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薄晶圓支撐框架
用於厚度低於100μm超薄晶圓的專業支撐框架，具備真空兼容設計及精密防翹曲平整度。
< 100μm目標晶圓厚度
200mm · 300mm晶圓相容性
< 20μm平整度精度
Vacuum-Compatible設計類型
概述
隨著元件製造商推向3D-IC堆疊、功率元件薄化及背照式感測器，低於100μm——甚至先進案例低於50μm——的晶圓厚度已成為常態，然而這些晶圓一旦磨薄至低於原生機械剛性閾值即極為脆弱且易翹曲。薄晶圓支撐框架提供剛性、真空兼容的介面，將操作力均勻分散於晶圓邊緣，防止導致運輸、背面研磨及切割過程中破裂的局部應力集中。
GINECHIP的薄晶圓支撐框架在整個框架直徑範圍內維持平整度低於20μm，並提供可選的載板配置，為最脆弱的製程步驟（如背面研磨後晶圓鍵合及Taiko環解鍵合）提供全背面支撐。真空兼容密封面確保在下游微影、檢測及鍵合設備上可靠吸附，且不引入微粒污染。
技術規格
| Parameter | Available Range / Values |
|---|---|
| Target Wafer Thickness | < 100μm (down to 20μm with Taiko-style edge support) |
| Wafer Compatibility | 200mm (8″), 300mm (12″) |
| Design Type | Vacuum-compatible chuck-mount frames, carrier plate options |
| Flatness | < 20μm precision flatness across support surface |
| Warpage Control | Anti-warpage rim support for post-backgrind handling |
| Material | Stainless steel or reinforced composite, chemical-resistant coatings |
| Compatible Processes | Backgrinding, dicing, die attach, wafer bonding/debonding |
| Standards | SEMI G74, SEMI G87 compatible geometries |
應用
背面研磨與晶圓薄化
在磨削過程中及之後提供剛性框架支撐，防止導致厚度低於100μm晶圓微裂的晶圓彎曲。
3D-IC與TSV堆疊
用於矽穿孔整合的超薄晶粒堆疊，需要在多個鍵合與對準步驟中維持尺寸穩定的載板支撐。
功率元件薄化
IGBT及MOSFET背面製程需要在背面金屬化步驟中維持平整度的薄晶圓操作框架。
背照式影像感測器製造
為光學性能而薄化的背照式感測器晶圓，需要在整個製程流程中使用載板支撐框架。
品質與認證
每個薄晶圓支撐框架的平整度均在出貨前透過干涉儀驗證，符合<20μm規格，並在ISO 9001:2015認證品質管理下進行。真空密封完整性經過洩漏測試，確保重複使用週期中的可靠吸附性能。