |
| Intrinsic / High-Res | > 1,000 Ω·cm (FZ, neutron-transmutation doped) |
| Heavily Doped | < 0.005 Ω·cm (N+ Sb, P+ B for epi substrates) |
| Measurement Method | 4-point probe, eddy current, Hall effect per SEMI MF84 |
Resistivity Paragraph 2
Проектирование профиля легирования
Doping Description
P-тип (легированный бором)
Si-пластины с бором для дырочной проводимости. Точный контроль сопротивления от сильного легирования до почти собственного.
N-тип (фосфор/сурьма)
Si-пластины с фосфором или сурьмой для электронной проводимости. Более высокая подвижность электронов по сравнению с P-типом.
Собственный / высокоомный
Сверхвысокоомный Si (> 10 кОм·см) для ВЧ-подложек, фотодетекторов. Минимальное поглощение свободными носителями.
Выбор ориентации кристалла
Orientation Description
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Standard Orientations | 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉 |
| Off-Cut / Vicinal | 0.5°–6.0° toward 〈110〉, 〈111〉, or 〈211〉 |
| Tolerance | ±0.1° standard, ±0.05° precision |
| Flat Alignment | SEMI M1 primary/secondary flat or notch |
| Wafer ID Laser Mark | SEMI T7 OCR-compatible, alphanumeric, dot-matrix |
H 100Title
H 111Title
Orientation Paragraph 2
Кастомизация толщины
Thickness Description
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Standard Range | 200μm–1000μm |
| Ultra-Thin | 100μm–200μm (ground + stress-relieved) |
| TTV (Total Thickness Variation) | < 2μm standard, < 1μm tight |
| Bow | < 30μm standard, < 10μm tight |
| Warp | < 40μm standard, < 15μm tight |
| Surface Roughness (Ra) | < 0.5nm CMP, < 5nm DSP, < 50nm lapped |
Thickness Paragraph 2
Варианты отделки поверхности
Surface Finish Description
CMP-полировка
Химико-механическая планаризация. Односторонняя или двусторонняя полировка с субнанометровой шероховатостью.
- Ra < 0.5nm (AFM, 10×10μm scan)
- Haze < 0.2 ppm (SP1/Tencor)
- Available single-side or double-side
Односторонняя полировка (SSP)
Лицевая сторона отполирована (< 0,5 нм Ra), обратная травлена или шлифована. Экономичный вариант.
- Front: CMP (Ra < 0.5nm)
- Back: bright-etched or lapped
- SEMI M1 compliant
Двусторонняя полировка (DSP)
Обе стороны отполированы. Требуется для MEMS, оптики и соединения пластин.
- Both sides Ra < 0.5nm
- Improved wafer flatness
- 200mm and 300mm available
Эпи-готовая отделка
Ультрачистая поверхность для эпитаксии. Естественный оксид < 1 нм. HF-last или озон-last очистка. В N₂-продутой упаковке.
- Native oxide < 5Å (ellipsometry)
- COP-free for high-quality epi
- N₂-purged packaging
Шлифованная / после резки
Экономичная отделка для механических применений, тепловых тестов и разработки процессов. Шероховатость 0,2–0,5 мкм Ra.
- Ra 0.5–5.0μm
- Fast delivery
- Bulk pricing available
Обработка обратной стороны
Backside Description
Gettering Title
Dielectric Backside Title
Специальные сорта материалов
Special Description
Обратный оксид / поли-Si
Термический оксид или осаждённый поли-Si на обратной стороне для геттерирования примесей. Критично для времени жизни в силовых приборах.
Инженерия объёмных микродефектов (BMD)
Контролируемое осаждение кислорода для создания внутренних геттерирующих центров. Плотность BMD и глубина денудированной зоны по спецификации.
Контроль кристаллических частиц (COP)
Si-пластины без COP или с пониженным COP для чувствительных к дефектам применений. Критично для целостности затворного оксида в CMOS и flash-памяти.
Применения
Качество и сертификация
Каждая партия сопровождается сертификатом анализа: карта сопротивления, проверка легирования (SIMS/SRP), XRD, карта толщины, измерение шероховатости, подсчёт частиц.
Quality Paragraph 2
Нужны индивидуальные спецификации материала?
Сообщите требуемые сопротивление, легирование, ориентацию, толщину и отделку — предоставим КП в течение 24 ч.