Кастомизация плёнок и покрытий
Услуги по осаждению тонких плёнок — диэлектрические, металлические и многослойные стеки под заказ.
Обзор
Осаждение тонких плёнок для полупроводников, MEMS и фотоники. От однослойных диэлектриков до сложных оптических стеков.
Каждая плёнка проверяется эллипсометрией, 49-точечным картированием и измерением кривизны. Нанесение на Si, SOI, стекло, сапфир.
Диэлектрические плёнки
Осаждение диэлектриков: затворные оксиды, межслойная изоляция, пассивация. Термическое, CVD, ALD.
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Термический SiO₂ (сухой) | 5nm–500nm, uniformity ±1%, RI 1.462, breakdown > 10 MV/cm |
| Термический SiO₂ (влажный) | 50nm–3μm, uniformity ±2%, growth rate 5–10× faster than dry |
| PECVD SiO₂ | 100nm–5μm, uniformity ±3%, stress tunable (compressive or tensile) |
| LPCVD TEOS SiO₂ | 50nm–2μm, excellent step coverage, conformal > 95% |
| ALD Al₂O₃ | 5nm–100nm, uniformity ±0.5%, pinhole-free, high-k (εᵣ ≈ 9) |
| ALD HfO₂ | 2nm–50nm, EOT < 1nm, high-k (εᵣ ≈ 20–25) |
Нитрид кремния LPCVD
- Стехиометрический Si₃N₄, осаждаемый при 700–850°C для плотных плёнок с малым числом дефектов
- Отличный диффузионный барьер для натрия и влаги
- Растягивающее напряжение ~1 ГПа — идеально для подвешенных мембран MEMS
- Диапазон толщины: 50 нм–1 мкм, равномерность < ±3%
Нитрид кремния PECVD
- Осаждение при 250–400°C — совместимо с термочувствительными металлическими слоями
- Регулируемое напряжение от сжимающего до растягивающего через соотношение RF-мощности
- Используется для финальной пассивации и защиты от царапин
- Диапазон толщины: 100 нм–2 мкм, равномерность < ±5%
Металлические плёнки и металлизация
Металлические плёнки (PVD): электроды, межсоединения, барьеры, затравочные слои.
| Параметр | Доступный диапазон |
|---|---|
| Al (алюминий) | 100nm–5μm, PVD sputtered, ±1% Si or ±0.5% Cu doping available |
| Ti / TiN | Ti 10–50nm / TiN 20–200nm, PVD reactive sputtering, diffusion barrier |
| TiW (титан-вольфрам) | 50–300nm, PVD, superior diffusion barrier for Au metallization |
| Cr / Au | Cr 10–30nm (adhesion) + Au 50–500nm, evaporation or sputtering |
| Ni / NiV | 50nm–5μm, electroplated or sputtered, solder-wettable UBM |
| Pt (платина) | 50–300nm, PVD, high-temperature stable, inert electrode material |
Алюминиевая металлизация
Алюминий (Al) для межсоединений. PVD с легированием Si/Cu. 100nm–5μm.
Золотая металлизация
Золото (Au) для надёжных электродов. Cr/Au или Ti/Au стеки. 50–500nm.
Металлизация под вывод (UBM)
Многослойные стеки UBM для Flip-Chip. Ti, Cr / Ni, NiV, TiW / Au, Cu.
Многослойные стеки
Многослойные стеки для оптических, электрических и механических функций.
ONO стек (SiO₂ / Si₃N₄ / SiO₂)
ONO для памяти (flash, EEPROM). SiO₂ / Si₃N₄ / SiO₂. EOT от 10nm.
- SiO₂ / Si₃N₄ / SiO₂
- Общий стек: 18–45nm
- EOT вплоть до 10nm
High-k/Metal Gate (HKMG) стек
High-k/Metal Gate стек для CMOS. IL SiO₂ + HfO₂ + TiN + poly-Si. EOT < 1nm.
- IL SiO₂ + HfO₂ + TiN + Poly-Si
- Достижимо EOT < 1nm
- Работа выхода на краю зоны для N-типа и P-типа
Антибликовые покрытия (ARC)
ARC для литографии. BARC (SiON, 50–100nm), TARC (SiON, 30–80nm).
- BARC: 50–100nm SiON или органический
- TARC: 30–80nm SiON, обогащённый Si
- Оптимизировано для i-line (365nm) и DUV (248nm)
Жертвенные и структурные стеки MEMS
Жертвенные и структурные стеки для MEMS. PSG/SiO₂ + poly-Si.
- PSG / SiO₂ жертвенный
- LPCVD поли-Si структурный
- Совместимо с освобождением в парах HF или BOE
Метрология и характеризация плёнок
Каждая плёнка проходит метрологию: толщина, n&k, напряжение, состав, шероховатость.
- Спектроскопическая эллипсометрия — толщина и n/k с точностью до ±0.1nm (Woollam M-2000)
- Картирование толщины по 49 точкам — проверка однородности по пластине
- Кривизна / напряжение пластины — Tencor FLX, карта напряжений по всей пластине
- XRR (рентгеновская рефлектометрия) — субнанометровая толщина для сверхтонких плёнок
- Шероховатость поверхности (AFM) — Ra/RMS по сканам 1×1μm и 10×10μm
- Четырёхзондовый метод — поверхностное сопротивление проводящих плёнок
- XPS / EDX — проверка состава плёнки и стехиометрии
- Инспекция под оптическим микроскопом — визуальная проверка пор, частиц и отслоений
Применения
Качество и сертификация
Осаждение в ISO 5. Сертификат соответствия. SPC контроль.
Запросите ваш индивидуальный стек
Сообщите толщину, материал, стресс-бюджет и спецификацию пластины.