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MEMS製程平台技術
0.5μm解析度精度
每月1000+片晶圓產能
ISO 9001:2015認證

概述

MEMS傳感器是現代電子設備的核心組件,廣泛應用於汽車、消費電子、醫療器械和工業自動化領域。GINECHIP提供全面的基板和製程服務,支援壓力傳感器、慣性傳感器、聲學傳感器和環境傳感器的設計與製造。

我們提供業界領先的品質和精度,從矽晶圓、SOI晶圓到玻璃基板,從DRIE蝕刻到晶圓鍵合,一站式滿足您的MEMS傳感器製造需求。

傳感器類型

慣性感測器(加速度計與陀螺儀)

在矽、SOI或玻璃覆矽基材上製作的電容式梳齒與音叉結構,加速度量測範圍為±2g至±200g,角速度範圍為±100°/s至±2000°/s,適用於汽車、消費性電子與工業運動感測。

Substrates: Si, SOI, Si-on-GlassKey processes: DRIE, wafer bondingStructures: comb-drive, tuning forkRange: ±2g to ±200g (accel)Range: ±100°/s to ±2000°/s (gyro)Diameters: 150mm, 200mm

壓力感測器

壓阻式應變計或跨越密封參考腔的電容式感測,可量測1 kPa至100 MPa的壓力範圍,並在矽、SOI或玻璃覆矽基材上以陽極接合或熔融接合形成氣密腔體。

Substrates: Si, SOI, Si-on-GlassMembrane: Si or Si₃N₄ diaphragmPiezoresistive: doped Si strain gaugesCapacitive: sealed reference cavityRange: 1 kPa to 100 MPaAnodic/fusion bonding for cavity

MEMS麥克風

採用犧牲層釋放製程的多晶矽或氮化矽振膜,於晶圓級底部開孔封裝中可達60–73 dB(A)訊噪比,滿足消費性音訊應用的量產需求。

Substrates: Si wafers (150mm, 200mm)Membrane: poly-Si or Si₃N₄SNR: 60–73 dB(A)Key processes: sacrificial layer etchPackaging: wafer-level, bottom-portVolume: multi-billion units/year

MEMS振盪器與諧振器

在SOI、矽或多晶矽基材上製作的DETF、圓盤與環形諧振結構,提供1 MHz至625 MHz的頻率基準,具TCXO等級的±0.1 ppm穩定度,並以晶圓級真空封裝密封。

Substrates: SOI, Si, poly-SiFrequency: 1 MHz–625 MHzStability: ±0.1 ppm (TCXO class)Resonator: DETF, disk, ringProcess: DRIE + vacuum packagingWafer-level hermetic seal

氣體感測器

SnO₂、WO₃或ZnO感測薄膜搭配整合式MEMS微加熱器,可在低於15mW的脈衝功耗下實現ppb等級氣體偵測,製程與晶圓級封裝相容。

Substrates: Si, SOI, glassSensing film: SnO₂, WO₃, ZnOIntegrated micro-heater (MEMS hotplate)Power: < 15mW (pulsed operation)Detection: ppb-level for some gasesWafer-level packaging compatible

微流體與生物感測器

PDMS、SU-8或玻璃微流道搭配金、鉑、ITO或TiN電極,並以陽極接合或AuSn氣密封裝,支援符合ISO 13485標準的晶片實驗室與診斷裝置。

Substrates: Si, glass, SOIMicrofluidics: PDMS, SU-8, glassSurface chemistry: silanization, PEGElectrodes: Au, Pt, ITO, TiNHermetic: anodic bonding, AuSn sealISO 13485 (medical devices)

基板選擇指南

標準矽晶圓

符合SEMI規範的標準級矽晶圓,適用於MEMS結構層、機械層與電性層。

SOI晶圓

元件層厚度精確控制的絕緣體上矽晶圓,適用於明確的蝕刻終止與釋放結構製作。

玻璃覆矽晶圓

陽極接合的矽-玻璃疊層,為電容式與光學MEMS元件提供電性隔離與光學通道。

硼矽酸鹽玻璃晶圓

熱膨脹係數匹配的硼矽酸鹽玻璃晶圓,適用於陽極接合、腔體密封與透明感測視窗。

製程服務

深反應離子蝕刻

Bosch製程DRIE可形成高深寬比結構特徵、梳齒與釋放振膜,並嚴格控制側壁輪廓。

晶圓接合

陽極接合、熔融接合與共晶接合製程可密封腔體,並將元件晶圓與蓋板晶圓堆疊為氣密且機械強固的介面。

晶圓薄化與背面研磨

精密研磨與拋光可降低晶圓厚度,滿足振膜柔順性、應力釋放與最終封裝高度需求。

晶圓級封裝

蓋板晶圓接合與氣密封裝在切割前於晶圓級保護脆弱的MEMS結構,降低單顆晶粒的封裝成本。

切割與單粒化

刀式切割與隱形切割技術分離MEMS晶粒,同時保護外露的振膜、腔體與釋放結構免受機械損傷。

計量與測試

晶圓級電性測試、頻率響應特性分析與光學/SEM檢測,於出貨前確認元件效能。

設計支援

我們的工程團隊提供全面的MEMS設計支援,包括光罩佈局審查、設計規則檢查、製程流程優化和有限元素分析諮詢。我們使用您的GDSII、CIF、DXF和其他標準格式的設計文件。

我們提供多項目晶圓(MPW)運行服務,用於原型製作和小批量生產,並配有專用的製程監控和線上計量。我們的MPW服務通過多個設計共享光罩和製程成本,降低您的開發成本。

封裝解決方案

MEMS封裝選項包括晶圓級封蓋(陽極鍵合、玻璃熔塊、金屬共晶)、晶粒級氣密陶瓷封裝以及帶有腔體的塑膠模封。對於慣性傳感器和諧振器,可提供低於1 mTorr的真空封裝。

品質保證

我們的品質管理體系通過了ISO 9001:2015認證,並符合SEMI標準、RoHS、REACH和衝突礦物法規。每批貨物均附帶合格證書,並可追溯到原始晶錠的批次追溯。

準備好開始了嗎?

聯繫我們的工程團隊討論您的具體需求,並在24小時內收到詳細報價。

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