Услуги фотолитографии — контактная, проекционная

0.35μm–5μmРазрешение

< 50nmТочность совмещения

100mm–300mmДиаметр пластин

5 TechnologiesТехнологии литографии

Обзор

Фотолитография — основа формирования рисунка. GINECHIP использует 5 платформ.

От контактной до проекционной, от прямой записи до наноимпринта.

Технологии литографии

Контактная литография

Разрешение 0,5–2 мкм. SUSS/EVG. Двустороннее совмещение.

Resolution: 0.5–2μmMask aligner: SUSS / EVGSubstrate: fragments to 200mmAlignment: top/bottom sideDouble-side alignment available

Проекционная литография

Разрешение 2–5 мкм. Зазор 10–50 мкм.

Resolution: 2–5μmProximity gap: 10–50μmReduced mask wearHigher throughput vs contactGap uniformity control

Проекционный степпер

Разрешение 0,35–0,5 мкм. 4×/5×. i-line 365 нм.

Resolution: 0.35–0.5μmReduction ratio: 4× / 5×i-line (365nm) sourceOverlay accuracy < 50nmThroughput: 60–80 wph

Безмасочная прямая запись

Разрешение 0,6–2 мкм. Без маски. Для НИОКР.

Resolution: 0.6–2μmWrite speed: up to 300mm²/minGDSII / DXF / CIF inputMaskless — no mask costIdeal for R&D & prototyping

Наноимпринтная литография

< 50 нм. UV-NIL и термо-NIL. Аспект до 15:1.

Resolution: < 50nmUV-NIL & thermal NILStamp: Si, quartz, flexibleFull wafer & step-and-repeatAspect ratio up to 15:1

Портфель резистов

Позитивные резисты

DNQ/Novolak (i-line, g-line), химически усиленные (DUV).

Негативные резисты

SU-8 (эпоксидный), полиизопрен. Толщина 0,5–200 мкм.

Резисты с обращением изображения

Один резист для позитивного и негативного рисунка.

Толстые резисты

SU-8 до 500 мкм, полиимид, BCB.

Технологические возможности

Параметр	Возможности
Минимальный размер элемента	0,35 мкм (степпер), 0,5 мкм (контактная), 0,6 мкм (прямая запись)
Точность совмещения	< 50 нм (степпер), < 1 мкм (контактная)
Диапазон размеров пластин	Фрагменты до 300мм
Диапазон толщины резиста	0.3μm–500μm
Двустороннее совмещение	Лицевая-тыльная < 2 мкм (контактная/proximity)
Длины волн экспонирования	i-линия (365 нм), g-линия (436 нм), широкополосный УФ
Форматы данных фотошаблона	GDSII, DXF, CIF, Gerber
Класс чистого помещения	ISO класс 5 (класс 100)

Типичные применения

MEMS датчики

Гребенчатые структуры, мембраны, кантилеверы.

CMOS датчики изображения

Пиксельные матрицы. i-line степпер, < 50 нм.

Силовые приборы

Большие площади на 200–300 мм. Толстые резисты.

RF и мм-волны

Тонкие линии, пассивные компоненты. 0,35 мкм.

Микрофлюидика

SU-8 формы для PDMS. Каналы от 5 мкм.

Фотоника

Si₃N₄ и SOI волноводы. Субмикронный контроль.

Дизайн масок

Поддержка масок: GDSII, DRC, верификация.

Метрология литографии

Метрология: CD-SEM, измерение совмещения, микроскопия.

Обеспечение качества

Процессы под ISO Class 5. Контроль температуры и влажности.

Нужна прецизионная литография?

Отправьте GDSII и спецификации. Ответ в течение 24 часов.

Запросить КП Связаться с инженерами

ISO 9001 Класс 5 CD-SEM GDSII/DXF/CIF