晶圓框架與環
用於晶圓處理、運輸和儲存的金屬和塑膠晶圓框架、環和卡匣。
概述
晶圓框架和切割膠帶是半導體後段製程的基礎耗材——每一片晶圓上的每一個晶粒在到達最終封裝之前都要經過切割框架。平整度不足的框架會導致切割時晶粒飛脫。黏著力不當的膠帶會留下殘膠或在拾取時丟失晶粒。這些都是良率殺手級故障，完全可以通過正確的框架和膠帶規格來預防。
GINECHIP提供完整的晶圓框架和切割膠帶生態系統，用於半導體組裝和封裝：用於生產切割鋸的不銹鋼和鋁金屬框架、帶ESD安全選項的塑膠框架（PBT、PPS、PC）用於高產量產線、具有真空兼容性的薄晶圓支撐框架用於亞100μm晶圓，以及黏著力從50到1500 gf/25mm可控的全系列UV和非UV切割膠帶。
Product Range
金屬晶圓框架（不銹鋼/鋁）
用於生產切割鋸的精密不銹鋼和鋁晶圓框架。兼容K&S、ESEC和DISCO設備。陽極氧化或鈍化表面處理。標準100mm–300mm晶圓尺寸。
塑膠晶圓框架（PBT/PPS/PC）
輕量化塑膠框架，採用PBT、PPS和PC材料。提供ESD安全導電等級。與金屬框架相比重量減輕50%。可重複使用或一次性選項，適用於高產量自動化產線。
薄晶圓支撐框架
用於厚度低於100μm的超薄晶圓的專業支撐框架。真空兼容設計，可選載板。防翹曲支撐，200mm和300mm晶圓的精密平整度低於20μm。
晶圓卡匣（PFA/PP/ESD）
符合SEMI E1、E15和E57標準的晶圓卡匣，採用PFA、PP和抗靜電材料。25槽標準配置。H-Bar、C-Bar和開放式卡匣設計，適用於100mm–300mm晶圓。高溫PFA額定溫度達200°C。
切割膠帶（UV與非UV）
UV固化和非UV切割膠帶，基膜為PVC、PO和PET。丙烯酸和合成橡膠黏合劑，可控剝離強度從50到1500 gf/25mm。厚度範圍80–150μm，適用於100mm–300mm晶圓。
背面研磨與表面保護膠帶
背面研磨保護膠帶和表面保護膜。加工後無殘留去除。耐溫高達200°C。厚度100–400μm，黏著力100–1000 gf/25mm。適用於100mm–300mm晶圓。
Common Applications
在DISCO、K&S和ESEC切割機上進行精密晶圓切割。框架提供穩定的膠帶張力，實現乾淨的切割槽和最小的碎裂。兼容所有主要切割機品牌和刀片類型。
使用頂針機構從切割膠帶上自動頂出晶粒。框架平整度對於一致的拾取高度和可靠的真空拾取至關重要。針對高速組裝線進行了優化。
用於將晶圓減薄至亞100μm的薄晶圓支撐框架和背面研磨膠帶。防止研磨和處理過程中的晶圓翹曲和破裂。提供真空兼容設計。
自動和手動膠帶貼膜系統。兼容所有主要貼膜機品牌。乾淨、無氣泡的貼膜應用，具有可控的膠帶張力，實現最佳切割性能。
UV固化切割膠帶在UV曝光後黏著力降低90%以上，實現低應力晶粒拾取。對薄型和易碎晶粒至關重要。標準365nm UV波長兼容。
用於廠區間/廠區內晶圓運輸的框架和卡匣。敏感器件的ESD安全選項。SEMI標準配置，兼容自動化物料搬運系統。
Frame Tape Selection Guide
選擇正確的切割膠帶是一個多變量優化問題：晶圓材料、晶粒尺寸、切割方法和下游拾取貼裝設備都會影響理想的膠帶規格。GINECHIP提供涵蓋全部參數空間的膠帶：UV固化型（UV曝光後黏著力下降90%以上，實現低應力晶粒拾取）、非UV型（在整個製程中保持一致的黏著力）以及針對高難度應用的特殊配方。
關鍵選擇參數：黏著力等級（50–1500 gf/25mm）、基膜材料（PVC用於通用、PO用於低排氣、PET用於高溫）、膠帶厚度（80–150μm）和UV靈敏度（365nm標準）。我們的應用工程師將幫助您將膠帶匹配到特定的晶圓類型、晶粒尺寸和組裝設備。
Quality Cleanliness
Quality Cleanliness Description