配件 · 背面研磨膠帶
背面研磨與表面保護膠帶
背面研磨保護膠帶及表面保護膜，無殘留去除，耐溫高達200°C。
100μm–400μm膠帶厚度
100–1000 gf/25mm黏著力範圍
Up to 200°C耐溫性
100mm–300mm晶圓相容性
概述
背面研磨膠帶保護晶圓精密的元件側電路，同時背面經機械研磨至最終元件厚度——此過程會產生大量熱、微粒碎屑及振動。GINECHIP的背面研磨膠帶經設計可承受研磨引起的高達200°C溫度而不發生黏合劑分解，同時形成緊密的微粒密封，使研磨漿料及矽碎屑遠離活性電路。
研磨後，膠帶必須零殘留釋放——任何殘留在正面電路上的有機污染皆可能損害後續鍵合、凸塊或封裝良率。GINECHIP提供100至1000 gf/25mm的受控黏著力，依研磨深度及晶圓材質匹配，並提供不涉及研磨熱的操作及運輸步驟用表面保護膜變體。
技術規格
| Parameter | Available Range / Values |
|---|---|
| Type | Backgrinding (BG) tape, surface protection film |
| Thickness | 100μm–400μm |
| Adhesion (Peel Strength) | 100–1000 gf/25mm, controlled per grind depth |
| Removal | Residue-free removal after grinding/processing |
| Temperature Resistance | Up to 200°C |
| Wafer Compatibility | 100mm–300mm |
| Base Film | PO (polyolefin), PVC options with UV-release variants |
| Standards | Compatible with DISCO, Okamoto, Strasbaugh backgrinders |
應用
封裝用晶圓薄化
先進封裝及3D-IC製程所需的標準背面研磨作業，需精確控制最終厚度。
IGBT與功率元件研磨
耐高溫膠帶在功率元件背面製程所需的激進研磨過程中保護正面電路。
運輸與操作保護
通用表面保護膜變體，在不涉及研磨的中間運輸步驟中保護圖案化晶圓表面。
Taiko環製程
用於Taiko邊緣環製程的背面研磨膠帶，可保留外部支撐環未磨削，以增加薄晶圓操作時的機械強度。
品質與認證
每批背面研磨膠帶均在ISO 9001:2015認證品質管理下，測試無殘留釋放、溫度穩定性及黏著力一致性，每批出貨均提供合格證明。