基板 · 材料
鍍膜基板
帶有熱氧化層、LPCVD氮化物、金屬薄膜和介質疊層的預鍍膜晶圓。
熱氧化 · PECVD · LPCVD · ALD · 濺射沉積方法
SiO₂ · Si₃N₄ · Poly-Si · Al · Au · Pt · DBR薄膜類型
10nm–10μm厚度範圍
Si · 玻璃 · GaAs · InP · 柔性基板選項
概述
鍍膜基板是許多半導體和MEMS器件的關鍵基礎。GINECHIP提供全面的預鍍膜晶圓基板服務，包括熱氧化層、LPCVD/PECVD氮化物、多晶矽、金屬薄膜和介質多層膜，可在矽、玻璃和化合物半導體基板上實現客製化薄膜疊層。
我們提供業界領先的品質和精度，每片鍍膜基板都經過嚴格的品質控制和完整的材料認證。
可用的鍍膜類型
熱氧化層 (SiO₂)
以乾式與濕式生長之二氧化矽，用於閘極介電層、遮罩及鈍化，厚度與折射率控制精確。
- Dry: 10nm–300nm, Wet: 100nm–2μm
- Uniformity: ±2% within-wafer
- Refractive index: 1.46 @ 633nm
- Breakdown field: > 10 MV/cm
低應力氮化矽 (Si₃N₄)
LPCVD沉積氮化物，具低本質應力及高KOH蝕刻選擇比，適用於MEMS薄膜與擴散遮罩。
- Thickness: 50nm–2μm
- Stress: < 100 MPa (low-stress nitride)
- Refractive index: 2.0 @ 633nm
- Etch selectivity to Si: > 500:1 in KOH
多晶矽
摻雜或未摻雜多晶矽薄膜，電阻率與晶粒尺寸可調，適用於閘極電極、電阻及MEMS結構層。
- Thickness: 100nm–10μm
- Resistivity: 0.001–1000 Ω·cm (doped)
- As-deposited or annealed (stress control)
- Grain size: 20–100nm (deposition condition)
金屬薄膜與堆疊
濺鍍或蒸鍍之Al、Au、Pt及Ni多層堆疊，用於打線接墊、歐姆接觸及擴散阻障層。
- Al: 100nm–5μm (wirebonding)
- Ti/Au: 20/200nm–50/1000nm
- Cr/Au, Ti/Pt/Au, Ti/Ni/Au stacks
- Sheet resistance as specified per process
分佈式布拉格反射鏡 (DBR) 鍍膜
由高/低折射率材料交替組成的多層介質堆疊，設計於目標波長達99.9%以上反射率。
- SiO₂/TiO₂, SiO₂/Ta₂O₅, SiO₂/Si₃N₄
- 3–50 layer pairs
- Reflectivity > 99.9% at design wavelength
- Custom spectral targets: 400nm–2μm
派瑞林保形塗層
以氣相聚合沉積之無針孔生物相容性派瑞林塗層，可對複雜幾何形狀提供密封均勻覆蓋。
- Thickness: 0.5μm–50μm
- Dielectric constant: 2.65–3.15
- USP Class VI biocompatible
- No pinholes, true conformal coverage
相容基板
矽晶圓
提供50mm至300mm之主晶級與測試級矽晶圓，可依鍍膜需求選擇任意晶向與電阻率。
玻璃基板
硼矽玻璃、熔融石英及顯示器級玻璃基板，適用於光學、MEMS及微流體應用。
砷化鎵基板
半絕緣及n型砷化鎵晶圓，適用於RF、光子及光電元件鍍膜。
磷化銦基板
磷化銦晶圓，適用於需要精密薄膜沉積的光子及高頻元件應用。
可撓性與聚合物基板
適用於聚醯亞胺、PET及其他可撓性基板材料之低溫相容鍍膜製程。
藍寶石基板
Al₂O₃基板鍍膜，適用於LED、光學窗口及高溫電子元件應用。
沉積技術
熱氧化
- 乾式氧化（O₂）：閘極介電層用最高品質 SiO₂，10nm–300nm
- 濕式氧化（H₂O 蒸氣）：較高成長速率，適用於較厚氧化層，100nm–2μm
- 氯化氧化（TCA/TCE）：提升功率元件的少數載子壽命
- 提供 100mm、150mm 與 200mm Si 晶圓
LPCVD
- Si₃N₄：低應力配方（< 100 MPa），用於 MEMS 薄膜
- 多晶矽：摻雜或未摻雜，晶粒尺寸與應力可調
- TEOS SiO₂：保形性優異、階梯覆蓋良好的氧化層
- 批量處理，實現量產成本效益
PECVD
- SiO₂：低溫（< 400°C）氧化層，用於金屬化後鈍化
- Si₃N₄：介電鈍化，應力可調（壓應力至張應力）
- SiON、a-Si：抗反射塗層、吸收層
- 高沉積速率，相容於溫度敏感基板
PVD
- DC/RF 磁控濺射：Al、Ti、Au、Pt、Cr、Ni、Cu、ITO
- 電子束／熱蒸發：用於剝離製程的高純度金屬薄膜
- 反應性濺射：TiN、TaN 阻擋／黏附層
- 金屬遮罩或整片晶圓沉積
品質控制
每片鍍膜基板都經過嚴格的品質控制，包括薄膜厚度量測、折射率分析、薄膜應力測試、均勻性驗證、表面缺陷檢測和片電阻量測。
薄膜厚度 — 光譜橢偏或反射量測（9 點映射）
折射率 — 於 633nm 波長量測
薄膜應力 — 沉積前／後晶圓翹曲量測（Stoney 方程式）
均勻性 — 晶圓內與晶圓間的厚度變異
方阻 — 導電薄膜的四點探針映射
表面缺陷 — 針對針孔、顆粒與顏色變異的光學檢測