Услуги фотолитографии
Контактная, проекционная литография с разрешением до 0,5 мкм.
Обзор
Фотолитография — основа формирования рисунка. GINECHIP использует 5 платформ.
От контактной до проекционной, от прямой записи до наноимпринта.
Технологии литографии
Контактная литография
Разрешение 0,5–2 мкм. SUSS/EVG. Двустороннее совмещение.
Проекционная литография
Разрешение 2–5 мкм. Зазор 10–50 мкм.
Проекционный степпер
Разрешение 0,35–0,5 мкм. 4×/5×. i-line 365 нм.
Безмасочная прямая запись
Разрешение 0,6–2 мкм. Без маски. Для НИОКР.
Наноимпринтная литография
< 50 нм. UV-NIL и термо-NIL. Аспект до 15:1.
Портфель резистов
Позитивные резисты
DNQ/Novolak (i-line, g-line), химически усиленные (DUV).
Негативные резисты
SU-8 (эпоксидный), полиизопрен. Толщина 0,5–200 мкм.
Резисты с обращением изображения
Один резист для позитивного и негативного рисунка.
Толстые резисты
SU-8 до 500 мкм, полиимид, BCB.
Технологические возможности
| Параметр | Возможности |
|---|---|
| Minimum Feature Size | 0.35μm (stepper), 0.5μm (contact), 0.6μm (direct-write) |
| Overlay Accuracy | < 50nm (stepper), < 1μm (contact) |
| Wafer Size Range | Fragments to 300mm |
| Resist Thickness Range | 0.3μm–500μm |
| Double-Side Alignment | Front-to-back < 2μm (contact/proximity) |
| Exposure Wavelengths | i-line (365nm), g-line (436nm), broadband UV |
| Mask Data Formats | GDSII, DXF, CIF, Gerber |
| Cleanroom Class | ISO Class 5 (Class 100) |
Типичные применения
Гребенчатые структуры, мембраны, кантилеверы.
Пиксельные матрицы. i-line степпер, < 50 нм.
Большие площади на 200–300 мм. Толстые резисты.
Тонкие линии, пассивные компоненты. 0,35 мкм.
SU-8 формы для PDMS. Каналы от 5 мкм.
Si₃N₄ и SOI волноводы. Субмикронный контроль.
Дизайн масок
Поддержка масок: GDSII, DRC, верификация.
Метрология литографии
Метрология: CD-SEM, измерение совмещения, микроскопия.
Обеспечение качества
Процессы под ISO Class 5. Контроль температуры и влажности.
Нужна прецизионная литография?
Отправьте GDSII и спецификации. Ответ в течение 24 часов.